一种降低黑硅花篮印比例的花篮的制作方法

文档序号:15443738发布日期:2018-09-14 23:06阅读:872来源:国知局
本实用新型涉及太阳能光伏
技术领域
,尤其涉及一种降低黑硅花篮印比例的花篮。
背景技术
:黑硅电池指外观是黑色或近于黑色的电池,其独特的微观纳米结构使其具备卓越的减反射性能。关于黑硅的制备,目前有多种方法可以实现,主要包括:反应离子刻蚀(RIE)、金属诱导湿法黑硅(MCCE)、激光加工(LP)、化学气相沉积(CVD)和等离子体浸没离子注入(PIII)等。其中,RIE、MCCE和PIII是目前黑硅太阳电池研究中较为常见的。目前产业化的黑硅技术主要是通过MCCE金属(Ag)诱导湿法黑硅,其过程为:沉积银颗粒在硅片表面,金属粒子与硅接触的地方分别形成了电池的正负极,和周围的溶液形成一个完整的电流回路。反应过程中,H2O2优先氧化金属颗粒下面的硅形成SiO2,然后被HF刻蚀掉。随着金属粒子往下沉积,形成坑洞。在通过HF-HNO3体系,扩开孔洞形成纳米绒面。黑硅制绒采用槽式反应,硅片由花篮装载,在反应过程中不断有气体(H2)产生,这些小气泡容易附着在花篮及卡齿上,这将导致与花篮接触的硅片位置与化学药剂不能充分接触反应而产生花篮印,导致硅片外观降级,产品合格率降低,如何减少花篮印的产生概率是一个迫切需要解决的问题。技术实现要素:本实用新型的目的是提供一种能降低花篮印比例的花篮,通过以下技术方案来实现上述目的:一种降低黑硅花篮印比例的花篮,包括四根对称设置的侧杆,四根所述侧杆的两端共同对称设置有两个支撑板,两个所述支撑板上共同设有压杆,两个所述支撑板上共同对称设置有两根底杆。优选地,每个所述侧杆上均设有第一卡齿。优选地,所述压杆上设有第二卡齿。优选地,每个所述支撑板上均开设有卡槽,且压杆卡设在卡槽上。优选地,每个所述侧杆、底杆和压杆均采用等离子电晕处理,形成多个纳米孔洞。优选地,所述侧杆、底杆、压杆和支撑板均采用聚四氟乙烯制成。本实用新型中,每个侧杆、底杆和压杆均采用等离子电晕处理形成纳米级粗糙表面,减少反应过程中气泡在第一卡齿和第二卡齿上吸附,减小第一卡齿和第二卡齿处与其它部位与化学药液接触概率的差异,从而降低第一卡齿和第二卡齿处与其它部位绒面差异,减少花篮印产生几率,提高产品A级品率。本实用新型结构简单,使用便捷,压杆拆装快捷,同时压杆的设置避免了硅片漂浮,产品A级品率高,值得推广。附图说明图1为本实用新型提出的一种降低黑硅花篮印比例的花篮的结构示意图;图2为本实用新型提出的一种降低黑硅花篮印比例的花篮中纳米孔洞部分结构示意图;图3为常规花篮侧杆结构示意图。图中:1侧杆、11第一卡齿、2底杆、3压杆、4支撑板,41卡槽、5纳米孔洞。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。参照图1-3,一种降低黑硅花篮印比例的花篮,包括四根对称设置的侧杆1,每个所述侧杆1上均设有第一卡齿11,四根所述侧杆1的两端共同对称设置有两个支撑板4,两个所述支撑板4上共同设有压杆3,每个所述支撑板4上均开设有卡槽41,且压杆3卡设在卡槽41上,用于固定压杆3,卡槽41是为了方便使用过程压杆3的拆装,由于硅片在反应过程中表面会吸附大量气泡而有飘浮的风险,压杆3的设置能够避免硅片飘浮,所述压杆3上设有第二卡齿,两个所述支撑板4上共同对称设置有两根底杆2,每个所述侧杆1、底杆2和压杆3均采用等离子电晕处理,且开设有多个纳米孔洞5,所述侧杆1、底杆2、压杆3和支撑板4均采用聚四氟乙烯制成。本实用新型主要是对花篮进行电晕处理,对于未使用电晕处理的花篮做了对比,具体对比内容为花篮印降级比例,对比结果如下表所示:花篮类型花篮印降级比例等离子电晕处理0.36%未处理5.03%表1等离子电晕处理花篮与未处理花篮花篮印降级比例根据表1可知,等离子电晕处理过的花篮,花篮印降级比例较未处理的下降了4.67%,大幅度增加A级品率,降低成本;每个侧杆1、底杆2和压杆3均采用等离子电晕处理形成纳米级粗糙表面,减少反应过程中气泡在第一卡齿11和第二卡齿上吸附,减小第一卡齿11和第二卡齿处与其它部位与化学药液接触概率的差异,从而降低第一卡齿11和第二卡齿处与其它部位绒面差异,减少花篮印产生几率,提高产品A级品率。以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
技术领域
的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。当前第1页1 2 3 
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