技术特征：
技术总结
本发明提供了增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法以及浮栅型闪存结构。利用本发明提供的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，在外围电路区域的第二栅极结构的侧壁形成包括依次叠加的ONO侧墙、第三氧化层和加宽氮化层的加宽侧墙，由于加宽侧墙较ONO侧墙宽度增加，使得随后在外围电路区域进行源漏注入的离子注入区域和第二栅极结构的距离增加，可以降低高压晶体管的漏电流，并且，可以使在第二栅极结构周围基底中形成的漏极延伸区域(LDD区域)的面积增加，从而可以提高高压晶体管的击穿电压。本发明提供的浮栅型闪存结构，其设置于外围电路区域的第二栅极结构具有包括ONO侧墙、第三氧化层和加宽氮化层的加宽侧墙。
技术研发人员：罗清威;李赟;周俊
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2018.05.04