一种硅片的成膜加工方法与流程

文档序号:15452331发布日期:2018-09-15 00:16阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种硅片的成膜加工方法,包括如下步骤:1)装片:将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部,进行升温;2)预沉积:待步骤1)升温完成后,通入适量氨气,开启功率,对硅片进行预处理;3)沉积:待步骤2)完成后,通入不同比例的氨气和硅烷,对硅片进行沉积,使之沉积成墨色膜层,集中度在90%以上。本发明由常规蓝色的电池硅片在不增加任何设备和辅件的情况下,通过氨气和硅烷比例大小来调节折射率,利用脉冲大小对沉积速率的影响使膜色可控,生产加工出新型墨色电池硅片,用以提升市场竞争力。

技术研发人员:倪梦廉;陈志运;田小江;李晴;张华
受保护的技术使用者:张家港国龙光伏科技有限公司
技术研发日:2018.03.15
技术公布日:2018.09.14
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