显示设备及其制造方法与流程

本发明是有关于一种显示设备及其制造方法，且特别是有关于一种发光二极管显示设备及其制造方法。

背景技术：

发光二极管具有能量转换效率高、反应时间短、使用寿命长等优点。因此，近年来发光二极管成为兼具省电与环保特点的主要照明光源。再者，由于发光二极管制作尺寸上的突破，一种直接将发光二极管置于画素结构中的微发光二极管显示器(microleddisplay)的技术逐渐出现在市场上。

将发光二极管由晶圆上转置到数组基板上的方法可包括图章转置(stampimprinting)或静电转置(electrostaticimprinting)。一般而言，需要进行多次转置步骤方可在所有的画素(次画素)中设置发光二极管。目前的转置制程包括使每一转置步骤的转置区均比前一次转置步骤的转置区沿列方向或行方向位移一偏移量。基于转置装置/制程所造成的误差，目前的方法难以固定上述的偏移量。如此一来，可能造成显示设备具有沿着列方向及/或行方向延伸的长条形的色度不均(colormura)或亮度不均(luminancemura)的缺陷。

技术实现要素：

本发明提供一种显示设备及其制造方法，可避免产生沿着列方向及/或行方向延伸的长条型色彩/亮度不均的缺陷。

本发明实施例的显示设备的制造方法包括下列步骤：提供数组基板，其中该数组基板包括多个次像素区，每一次像素区包括第一组件区与第二组件区；进行第一转置制程，藉由第一载体将n个第一发光组件分别放置于数组基板的n个次像素区中的第一组件区；进行第二转置制程，藉由第二载体将x个第二发光组件分别放置于数组基板的x个次像素区中的第二组件区；以及进行第三转置制程，藉由第三载体将y个第二发光组件分别放置于该数组基板的y个次像素区中的第二组件区。x个次像素区与y个次像素区不重叠，且n个次像素区分别与x个次像素区以及y个次像素区部分重叠。

在一些实施例中，第二载体与第三载体可具有不同的形状及/或面积。

在一些实施例中，第二载体与第三载体的形状与面积可彼此相同，但可分别承载不同数量的第二发光组件。

在一些实施例中，第一载体、第二载体与第三载体可分别为高分子图章或静电吸盘。

在一些实施例中，第一发光组件与第二发光组件的发光频谱可实质上彼此相同。

在一些实施例中，上述的显示设备的制造方法更可包括：进行第四转置制程，藉由第四载体将z个第二发光组件分别放置于数组基板的z个次像素区中的第二组件区。x个次像素区、y个次像素区与z个次像素区不重叠，且n个次像素区与z个次像素区部分重叠。

在一些实施例中，第一发光组件与第二发光组件的发光频谱可彼此不同。

本发明实施例的显示设备包括数组基板、多个第一发光组件以及多个第二发光组件。数组基板包括多个次像素区。该些次像素区沿第一方向与第二方向数组排列，且每一次像素区包括沿第一方向排列的第一组件区与第二组件区。多个第一发光组件分别设置于次像素区中的第一组件区。多个第二发光组件分别设置于次像素区中的第二组件区。于沿第一方向排列的次像素区中，次像素区中任一者的相邻的第一发光组件与第二发光组件彼此之间具有在第二方向上的第一偏移量。此外，在沿第一方向排列的次像素区中，第一偏移量具有至少三种的值。

在一些实施例中，在沿第一方向排列的次像素区中，至少有两个次像素区的第一发光组件与第二发光元之间可具有相同的第一偏移量。

在一些实施例中，第一偏移量的绝对值可大于0um且小于或等于3μm。

在一些实施例中，在沿第二方向排列的次像素区中，任两相邻的次像素区中相邻的第一发光组件彼此之间可具有在第一方向上的第二偏移量，且在沿第二方向排列的次像素区中的第二偏移量可具有三种以上的值。

