发光模块的制作方法与流程

本发明涉及一种制作方法，特别是涉及一种发光模块的制作方法。

背景技术：

目前，发光二极管(light-emittingdiode，led)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管作为发光元件的显示装置具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关资讯的显示。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光模块的制作方法。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光模块的制作方法，其包括：将一半导体结构放置在一第一承载基板的一第一粘着层上，其中，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上且彼此分离的发光晶片，且多个所述发光晶片被贴附在所述第一粘着层上；使用一第一光源照射每一个所述发光晶片与所述基底层之间的一接触面；通过所述第一光源的照射，以将所述基底层从所述半导体结构上移除，其中，多个所述发光晶片被所述第一承载基板所承载，且每一个所述发光晶片的背部被所述第一粘着层所裸露；将承载有多个所述发光晶片的所述第一承载基板放置在一第二承载基板的一第二粘着层上，其中，多个所述发光晶片被贴附在所述第二粘着层上，且每一个所述发光晶片的背部被所述第二粘着层所覆盖；使用一第二光源照射每一个所述发光晶片与所述第一粘着层之间的一接触面；通过所述第二光源的照射，以将所述第一承载基板从每一个所述发光晶片上分离，其中，每一个所述发光晶片的至少两个焊垫被裸露在所述第一粘着层的外部；使用一第三光源照射每一个所述发光晶片与所述第二粘着层之间的一接触面；通过所述第三光源的照射，以将每一个所述发光晶片从所述第二承载基板上分离；将每一个所述发光晶片设置在一电路基板上，其中，每一个所述发光晶片的至少两个所述焊垫分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；以及，使用一第四光源照射所述锡球，以使得每一个所述发光晶片的至少两个所述焊垫稳固地连接于相对应的两个所述锡球。

更进一步地，所述第一光源与所述第四光源都是ir激光光源，所述第二光源与所述第三光源为相同光源或者相异光源，所述第二光源与所述第三光源为uv激光光源或者ir激光光源，且所述第一粘着层与所述第二粘着层都是uv胶。

更进一步地，在将所述基底层从所述半导体结构上移除的步骤后，还进一步包括：利用酸性溶液以移除残留在每一个所述发光晶片的背部上的镓物质，且移除所述第一粘着层的一部分而裸露出每一个所述发光晶片的背部。

更进一步地，所述电路基板具有多个排列成一预定形状的微凹槽，多个所述发光晶片分别设置在多个所述微凹槽内，且多个所述发光晶片分别对应多个所述微凹槽。

更进一步地，所述第一光源穿过所述基底层而投射到每一个所述发光晶片与所述基底层之间的所述接触面，以将每一个所述发光晶片与所述基底层彼此分离，其中，所述第二光源穿过所述第一承载基板而投射到每一个所述发光晶片与所述第一粘着层之间的所述接触面，以将所述第一承载基板的所述第一粘着层从每一个所述发光晶片上分离，其中，所述第三光源穿过所述第二承载基板而投射到每一个所述发光晶片与所述第二粘着层之间的所述接触面，以将每一个所述发光晶片从所述第二承载基板的所述第二粘着层上分离，其中，所述第四光源穿过每一个所述发光晶片或者所述电路基板而投射到所述锡球，以使得所述锡球稳固地连接于所述焊垫与所述电路基板之间。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光模块的制作方法，其包括：将一半导体结构放置在一第一承载基板的一第一粘着层上，其中，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上且彼此分离的发光晶片，且多个所述发光晶片被贴附在所述第一粘着层上；通过一第一光源的照射，以将所述基底层从所述半导体结构上移除，其中，多个所述发光晶片被所述第一承载基板所承载，且每一个所述发光晶片的背部被所述第一粘着层所裸露；将承载有多个所述发光晶片的所述第一承载基板放置在一第二承载基板的一第二粘着层上，其中，多个所述发光晶片被贴附在所述第二粘着层上，且每一个所述发光晶片的背部被所述第二粘着层所覆盖；通过一第二光源的照射，以将所述第一承载基板从每一个所述发光晶片上分离，其中，每一个所述发光晶片的至少两个焊垫被裸露在所述第一粘着层的外部；通过一第三光源的照射，以将每一个所述发光晶片从所述第二承载基板上分离；将每一个所述发光晶片设置在一电路基板上，其中，每一个所述发光晶片的至少两个所述焊垫分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；以及，使用一第四光源照射所述锡球，以使得每一个所述发光晶片的至少两个所述焊垫稳固地连接于相对应的两个所述锡球。

