技术特征：
技术总结
一种方法包括形成晶体管，其中，形成晶体管包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，以及形成第一层间电介质。伪栅极堆叠件位于第一ILD中，并且第一ILD覆盖半导体区中的源极/漏极区。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以在第一ILD中形成沟槽，在沟槽中形成低k栅极间隔件，形成延伸到沟槽中的替换栅极电介质，形成金属层以填充沟槽，以及实施平坦化以去除替换栅极电介质和金属层的多余部分，以分别形成栅极电介质和金属栅极。然后在金属栅极的相对侧上形成源极区和漏极区。本发明实施例涉及接触插塞及其制造方法。
技术研发人员：潘国华;许哲玮;陈华丰;林俊铭;彭陈锽;谢旻谚;巫嘉豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.11.27
技术公布日：2018.07.17