1.一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底（1）一侧依次从下往上设置第一外延层（11）、MQW多量子阱有源层（12）和第二外延层（13），所述第一外延层（11）依次从下往上设置外延生长缓冲层（111）、n-AIGaInP限制层（112）；所述第二外延层（13）依次从下往上设置p-AIGaInP限制层（131）、p-GaP第一窗口层（132）和p-GaP第二窗口层（133）；所述p-GaP第二窗口层（133）上制作ITO薄膜层（14），所述ITO薄膜层（14）上制作金属电极层（15），所述GaAs衬底（1）另一侧设置n电极层（21）；所述p-GaP第一窗口层（132）掺杂浓度高于所述p-GaP第二窗口层（133）掺杂浓度；所述p-GaP第一窗口层（132）掺杂浓度不低于1×1018cm-3，所述p-GaP第二窗口层（133）掺杂浓度不高于2×1017cm-3。
2.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第二窗口层（133）做局部粗化处理。
3.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第一窗口层（132）厚度为3000nm。
4.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP第二窗口层（133）厚度为1000nm。
5.如权利要求1所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层（14）厚度为2800±280nm。
6.如权利要求1至5中任一项所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层（14）为铟锡氧化物。
7.一种高亮度ITO薄膜LED芯片制造方法，其特征在于：所述一种高亮度ITO薄膜LED芯片制作方法，包括以下步骤：
第一步：制作LED外延片，在GaAs衬底（1）依次从下往上设置第一外延层（11）、MQW多量子阱有源层（12）和第二外延层（13），所述第一外延层（11）依次从下往上设置外延生长缓冲层（111）、n-AIGaInP限制层（112）；所述第二外延层（13）依次从下往上设置p-AIGaInP限制层（131）、p-GaP第一窗口层（132）和p-GaP第二窗口层（133）。
第二步：对p-GaP第二窗口层（133）进行局部粗化处理：先在p-GaP第二窗口层（133）上制作一层介质膜，通过光刻图形后，采用介质膜腐蚀液腐蚀出介质膜图形，利用介质膜图形做掩膜，采用特殊粗化溶液对局部的p-GaP第二窗口层（133）进行粗化处理，露出p-GaP第一窗口层（132）。
第三步：在露出的p-GaP第一窗口层（132）和p-GaP第二窗口层（133）上采用蒸发镀膜方法蒸镀ITO薄膜层（14）。
第四步：在ITO薄膜层（14）制作金属电极层（15）：采用负胶套刻和蒸镀方式制作图案化的金属电极层（15），金属电极层（15）电极下方的窗口层为未粗化过的p-GaP第二窗口层（133）。
第五步：在GaAs衬底（1）另一侧制作n电极层（21）。
8.如权利要求7所述的一种高亮度ITO薄膜LED芯片制造方法，其特征在于：所述第二步中的特殊粗化溶液主要成分为碘酸、碘、碘化钾、草酸、冰乙酸、硫酸、硝酸、柠檬酸中的其中3种溶液混合而成。