更进一步地，在将所述基底层从所述半导体结构上移除的步骤后，还进一步包括：利用酸性溶液以移除残留在每一个所述发光晶片的背部上的镓物质，其中，所述电路基板具有多个排列成一预定形状的微凹槽，多个所述发光晶片分别设置在多个所述微凹槽内，且多个所述发光晶片分别对应多个所述微凹槽。

更进一步地，所述第一光源穿过所述基底层而投射到每一个所述发光晶片与所述基底层之间的所述接触面，以将每一个所述发光晶片与所述基底层彼此分离，其中，所述第二光源穿过所述第一承载基板而投射到每一个所述发光晶片与所述第一粘着层之间的所述接触面，以将所述第一承载基板的所述第一粘着层从每一个所述发光晶片上分离，其中，所述第三光源穿过所述第二承载基板而投射到每一个所述发光晶片与所述第二粘着层之间的所述接触面，以将每一个所述发光晶片从所述第二承载基板的所述第二粘着层上分离，其中，所述第四光源穿过每一个所述发光晶片或者所述电路基板而投射到所述锡球，以使得所述锡球稳固地连接于所述焊垫与所述电路基板之间。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种发光模块的制作方法，其包括：将一半导体结构贴附在一第一承载基板上，其中，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光晶片；将所述基底层从所述半导体结构上移除，其中，多个所述发光晶片被所述第一承载基板所承载；将承载有多个所述发光晶片的所述第一承载基板贴附在一第二承载基板上；将所述第一承载基板从每一个所述发光晶片上分离，其中，每一个所述发光晶片的至少两个焊垫被裸露在外；以及，将所述发光晶片电性连接于一电路基板，其中，在将所述发光晶片电性连接于所述电路基板的步骤中，还进一步包括步骤(a)或者步骤(b)。步骤(a)包括：将所述发光晶片从所述第二承载基板上分离，然后将所述发光晶片设置在所述电路基板上。步骤(b)包括：将所述发光晶片设置在所述电路基板上，然后将所述发光晶片从所述第二承载基板上分离。

更进一步地，在将所述基底层从所述半导体结构上移除的步骤后，还进一步包括：利用酸性溶液以移除残留在每一个所述发光晶片的背部上的镓物质，其中，所述电路基板具有多个排列成一预定形状的微凹槽，且所述发光晶片设置在相对应的所述微凹槽内。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光模块的制作方法，其能通过“将一半导体结构贴附或者放置在一第一承载基板上”、“将所述基底层从所述半导体结构上移除”、“将承载有多个所述发光晶片的所述第一承载基板贴附或者放置在一第二承载基板上”、“将所述第一承载基板从每一个所述发光晶片上分离”以及“将所述发光晶片电性连接于一电路基板”的技术方案，以完成所述发光模块的制作。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的流程图。

图2为本发明第一实施例的半导体结构放置在第一承载基板的第一粘着层之前的侧视示意图。

图3为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s100的侧视示意图。

图4为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s102的侧视示意图。

图5为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s104的侧视示意图。

图6为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s105的侧视示意图。

图7为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s106与s108的侧视示意图。

图8为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s110的侧视示意图。

图9为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s112与s114的侧视示意图。

图10为本发明第一实施例的发光模块的制作方法的步骤s116与s118的侧视示意图。

图11为本发明第二实施例的发光模块的制作方法的流程图。

图12为本发明第三实施例的发光模块的制作方法的流程图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光模组模块的制作方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的技术范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或信号等，但这些元件或信号不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，如本文中所使用，术语“或”视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的所有组合。