在一些实施例中，在沿第二方向排列的次像素区中，至少可有两者的第二偏移量相同。

在一些实施例中，第二偏移量的绝对值可大于0μm且小于或等于3μm。

在一些实施例中，第一发光组件与第二发光组件可为具有实质相同发光频谱的发光二极管。

在一些实施例中，第一发光组件与第二发光组件可为具有不同发光频谱的发光二极管。

在一些实施例中，第一发光组件与第二发光组件的长/宽可为5μm至30μm。

基于上述，相较于以每一转置步骤的转置区均比前一次转置步骤的转置区沿列方向或行方向位移一偏移量的方式将多个发光组件放置于数组基板上，本发明实施例使第一转置制程的转置区部分重叠于后续进行的第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区，且使第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区彼此不重叠。换言之，本发明实施例的第一转置制程至第三转置制程(或第一转置制程至第四转置制程)的转置区并非沿列方向或行方向依序位移。如此一来，在沿着列方向或行方向排列的多个次像素区中，次像素区中的第一发光组件与第二发光组件在列方向或行方向上的偏移量可具有两种以上或三种以上的值。因此，在有限且较大乱度的偏移量变化下，本发明实施例的显示设备可消除显示设备中色度不均或亮度不均的缺陷的方向性，亦即可避免产生沿着列方向及/或行方向延伸的长条形色度不均或亮度不均的缺陷。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1是依照本发明一些实施例的显示设备的制造方法的流程图。

图2a与图2b是依照本发明一些实施例的显示设备的制造方法的转置制程中不同阶段的俯视示意图。

图3a与图3b是依照本发明另一些实施例的显示设备的制造方法的第一转置制程与第二转置制程的转置区的俯视示意图。

其中，附图标记

10、20：显示设备

100：数组基板

d1：第一方向

d2：第二方向

dr1：第一组件区

dr2：第二组件区

f1、f2、f3、f4、f5、f6：偏移量

l：长度

ld1：第一发光组件

ld2、ld3、ld4：第二发光组件

p：像素区

s100、s102、s104、s106、s108：步骤

sp：次像素区

tr1、tr1a：第一转置区

tr2、tr2a：第二转置区

tr3：第三转置区

tr4：第四转置区

w：宽度

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。

图1是依照本发明一些实施例的显示设备10的制造方法的流程图。图2a与图2b是依照本发明一些实施例的显示设备10的制造方法的转置制程中不同阶段的俯视示意图。本发明实施例的显示设备10的制造方法包括下列步骤。

请参照图1与图2a，进行步骤s100，提供数组基板100。数组基板100的材料可包括玻璃、石英、有机聚合物、不透光/反射材料(例如是导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则可在数组基板100上覆盖一层绝缘层，以避免短路的问题。数组基板100包括多个像素区p。多个像素区p沿着第一方向d1与第二方向d2数组排列。每一像素区p包括多个次像素区sp(例如是3个次像素区sp)。在一些实施例中，每一像素区p内的多个次像素区sp可沿着第二方向d2排列。然而，本领域技术人员可依据设计需求调整每一像素区p内的次像素区sp的数量以及排列方式，本发明并不以此为限。每一次像素区sp包括第一组件区dr1与第二组件区dr2。在一些实施例中，每一次像素区sp内的第一组件区dr1与第二组件区dr2可沿着第一方向d1排列。在后续的步骤中，可分别将一或多个发光组件设置于第一组件区dr1与第二组件区dr2中。此外，每一次像素区sp更可包括像素驱动组件(省略绘示)，以驱动每一次像素区sp中的发光组件。

