技术特征：
技术总结
成像装置(2000，2100，2200)包括光敏介质(2004，2204)和像素电路阵列(302)，该像素电路阵列(302)以规则网格布置在半导体基板(2002)上并限定装置的相应像素(2006，2106)。像素电极(2012，2112，2212)分别连接到阵列中的像素电路，并且被耦合以从光敏介质的相应区域到像素电路读出光电荷。阵列的外围区域中的像素电极相对于规则网格在远离阵列中心的相应方向上在空间上偏移。
技术研发人员：E·汉尼尔特;N·科利
受保护的技术使用者：因维萨热技术公司
技术研发日：2017.10.19
技术公布日：2019.06.07