本实用新型涉及质谱仪领域，具体涉及一种再电离的质谱仪。
背景技术：
质谱仪是一种具有分析速度快、灵敏度高和具有分子特异性的科学分析仪器，广泛应用于化学、生物、环境监测、医疗卫生等众多领域。而质谱经过多年的发展，已经可以对大多数物质进行检测。
质谱中的核心是质量分析器。它是依据不同方式将离子源中生成的样品离子按质荷比m/z的大小分开的仪器，位于离子源和检测器之间。在诸多质量分析器中，由于结构简单、性价比高、灵敏度高、质量范围大以及单一的离子阱即可实现多级串联质谱等优势，离子阱质量分析器在物理学、分析化学、医学、环境科学、生命科学等领域中获得了广泛的应用。
离子阱可以存储离子，还可以利用氮气与阱内的离子进行碰撞使离子碎裂得到离子更多的结构信息。这对于待测物质的分子结构的分析和分子气相反应的探究具有很重要的价值。然而，离子阱内无法存储中性粒子，也不能使中性粒子离子化。中性粒子的缺失使得很多分子气相反应的过程都只能停留在猜想中，而无法真正的给出完美无瑕的实证。为了可以使离子阱内的中性粒子离子化，本实用新型利用电子轰击离子源生成电子，并将其射入阱内并与中性粒子碰撞，将其电离，从而实现阱内再电离。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种再电离的质谱仪，离子阱连接有再电离装置，可实现中性粒子在离子阱内的电离。
一种再电离的质谱仪，包括电离源、质谱真空腔、设置所述质谱真空腔内的离子阱，所述的离子阱连接有再电离装置，所述的再电离装置包括：
腔体，腔体的一端与所述离子阱连接；
加速端盖，设置在所述腔体背离所述离子阱的一端；
灯丝，与所述加速端盖绝缘连接；
离子透镜，设置在所述腔体的中部。
本实用新型中，离子阱连接有设置再电离装置，再电离装置将产生电子射入离子阱内，与离子阱内中性粒子碰撞时将其电离，从而实现阱内再电离。
所述的腔体采用聚醚醚酮(PEEK)材质。
所述的再电离装置设置在所述质谱真空腔内。
所述的加速端盖设有中空，该中空设置有绝缘端盖，所述灯丝置放在该绝缘端盖上，从而实现加速端盖和灯丝的绝缘连接。
所述的加速端盖采用不锈钢材质，绝缘端盖采用聚醚醚酮(PEEK)材质。
所述的加速端盖连接有电压源，所述的灯丝也连接有电压源。
所述的灯丝上加有30V电压，加速端盖上加有-120V电压使电子加速射出。
所述的离子透镜为三个，三个离子透镜向离子阱靠近方向依次减小，并且，最靠近离子阱的离子透镜带有离子导向筒，使射出的电子会聚，并顺利射入离子阱。
所述的离子透镜连接有电压源，离子透镜也采用不锈钢材质。
所述腔体上设有电极孔，所述离子透镜通过该电极孔内设置的电极针与所述电压源连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本实用新型，灯丝上加有电压产生电子，在加速端盖的电场作用下使之射出，之后经过离子透镜的会聚作用，再射入离子阱中与阱内中性粒子碰撞时将其电离，从而实现阱内再电离。本实用新型，离子阱连接有设置再电离装置，再电离装置将产生电子射入离子阱内，并与离子阱内中性粒子碰撞，将其电离，形成新的信号离子，为物质结构的分析鉴定提供更确凿的佐证，为化学家探索气象离子反应的反应机理提供可以观测的证据。
附图说明
图1为本实用新型中再电离装置的拆开结构示意图；
图2为本实用新型再电离的质谱仪的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型再电离的质谱仪作进一步详细描述。
如图1、图2所示，一种再电离的质谱仪，包括电离源、质谱真空腔7、设置质谱真空腔7内的离子阱8，离子阱8连接有再电离装置，再电离装置包括：
腔体3，腔体3的一端与离子阱8连接；
加速端盖1，设置在腔体3背离离子阱8的一端；
灯丝2，与加速端盖1绝缘连接；
离子透镜4，设置在腔体3的中部。
腔体3采用聚醚醚酮(PEEK)材质。
再电离装置设置在质谱真空腔7内。
加速端盖1的内部形成中空，该中空设置有绝缘端盖5，该绝缘端盖5上连接灯丝2，从而实现加速端盖1和灯丝2的绝缘连接。
加速端盖1采用不锈钢材质，绝缘端盖5采用聚醚醚酮(PEEK)材质。
加速端盖1连接有电压源，灯丝2也连接有电压源。
灯丝2上加有30V电压，加速端盖1上加有-120V电压使电子加速射出。
离子透镜4为三个，三个离子透镜4向离子阱8靠近方向依次减小，并且，最靠近离子阱8的离子透镜4带有离子导向筒，使射出的电子会聚，并顺利射入离子阱8。
离子透镜4连接有电压源，离子透镜4也采用不锈钢材质。
腔体3上设有电极孔6，离子透镜4通过电极孔6内设置的电极针与电压源连接。
腔体3用螺丝固定在质谱真空腔7内部、离子阱8后方，腔体3、绝缘端盖5由PEEK制成，加速端盖1、离子透镜4由不锈钢制成。
腔体3内部装有离子透镜4，通过腔体3上的电极孔6插入电极针，在离子透镜4上加电压。
本实施例实际运用时，灯丝2上加有电压产生电子，在加速端盖1的电场作用下使之射出，之后经过离子透镜4的会聚作用，再射入离子阱8中与阱内中性粒子碰撞时将其电离，从而实现阱内再电离。
以上所述的具体实施方式对本实用新型的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本实用新型的最优选实施例，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的原则范围内所做的任何修改、补充和等同替换等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。