第一实施例

请参阅图1至图10所示，本发明第一实施例提供一种发光模块m的制作方法，其包括下列步骤：

首先，结合图1、图2以及图3所示，将一半导体结构s放置在一第一承载基板1的一第一粘着层10上，其中，半导体结构s包括一基底层s10以及多个设置在基底层s10上且彼此分离的发光晶片s11，并且多个发光晶片s11被贴附在第一粘着层10上(步骤s100)。也就是说，当半导体结构s被放置在第一承载基板1的第一粘着层10上后，多个发光晶片s11会嵌入第一粘着层10内。举例来说，基底层s10可为一蓝宝石(sapphire)基底层、一硅(silicon)基底层或者任何材料的基底层，并且发光晶片s11可为氮化镓(gan)发光二极管晶片或者是任何种类的半导体发光晶片，然而本发明不以上述所举的例子为限。

接着，结合图1与图4所示，使用一第一光源l1照射每一个发光晶片s11与基底层s10之间的一接触面(步骤s102)。举例来说，第一光源l1可以依序照射每一个发光晶片s11与基底层s10之间的接触面，也可以是以较大照射面积的方式同时照射多个发光晶片s11与基底层s10之间的接触面，然而本发明不以此举例为限。

然后，结合图1、图4以及图5所示，通过第一光源l1的照射，以将基底层s10从半导体结构s上移除，其中，多个发光晶片s11被第一承载基板1所承载，并且每一个发光晶片s11的背部被第一粘着层10所裸露(步骤s104)。更进一步来说，如图4所示，第一光源l1会穿过基底层s10而投射到每一个发光晶片s11与基底层s10之间的接触面，借此以将每一个发光晶片s11与基底层s10彼此分离。也就是说，基底层s10可以通过第一光源l1的照射，而降低基底层s10与发光晶片s11之间的接合强度，借此能够让基底层s10易于从多个发光晶片s11上移除。

值得注意的是，结合图1、图5以及图6所示，在将基底层s10从半导体结构s上移除的步骤s104后，还进一步包括：利用酸性溶液以移除残留在每一个发光晶片s11的背部上的镓物质ga，并且移除第一粘着层10的一部分而裸露出每一个发光晶片s11的外围表面s1100的一部分(步骤s105)。举例来说，酸性溶液可为盐酸(hcl)、硫酸(h2so4)、硝酸(hno3)、醋酸(ch3cooh)溶液等。然而，步骤s105可为一非必要步骤。也就是说，步骤s105可依据不同的情况而省略或者保留。

接下来，结合图1与图7所示，将承载有多个发光晶片s11的第一承载基板1放置在一第二承载基板2的一第二粘着层20上，其中，多个发光晶片s11被贴附在第二粘着层20上，并且每一个发光晶片s11的背部被第二粘着层20所覆盖(步骤s106)。也就是说，当承载有多个发光晶片s11的第一承载基板1被放置在第二承载基板2的第二粘着层20上后，每一个发光晶片s11的一部分会被嵌入第二粘着层20内。

紧接着，结合图1与图7所示，使用一第二光源l2照射每一个发光晶片s11与第二粘着层20之间的一接触面(步骤s108)。举例来说，第二光源l2可以依序照射每一个发光晶片s11与第二粘着层20之间的接触面，也可以是以较大照射面积的方式同时照射多个发光晶片s11与第二粘着层20之间的接触面，然而本发明不以此举例为限。

