技术特征：
技术总结
本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs‑锑烯异质结太阳电池及其制备方法。所述GaAs‑锑烯异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、锑烯层、顶电极。本发明通过在GaAs片上通过分子束外延方式直接生长二维原子晶体材料锑烯，制备的太阳电池具有GaAs/锑烯异质结，锑烯层与GaAs之间形成良好的带隙匹配，实现太阳能电池高的光电转换效率。
技术研发人员：张曙光;温雷
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.05.30
技术公布日：2018.11.13