进行步骤s102，进行第一转置制程，以将源自于第一晶圆(未绘示)的n个发光组件藉由第一载体(未绘示)转置至数组基板100的第一转置区tr1中。在一些实施例中，n个发光组件可直接由第一晶圆(未绘示)上转置到数组基板100上。在其他实施例中，n个发光组件可由第一晶圆上转置于另一暂时基板(未绘示)上，之后再藉由第一转置制程而转置到数组基板100上。在一些实施例中，可藉由磊晶成长(epitaxialgrowth)的方式将多个发光组件形成于第一晶圆上。本文所述的晶圆意指半导体晶圆或任何形成有电子组件的基板。形成于第一晶圆上的多个发光组件具有实质上相同的发光频谱。每一发光组件可为发光二极管，例如是微发光二极管(microled)。在一些实施例中，发光组件的尺寸(亦即长或宽)可为5μm至30μm。发光组件可藉由例如是图章转置(stampimprinting)、静电转置(electrostaticimprinting)或其他转置方法将多个发光组件中的第一集合放置至数组基板100上。多个发光组件的第一集合包括n个发光组件，且在此称为n个第一发光组件ld1。n个第一发光组件ld1经放置于第一转置区tr1内。n个第一发光组件ld1可被放置于第一转置区tr1内具有相同发光频谱的n个次像素区sp内，以使第一转置区tr1内相邻的第一发光组件ld1之间具有实质上相同的间隔。在一些实施例中，n个第一发光组件ld1可被放置于上述第一转置区tr1中的n个次像素区sp的第一组件区dr1中。

在一些实施例中，第一转置区tr1在第一方向d1上的长度l可为0.5cm至15cm。第一转置区tr1在第二方向d2上的宽度w可为0.5cm至15cm。此外，第一转置区tr1的轮廓可为矩形。然而，本领域技术人员可依据制程需求调整第一转置区tr1的尺寸与轮廓，本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一转置区tr1的面积可实质上等于第一载体的面积。此外，第一转置区tr1的轮廓也可实质上与第一载体的轮廓重叠。如此一来，第一载体所承载的n个第一发光组件ld1的分布范围可实质上重叠于第一载体的轮廓。在其他实施例中，第一转置区tr1的面积可小于第一载体的面积，故第一载体所承载的n个第一发光组件ld1的分布范围可位于第一载体的轮廓的内侧。

请参照图1与图2b，进行步骤s104，进行第二转置制程，以将源自于第一晶圆的x个发光组件经由第二载体(未绘示)转置至数组基板100的第二转置区tr2中。第二转置制程相似于第一转置制程，惟第二转置制程是将多个发光组件的第二集合经由第二载体而放置至数组基板100的第二转置区tr2中。多个发光组件的第二集合包括x个发光组件，且在此称为x个第二发光组件ld2。多个发光组件的第一集合与第二集合不具有交集，亦即x个第二发光组件ld2不等同于n个第一发光组件ld1，但彼此具有实质上相同的发光频谱。在一些实施例中，第二转置区tr2的面积可实质上等于第二载体的面积。此外，第二转置区tr2的轮廓也可实质上与第二载体的轮廓重叠。如此一来，第二载体所承载的x个第二发光组件ld2的分布范围可实质上重叠于第二载体的轮廓。在其他实施例中，第二转置区tr2的面积可小于第二载体的面积，故第二载体所承载的x个第二发光组件ld2的分布范围可位于第二载体的轮廓的内侧。另一方面，相似于第一载体，第二载体亦可为高分子图章或静电吸盘。

x个第二发光组件ld2可被放置于上述第二转置区tr2中的x个次像素区sp的第二组件区dr2中。第一转置区tr1与第二转置区tr2部分重叠。换言之，第一转置区tr1内可具有第二转置区tr2的边界，且反之亦然。此外，第一转置区tr1内的n个次像素区sp与第二转置区tr2内的x个次像素区部分重叠。在一些实施例中，第一转置区tr1的轮廓及/或面积可相异于第二转置区tr2的轮廓及/或面积。在一些实施例中，第一转置区tr1与第二转置区tr2的重叠区域可涵盖具有相同发光频谱的至少两个次像素区sp。在第一转置区tr1与第二转置区tr2的重叠区域内，第一发光组件ld1与第二发光组件ld2分别被放置于具有相同发光频谱的同一组次像素区sp的第一组件区dr1与第二组件区dr2中。在第一转置区tr1与第二转置区tr2的重叠区域内，同一组次像素sp中的每一者的第一发光组件ld1与第二发光组件ld2在第一方向d1上可具有偏移量f1，且在第二方向d2上可具有偏移量f2。在一些实施例中，偏移量f1和偏移量f2可分别大于0μm且小于或等于3μm。

