技术总结
本实用新型涉及一种高频率大功率沟槽MOS场效应管，其栅极自上而下包含栅电极金属层、绝缘介质层、绝缘栅氧化层、P型掺杂层、N型外延层以及N型衬底；在栅电极金属层下方的绝缘介质层上开有接触孔，栅电极金属层从该接触孔中向下延伸至导电多晶硅顶部，并与导电多晶硅直接相连；所述导电多晶硅淀积于沟槽中，在栅电极金属层下方设有沟槽；相邻所述MOS器件单元之间的P型掺杂层内具有一重掺杂P型深阱部，此重掺杂P型深阱部的上端延伸至绝缘栅氧化层的下表面，所述重掺杂P型深阱部的下端延伸至N型外延层的中部区域；一轻掺杂N弧形区位于P型掺杂层上部且位于沟槽周边。本实用新型使电场曲线趋于平缓，改善漏电流的增加程度，且在器件反向关断时，保护了器件，器件漏电流进一步降低。
技术研发人员：黄彦智;陆佳顺;杨洁雯
受保护的技术使用者：苏州硅能半导体科技股份有限公司
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.11.02