本实用新型涉及一种半导体设备，尤其涉及一种改善low-k薄膜均一性的装置。
背景技术：
在半导体制造过程中，后段金属互联工艺中，low-k工艺淀积低介电常数薄膜，降低金属间的寄生电容，提高器件的传输速度。
在实际工艺制程中，在使用producer机台的Low-K工艺中，薄膜均一性受反应室结构影响，薄膜在晶圆中生长厚度有固定偏单边情况，该情况并非加热器加热导致。如附图1和2的map图，其中，map图中最外圈部分产生固定方向高点与狭缝阀位置完全匹配。现有的反应室结构在狭缝阀与反应室内部之间空间较大，导致晶圆在工艺过程中受该缺陷影响，生成的薄膜均一性不好。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能优化反应室结构，并使薄膜的生长厚度更为均一的改善low-k薄膜均一性的装置。
本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：
一种改善low-k薄膜均一性的装置，包括反应室和狭缝阀，还包括一狭缝插块，所述狭缝插块设置有：
一圆弧形块，所述圆弧形块与反应室相接面为圆弧形；
一滑动块，所述滑动块与圆弧形块的底面连接，所述滑动块底部设左右两滑槽；
两直线导轨，所述直线导轨与滑槽适配连接；
一步进电机，与所述直线导轨一端连接；
两竖直伸缩杆，所述竖直伸缩杆与所述直线导轨的底端连接。
为了进一步优化上述技术方案，本实用新型所采取的技术措施为：
优选的，所述圆弧形块与滑动块之间滑轨连接。
优选的，所述圆弧形块侧面设置微型电机。
优选的，所述微型电机前端连接螺纹杆，所述螺纹杆连接圆弧形块。
优选的，所述狭缝插块未升起时高度不高于所述狭缝阀下表面高度。
优选的，所述狭缝插块升起时高度与反应室内的晶圆高度一致。
本实用新型采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
本实用新型通过设计优化反应室结构，从而降低了low-k工艺的薄膜均匀性问题，提高了薄膜稳定性。producer机台的工艺腔中主要是狭缝阀到反应室内部空间较大，在工艺过程中，有空间可以使气体进入，同时也有吸热等效应。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中，加入狭缝插块，改善空间结构，使工艺较为平稳。
附图说明
图1为典型Low-k薄膜的THK map示意图；
图2为典型Low-k薄膜的THK map示意图；
图3为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；
图4为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；
图5为本实用新型的一种优选实施例的狭缝插块的结构示意图；
图6为本实用新型的一种优选实施例的反应室的整体结构示意图；
图7为本实用新型的一种优选实施例的狭缝插块的运动示意图；
其中的附图标记为：
1反应室；2狭缝阀；3狭缝插块；31圆弧形块；32滑动块；33滑槽；34直线导轨；35步进电机；36竖直伸缩杆；37滑轨；38微型电机；39螺纹杆。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明。
本实用新型适用于producer机台。
图1为典型Low-k薄膜的THK map示意图；图2为典型Low-k薄膜的THKmap示意图；图3为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图4为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图5为本实用新型的一种优选实施例的狭缝插块的结构示意图；图6为本实用新型的一种优选实施例的反应室的整体结构示意图；图7为本实用新型的一种优选实施例的狭缝插块的运动示意图。
如图5-7所示，本实施例的改善low-k薄膜均一性的装置，包括反应室1和狭缝阀2，还包括一狭缝插块3，所述狭缝插块3设置有：一圆弧形块31，所述圆弧形块31与反应室1相对的面为圆弧形；一滑动块32，所述滑动块32与圆弧形块31的底面连接，所述滑动块32底部设置左右两滑槽33；两直线导轨34，所述直线导轨34与滑槽33适配连接；一步进电机35，与所述直线导轨34一端连接；两竖直伸缩杆36，所述竖直伸缩杆36与所述直线导轨34的底端连接。
本实施例的具体操作流程为：
先将晶圆放入反应室内，关上反应室的出口，所述两个竖直伸缩杆36向上伸展，带动圆弧形块31等向上升，等圆弧形块31升到与晶圆高度一致的时候，竖直伸缩杆36停止运动；此时再启动步进电机35，所述步进电机35与直线导轨34的丝杆连接，步进电机35转动后，丝杆推动滑动块32向前滑动，一直滑动到圆弧形块31与晶圆侧面快接触的位置，将步进电机35停止，然后晶圆开始在反应室中反应，反应完后，步进电机35回转，带动滑动块32向后滑动，并带动圆弧形块31一并向后滑动，当滑动到初始升起位置时，步进电机35停止转动，此时竖直伸缩杆36开始回缩，一直到圆弧形块31降到初始位置，停止竖直伸缩杆36，再将晶圆从反应室中取出。
进一步的，在一种较佳的实施例中，所述圆弧形块31与滑动块32之间滑轨37连接。
更进一步的，在一种较佳的实施例中，所述圆弧形块31侧面设置微型电机38。
再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述微型电机38前端连接螺纹杆39，所述螺纹杆39连接圆弧形块31。
再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述狭缝插块3未升起时高度不高于所述狭缝阀2下表面高度。
再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述狭缝插块3升起时高度与反应室1内的晶圆高度一致。
上述实施例的具体操作流程为：
先将晶圆放入反应室内，关上反应室的出口，所述两个竖直伸缩杆36向上伸展，带动圆弧形块31等向上升，等圆弧形块31升到与晶圆高度一致的时候，竖直伸缩杆36停止运动；此时再启动步进电机35，所述步进电机35与直线导轨34的丝杆连接，步进电机35转动后，丝杆推动滑动块32向前滑动，一直滑动到圆弧形块31与晶圆侧面快接触的位置，将步进电机35停止，开启微型电机38，微调圆弧形块31的左右位置，使其与晶圆的位置最适配，然后晶圆开始在反应室中反应，反应完后，步进电机35回转，带动滑动块32向后滑动，并带动圆弧形块31一并向后滑动，当滑动到初始升起位置时，步进电机35停止转动，此时竖直伸缩杆36开始回缩，一直到圆弧形块31降到初始位置，停止竖直伸缩杆36，再将晶圆从反应室中取出。
综上所述，本实用新型通过设计优化反应室结构，从而降低了low-k工艺的薄膜均匀性问题，提高了薄膜稳定性。producer机台的工艺腔中主要是狭缝阀到反应室内部空间较大，在工艺过程中，有空间可以使气体进入，同时也有吸热等效应。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中，加入狭缝插块，改善空间结构，使工艺较为平稳。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但其只作为范例，本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对该实用进行的等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。