在其他实施例中，进行第二转置制程的方法也可包括将源自于第二晶圆(未绘示)的x个发光组件藉由第二载体而转置至数组基板100的第二转置区tr2中。在一些实施例中，可藉由磊晶成长的方式将多个发光组件形成于第二晶圆上。形成于第二晶圆上的多个发光组件相似于形成在第一晶圆上的发光组件，惟发光频谱彼此不同。举例而言，形成于第二晶圆上的发光组件可为红光发光二极管，而形成于第一晶圆上的发光组件可为蓝光二极管、绿光二极管、紫外光二极管、黄光二极管或白光二极管。在第二晶圆上形成多个发光组件之后，可将第二晶圆上的多个发光组件中的一子集合直接地转置至数组基板100上，或间接地经由另一暂时基板(未绘示)转置至数组基板100上。多个发光组件的所述子集合包括x个发光组件，且在此称为x个第二发光组件ld2。由此可知，在此些实施例中，x个第二发光组件ld2的发光频谱相异于n个第一发光组件ld1的发光频谱。此外，在第一转置区tr1与第二转置区tr2的重叠区域内，子像素区sp可具有发光频率彼此不同的至少两个发光组件。

进行步骤s106，进行第三转置制程，以将源自于第一晶圆的y个发光组件经由第三载体(未绘示)转置至数组基板100的第三转置区tr3中。第三转置制程相似于第一转置制程，惟第三转置制程是将源自于第一晶圆的多个发光组件的第三集合经由第三载体而放置于数组基板100的第三转置区tr3中。多个发光组件的第三集合包括y个发光组件，且在此称为y个第二发光组件ld3。多个发光组件的第一集合与第三集合不具有交集，亦即y个第二发光组件ld3不等同于n个第一发光组件ld1，但彼此具有实质上相同的发光频谱。在一些实施例中，第三转置区tr3的面积可实质上等于第三载体的面积。此外，第三转置区tr3的轮廓也可实质上与第三载体的轮廓重叠。如此一来，第三载体所承载的y个第二发光组件ld3的分布范围可实质上重叠于第三载体的轮廓。在其他实施例中，第三转置区tr3的面积可小于第三载体的面积，故第三载体所承载的y个第二发光组件ld3的分布范围可位于第三载体的轮廓的内侧。另一方面，相似于第二载体，第三载体亦可为高分子图章或静电吸盘。在一些实施例中，第二载体与第三载体具有不同的形状及/或面积。在其他实施例中，第二载体与第三载体的形状与面积相同，但分别转置不同数量的发光组件。

y个第二发光组件ld3可被放置于第三转置区tr3内具有相同发光频谱的y个次像素区sp的第二组件区dr2中。第一转置区tr1与第三转置区tr3部分重叠，且第二转置区tr2不与第三转置区tr3重叠。换言之，第一转置区tr1内可具有第三转置区tr3的边界，且反之亦然。此外，第二转置区tr2内不具有第三转置区tr3的边界，且第三转置区tr3内不具有第二转置区tr2的边界。由此可知，第一转置区tr1内的n个次像素区sp与第三转置区tr3内的y个次像素区部分重叠。此外，第二转置区tr2内的x个次像素区与第三转置区tr3内的y个次像素区不重叠。在一些实施例中，第一转置区tr1的轮廓及/或面积可相异于第三转置区tr3的轮廓及/或面积。在一些实施例中，第一转置区tr1与第三转置区tr3的重叠区域可涵盖具有相同发光频谱的至少两个次像素区sp。在第一转置区tr1与第三转置区tr3的重叠区域内，第一发光组件ld1与第二发光组件ld3分别被放置于具有相同发光频谱的同一组次像素区sp的第一组件区dr1与第二组件区dr2中。在第一转置区tr1与第三转置区tr3的重叠区域内，同一组次像素sp中的每一者的第一发光组件ld1与第二发光组件ld2在第一方向d1与第二方向d2上可分别具有偏移量f3与偏移量f4。在一些实施例中，偏移量f3和偏移量f4可分别大于0μm且小于或等于3μm。