然后，结合图1、图7以及图8所示，通过第二光源l2的照射，以将第一承载基板1从每一个发光晶片s11上分离，其中，每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110被裸露在第二粘着层20的外部(步骤s110)。更进一步来说，如图7所示，第二光源l2会穿过第一承载基板1而投射到每一个发光晶片s11与第一粘着层10之间的接触面，借此以将第一承载基板1的第一粘着层10从每一个发光晶片s11上分离。也就是说，第一承载基板1的第一粘着层10可以通过第二光源l2的照射，而降低第一粘着层10与发光晶片s11之间的接合强度，借此能够让第一承载基板1的第一粘着层10易于从多个发光晶片s11上移除。

接下来，结合图1与图9所示，使用一第三光源l3照射每一个发光晶片s11与第二粘着层20之间的一接触面(步骤s112)，然后通过第三光源l3的照射，以将每一个发光晶片s11从第二承载基板2上分离(步骤s114)。更进一步来说，如图9所示，第三光源l3会穿过第二承载基板2而投射到每一个发光晶片s11与第二粘着层20之间的接触面，借此以将每一个发光晶片s11从第二承载基板2的第二粘着层20上分离。也就是说，第二承载基板2的第二粘着层20可以通过第三光源l3的照射，而降低第二粘着层20与发光晶片s11之间的接合强度，借此能够让多个发光晶片s11易于从第二粘着层20上移除。

紧接着，结合图1与图9所示，将每一个发光晶片s11设置在一电路基板c上，其中，每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110分别通过两个锡球b以电性连接于电路基板c(步骤s116)。举例来说，电路基板c可为一薄膜电晶体(thin-filmtransistor，tft)基板或者任何种类的承载基板。然而，本发明不以上述所举的例子为限。

最后，结合图1与图10所示，使用一第四光源l4照射锡球b，以使得每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110稳固地连接于相对应的两个锡球b(步骤s118)，借此以完成发光模块m的制作。更进一步来说，如图10所示，第四光源l4会穿过每一个发光晶片s11或者电路基板c而投射到锡球b，借此以使得锡球b能稳固地连接于焊垫s110与电路基板c之间。举例来说，发光模块m可被应用于照明装置或者发光二极管显示装置，然而本发明不以上述所举的例子为限。

举例来说，第一光源l1与第四光源l4都可以是ir激光光源或者是其它光源，例如任何的可见光源或者不可见光源。另外，第二光源l2与第三光源l3可为相同光源或者相异光源，并且第二光源l2与第三光源l3可为uv激光光源或者ir激光光源，或者是其它光源，例如任何的可见光源或者不可见光源。此外，第二粘着层20与第二粘着层20都是uv胶或者其它种类的光学粘着胶。然而，本发明不以上述所举的例子为限。

举例来说，如图9或者图10所示，电路基板c具有多个排列成一预定形状的微凹槽c10，并且多个发光晶片s11分别设置在多个微凹槽c10内。值得注意的是，在步骤s112之前，可利用影像撷取装置(例如相机)先将承载有多个发光晶片s11的第二承载基板2与电路基板c彼此进行对位(如图9所示)，以使得多个发光晶片s11的位置(例如第一对位图案)会分别对应到电路基板c的多个微凹槽c10的位置(例如第二对位图案)。借此，能够让多个发光晶片s11准确地分别设置多个微凹槽c10内。然而，本发明不以上述所举的例子为限。

举例来说，如图9所示，第三光源l3也可以只照射其中一个发光晶片s11与第二粘着层20之间的一接触面，以将其中一个发光晶片s11从第二承载基板2上分离，而不是将全部的发光晶片s11从第二承载基板2上分离。也就是说，当有特别的需求时，例如需要对损坏的发光晶片进行修补时，可通过第三光源l3的照射而只将一个预先选定的发光晶片s11从第二承载基板2上分离，以对损坏的发光晶片进行修补。

