一种整流二极管的制作方法

技术特征：

1.一种整流二极管，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的底电极；

位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的SrTiO₃薄膜；

位于所述SrTiO₃薄膜背离所述底电极一侧表面的多铁薄膜，所述SrTiO₃薄膜与所述多铁薄膜构成PN结。

2.根据权利要求1所述的整流二极管，其特征在于，所述多铁薄膜为Sr(Ti_0.1Fe_0.9)O₃薄膜。

3.根据权利要求1所述的整流二极管，其特征在于，所述衬底为硅衬底。

4.根据权利要求1所述的整流二极管，其特征在于，所述底电极为SrRuO₃电极或LaNiO₃电极或FTO电极或ITO电极或Pt电极。

5.根据权利要求4所述的整流二极管，其特征在于，所述底电极为LaNiO₃电极。

6.根据权利要求1所述的整流二极管，其特征在于，还包括：位于所述多铁薄膜背离所述衬底一侧的顶电极；

所述顶电极为Au电极或Pt电极或Al电极或W电极或ITO电极。

7.根据权利要求6所述的整流二极管，其特征在于，所述顶电极为Au电极。