技术特征：
技术总结
本发明涉及芯片领域，提供了一种隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法。该隐藏式导电栅线结构芯片包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极，外延层、Gap过渡层和Gap高掺杂层依次从下至上生长于衬底，导电层是经生长于Gap高掺杂层上的AuBe层从Gap高掺杂层的表面从上至下熔合扩散至Gap过渡层形成，导电层与电极接触。其通过在Gap高掺杂层的表面蒸镀薄层AuBe层进行高温熔合使得Au和Be大量扩散至下层GaP过渡层，使得表面变得粗糙且表面无金属遮挡，有利于提升出光率和表面导电性。该制备方法简单，容易实现，设备按照常规要求即可实现，获得的隐藏式导电栅线结构芯片的出光效率高。
技术研发人员：曹广亮;贾钊;赵炆兼;郭冠军;马祥柱
受保护的技术使用者：扬州乾照光电有限公司
技术研发日：2018.06.26
技术公布日：2018.11.23