技术总结
本实用新型提出一种纵向结构双向低电容瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体上具有I/O端口，I/O端口到芯片本体背面有两条支路，两条支路用深槽隔离开，其中一条支路由P+、N‑epi、BN、P‑sub组成，BN与P‑sub形成TVS管，P+与N‑Epi形成普通二极管；另一条支路由P‑sub、N‑epi、N+、P+形成，其中N+/P+形成TVS管，P‑sub、N‑epi形成普通二极管；利用一颗芯片实现双向静电保护，在封装时只需选择一颗芯片进行一次正面打线操作，封装简单，可降低生产成本。
技术研发人员：吴昊;余晓明
受保护的技术使用者：深圳傲威半导体有限公司
技术研发日：2017.12.31
技术公布日：2018.07.17