1.一种布置在像素内部的固态成像元件：
电荷累积单元，其累积由光电转换单元光电转换的电荷；
复位晶体管，其选择性地将复位电压施加到所述电荷累积单元；
放大晶体管，其具有电连接到所述电荷累积单元的栅电极；以及
选择晶体管，其串联连接到所述放大晶体管，
所述固态成像元件包括：
第一布线，其电连接所述电荷累积单元和所述放大晶体管的所述栅电极；
第二布线，其电连接到所述放大晶体管和所述选择晶体管的公共连接节点并沿所述第一布线形成；以及
第三布线，其电连接所述放大晶体管和所述选择晶体管。
2.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中，当所述电荷累积单元累积空穴时，所述复位电压处于GND电平。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中，当所述电荷累积单元累积电子时，所述复位电压是电源电压或具有比所述电源电压高的电压值的升压电压。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中所述第一布线和所述第二布线在不同的布线层中平行地形成。
5.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中所述第一布线和所述第二布线在相同布线层中平行地形成。
6.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线中的任一个的布线包括与其它布线的材料不同的布线材料。
7.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中所述光电转换单元包括有机光电转换膜。
8.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中至少两个光电转换区域在光入射方向上堆叠在其上形成像素的半导体基板中。
9.根据权利要求1所述的固态成像元件，
其中所述像素具有背照式像素结构。
10.一种电子设备，包括布置在像素内部的固态成像元件：
电荷累积单元，其累积由光电转换单元光电转换的电荷；
复位晶体管，其选择性地将复位电压施加到电荷累积单元；
放大晶体管，其具有电连接到所述电荷累积单元的栅电极；以及
选择晶体管，其串联连接到所述放大晶体管，
所述固态成像元件包括：
第一布线，其电连接所述电荷累积单元和所述放大晶体管的所述栅电极；
第二布线，其电连接到所述放大晶体管和所述选择晶体管的公共连接节点并沿所述第一布线形成；以及
第三布线，其电连接所述放大晶体管和所述选择晶体管。