技术特征：
技术总结
本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
技术研发人员：孙钱;冯美鑫;高宏伟;周宇;杨辉
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2018.02.11
技术公布日：2018.07.27