技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体光电领域。在生长有源层时，将其分为第一子层、第二子层及第三子层进行生长。第一子层中GaN垒层的生长温度与InGaN阱层采用同一温度进行生长以避免InGaN阱层中In组分在高温下的分解流失，保证InGaN阱层中具有足够的富In区域，进而保证在InGaN阱层中进行复合的电子数量。同时，第二子层与第三子层中GaN垒层的生长温度在第一子层中GaN垒层的生长温度的基础上逐渐升高可在保证InGaN阱层中In组分含量的同时提高有源层的整体质量，进一步地，在包括有H2的混合气体条件下进行有源层中GaN垒层的生长，避免其在低温生长的条件下产生过多的晶体缺陷，最终得到质量提高且富In区域较多的有源层，提高发光二极管的发光效率。
技术研发人员：从颖;姚振;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.05.28
技术公布日：2018.11.02