本发明属于半导体照明技术领域。更具体地,涉及一种具有倒装smd的led封装结构。
背景技术:
现有技术中,随着科技的发展,led产品被逐渐推广开来。led产品的优点在于:绿色环保、耗电量小、发光率高、寿命长、免维护、安全可靠、响应启动快且色彩丰富。
随着产业的不断发展,led由最初的dip直插结构转向smd贴片结构,smd结构的led具有重量轻、个体更小、自动化安装、发光角度大、颜色均匀,光衰慢且易于保存等优点,越来越受欢迎。相比正装smd,倒装smd具有更高的电流冲击及功率表现,可靠性方面规避了断线风险,生产上缩短了工艺流程,是一种良好的封装形式。目前,市面上所用的倒装smd封装,支架底部多为平面结构,锡膏回流后厚度无法控制,并且会出现芯片偏移及高度不均的现象,进而导致焊锡空洞率过大,二次回流芯片存在剥离风险。
技术实现要素:
为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种具有倒装smd的led封装结构。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种具有倒装smd的led封装结构,包括内部底面具有多个凸台的smd支架、架设在所述凸台上的csp,以及位于所述smd支架底面和csp底面之间的且用于连接smd支架和csp的锡膏。
优选地,所述led封装结构还包括填充在所述csp周围和所述smd支架之间的反射材料;所述反射材料为透明硅胶或高反射白胶。
优选地,所述smd支架是横截面为矩形的呈碗杯结构的smd支架;smd支架的底面设有凸台,所述csp架设在所述凸台上。
优选地,所述凸台和所述smd支架的底面之间形成凹槽,所述锡膏设置在所述凹槽内且用于对所述csp和smd支架实现焊接。
优选地,所述csp的结构为五面出光型的csp或单面出光的csp。
优选地,所述smd支架所用材料包含但不限于铜、银、镍、pct、ppa和emc。
优选地,所述smd支架中的凸台和smd支架的底面是一体成型的,凸台包含但不限于塑胶材料和金属材料。
本发明的有益效果如下:
本发明使用带有凸台的smd支架,将锡膏点在支架的凹槽内,将csp架在凸台上,通过回流焊实现csp和smd支架的连接。此结构控制了锡膏厚度,限制了csp位移,降低了空洞率和二次回流后csp脱落的风险。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出了本发明一种实施方式中led封装结构的结构示意图。
图2示出了本发明另一种实施方式中led封装结构的结构示意图。
图3示出了本发明另一种实施方式中led封装结构的俯视图。。
其中,1、凸台,2、csp,3、反射材料,4、smd支架,5、锡膏。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
一种具有倒装smd的led封装结构,包括内部底面具有多个凸台1的smd支架4、架设在凸台1上的csp2,以及位于smd支架4底面和csp2底面之间的且用于连接smd支架4和csp2的锡膏5。
在本发明的一个实施方式中,如图1所示,一种具有倒装smd的led封装结构,包括内部底面具有四个凸台1的横截面为矩形的且呈碗杯结构的smd支架4、架设在四个凸台1上的具有五面出光型的csp2,位于smd支架4内部凹槽的且用于连接csp2和smd支架4的锡膏,以及填充在csp2周围和smd支架4之间的反射材料3,该反射材料3为反射透明硅胶。
在本实施方式中,四个凸台1分别位于smd支架4底面的四个角上。
在本实施方式中,锡膏5设置在所述csp2的底面和smd支架4的底面之间且用于对所述csp2和smd支架4实现回流焊。
在本实施方式中,smd支架4所用材料包含但不限于铜、银、镍、pct、ppa和emc。
在本实施方式中,smd支架4中的凸台1和smd支架4的底面是一体成型的;凸台可以是塑胶材料的凸台。
在本发明的另一个实施方式中,如图2和图3所示,一种具有倒装smd的led封装结构,包括内部底面具有四个凸台1的横截面为矩形的且呈碗杯结构的smd支架4、架设在四个凸台1上的具有单面出光的csp2,位于smd支架4内部凹槽的且用于连接csp2和smd支架4的锡膏5,以及填充在csp2周围和smd支架4之间的反射材料3,该反射材料3为高反射白胶。
在本实施方式中,四个凸台1分别位于smd支架4底面的四个角上。
在本实施方式中,锡膏5设置在所述csp2的底面和smd支架4的底面之间且用于对所述csp2和smd支架4实现回流焊。
在本实施方式中,smd支架4所用材料包含但不限于铜、银、镍、pct、ppa和emc。
在本实施方式中,smd支架4中的凸台1和smd支架4的底面是一体成型的。凸台1可以是金属材料的凸台。
采用本发明的封装结构可以解决现有技术中的如下技术问题:(1)点锡膏量难以控制,回流后锡膏厚度不均;(2)芯片偏移及高度不均,进而导致焊锡空洞率过大,二次回流芯片存在剥离风险。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。