技术总结
本实用新型公开了一种防噪声保护环，包括P衬底、N阱、P阱合P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成PN结。本实用新型的优点和有益效果在于：不仅能够同时抑制和消除衬底噪声连接到地消除；还可将寄生电容的噪声直接连接到地消除，避免寄生电容噪声穿过P衬底到达敏感模块的情况，实现了加强抑制和消除衬底噪声，并且无须增加芯片面积，降低了成本；同时还隔断了敏感模块之间的相互影响，并将寄生电容的噪声直接连接到地消除，实现了加强抑制和消除衬底噪声，避免敏感模块之间相互干扰的效果。
技术研发人员：李露;袁永斌;宫海龙;廖宝斌
受保护的技术使用者：贵州木弓贵芯微电子有限公司
文档号码：201720194893
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2017.09.12