第二实施例

请参阅图11所示，本发明第二实施例提供一种发光模块m的制作方法，并且第二实施例可结合图2至图10为例子来作辅助说明，但本发明并不以此举例为限。

第二实施例的发光模块m的制作方法包括下列步骤：首先，如图2与图3所示，将一半导体结构s放置在一第一承载基板1的一第一粘着层10上，其中，半导体结构s包括一基底层s10以及多个设置在基底层s10上且彼此分离的发光晶片s11，并且多个发光晶片s11被贴附在第一粘着层10上(步骤s200)；接着，如图4与图5所示，通过一第一光源l1的照射，以将基底层s10从半导体结构s上移除，其中，多个发光晶片s11被第一承载基板1所承载，并且每一个发光晶片s11的背部被第一粘着层10所裸露(步骤s202)；然后，如图6与图7所示，将承载有多个发光晶片s11的第一承载基板1放置在一第二承载基板2的一第二粘着层20上，其中，多个发光晶片s11被贴附在第二粘着层20上，并且每一个发光晶片s11的背部被第二粘着层20所覆盖(步骤s204)；接下来，如图7与图8所示，通过一第二光源l2的照射，以将第一承载基板1从每一个发光晶片s11上分离，其中，每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110被裸露在第二粘着层20的外部(步骤s206)；紧接着，如图9所示，通过一第三光源l3的照射，以将每一个发光晶片s11从第二承载基板2上分离(步骤s208)；然后，如图9所示，将每一个发光晶片s11设置在一电路基板c上，其中，每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110分别通过两个锡球b以电性连接于电路基板c(步骤s210)；最后，如图10所示，使用一第四光源l4照射锡球b，以使得每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110稳固地连接于相对应的两个锡球b(步骤s212)，借此以完成发光模块m的制作。

第三实施例

请参阅图12所示，本发明第三实施例提供一种发光模块m的制作方法，并且第三实施例可结合图2至图10为例子来作辅助说明，但本发明并不以此举例为限。

第三实施例的发光模块m的制作方法包括下列步骤：首先，如图2与图3所示，将一半导体结构s贴附在一第一承载基板1上，其中，半导体结构s包括一基底层s10以及多个设置在基底层s10上的发光晶片s11(步骤s300)；接着，如图4与图5所示，将基底层s10从半导体结构s上移除，其中，多个发光晶片s11被第一承载基板1所承载(步骤s302)；然后，如图6与图7所示，将承载有多个发光晶片s11的第一承载基板1贴附在一第二承载基板2上(步骤s304)；紧接着，如图7与图8所示，将第一承载基板1从每一个发光晶片s11上分离，其中，每一个发光晶片s11的至少两个焊垫s110被裸露在外(步骤s306)；将发光晶片s11电性连接于一电路基板c(步骤s308)，借此以完成发光模块m的制作。

更进一步来说，在将发光晶片s11电性连接于电路基板c的步骤中，还进一步包括步骤(a)或者步骤(b)。其中，步骤(a)包括：将发光晶片s11从第二承载基板2上分离(步骤s3081)，然后将发光晶片s11设置在电路基板c上(步骤s3082)。其中，步骤(b)包括：将发光晶片s11设置在电路基板c上(步骤s3083)，然后将发光晶片s11从第二承载基板2上分离(步骤s3084)。也就是说，依据不同的需求，发光晶片s11可以先从第二承载基板2上分离后再设置在电路基板c上，或者是发光晶片s11可以先被设置在电路基板c上后再从第二承载基板2上分离。

实施例的有益效果

本发明的有益效果在于，本发明所提供的一种发光模块m的制作方法，其能通过“将一半导体结构s贴附或者放置在一第一承载基板1上”、“将基底层s10从半导体结构s上移除”、“将承载有多个发光晶片s11的第一承载基板1贴附或者放置在一第二承载基板2上”、“将第一承载基板1从每一个发光晶片d11上分离”以及“将发光晶片s11电性连接于一电路基板c”的技术方案，以完成发光模块m的制作。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。