用于三维存储器阵列的热绝缘的制作方法

文档序号:16052177发布日期:2018-11-24 11:22阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换,所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温,从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应,存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。

技术研发人员:P·凡蒂尼
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2017.03.17
技术公布日:2018.11.23
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