本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及一种正面金属为银的瞬态电压抑制器。
背景技术：
目前市场上的TVS芯片正面金属一般为铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)，封装时通过打线的方式，将正面金属和封装体引脚连接。正面金属铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)存在以下不足之处：
1、芯片与引脚间的串联电阻高；
2、打线容易造成芯片内部损伤；
3、连接不牢固，容易造成接触不良；
4、寄生电容大。
因此，有必要对这种进行结构优化，以克服上述缺陷。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，以保证接触良好，降低寄生电容。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。
正面钛镍银中银的厚度大于3μm。
附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。
本实用新型的优点在于：
该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。
附图说明
图1是本实用新型提出的瞬态电压抑制器的结构示意图；
图2是该瞬态电压抑制器的制作工艺流程图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本实用新型。
如图1所示，本实用新型提出的正面金属为银的瞬态电压抑制器包括芯片本体1，芯片本体的正面金属层2采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层3采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层4，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板5，背面金属层表面通过压焊连接背面极板6。
该瞬态电压抑制器的制作工艺与一般设计的区别在于，接触孔刻蚀之前的工艺步骤一致，接触孔刻蚀后的工艺步骤有所不同，如图2，接触孔刻蚀后的工艺步骤如下：
1、清洗，去除硅表面的氧化层等；
2、AlSiCu溅射，金属总厚度一般4μm左右；
3、AlSiCu光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
4、AlSiCu刻蚀，采用湿法腐蚀；
5、去除光刻胶，采用湿法去除晶圆表面的光刻胶；
6、金属合金，温度保持400℃，持续时间30min；
7、钝化淀积，采用USG+SI3N4；
8、钝化层光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
9、钝化刻蚀，采用干法刻蚀；
10、去除光刻胶，采用湿法去胶；
11、清洗，去除硅表面的氧化层等；
12、TiNiAg蒸发，厚度分别为Ti Ni Ag
13、TiNiAg光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
14、NiAg腐蚀，采用湿法腐蚀，Ag的腐蚀速率快，Ni的腐蚀速率慢，需适当控制；
15、Ti腐蚀，采用湿法腐蚀；
16、去除光刻胶，湿法去除晶圆表面的光刻。
需要注意：
1、正面TiNiAg的Ag的厚度要足够厚，大于3μm为佳；
2、TiNiAg腐蚀工艺要求，在设计时要控制好最终需刻蚀掉的TiNiAg下方区域的台阶，要足够少，最好不要有台阶；
3、TiNiAg腐蚀后，留有TiNiAg的区域需覆盖住孤立焊盘；
4、封装时选用压焊代替打线。
以上实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让本领域的技术人员了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。