在其他实施例中，进行第三转置制程的方法也可包括将源自于第三晶圆(未绘示)的y个发光组件藉由第三载体而转置至数组基板100的第三转置区tr3中。在一些实施例中，可藉由磊晶成长的方式将多个发光组件形成于第三晶圆上。形成于第三晶圆上的多个发光组件相似于形成在第一晶圆上的发光组件，惟发光频谱彼此相异。此外，形成于第三晶圆上的发光组件的发光频谱可与形成于第二晶圆上的发光组件的发光频谱实质上相同或彼此相异。在第三晶圆上形成多个发光组件之后，可将第三晶圆上的多个发光组件中的一子集合直接放置至数组基板100上，或先转置于另一暂时基板(未绘示)上，接着再藉由第三转置制程而放置于数组基板100的第三转置区tr3中。第三晶圆上的多个发光组件的所述子集合包括y个发光组件，且在此称为y个第二发光组件ld3。由此可知，在此些实施例中，y个第二发光组件ld3的发光频谱相异于n个第一发光组件ld1的发光频谱。此外，在第一转置区tr1与第三转置区tr3的重叠区域内的子像素区sp可具有发光频率彼此不同的至少两个发光组件。

在一些实施例中，更可进行步骤s108，进行第四转置制程。第四转置制程相似于步骤s106中的第三转置制程，此处仅描述两者的差异处，相同或相似处则不再赘述。在第四转置制程中，将源自于第一晶圆(或源自于另一第四晶圆)的z个发光组件经由第四载体(未绘示)转置至数组基板100的第四转置区tr4中。第一晶圆的多个发光组件的第四集合(或第四晶圆的多个发光组件的一子集合)包括z个发光组件，且在此称为z个第二发光组件ld4。第一晶圆的多个发光组件的第一集合与第四集合不具有交集，亦即z个第二发光组件ld4不等同于n个第一发光组件ld1，但彼此可具有实质上相同的发光频谱。在一些实施例中，源自于第四晶圆的z个第二发光组件ld4的发光频谱相异于n个第一发光组件ld1的发光频谱。在一些实施例中，第二载体、第三载体与第四载体具有不同的形状及/或面积。在其他实施例中，第二载体、第三载体与第四载体中的任两者的形状与面积相同，但承载不同数量的发光组件。

z个第二发光组件ld4可被放置于第四转置区tr4内具有相同发光频谱的z个次像素区sp的第二组件区dr2中。第一转置区tr1与第四转置区tr4部分重叠，且第四转置区tr4不与第二转置区tr2及第三转置区tr3重叠。换言之，第一转置区tr1内可具有第四转置区tr4的边界，且反之亦然。此外，第二转置区tr2与第三转置区tr3内不具有第四转置区tr4的边界，且第四转置区tr4内不具有第二转置区tr2及第三转置区tr3的边界。由此可知，第一转置区tr1内的n个次像素区sp与第四转置区tr4内的z个次像素区sp部分重叠。此外，第二转置区tr2内的x个次像素区sp、第三转置区tr3内的y个次像素区sp以及第四转置区tr4内的z个次像素区sp不重叠。在一些实施例中，第一转置区tr1的轮廓及/或面积可相异于第四转置区tr4的轮廓及/或面积。在一些实施例中，第一转置区tr1与第四转置区tr4的重叠区域可涵盖具有相同发光频谱的至少两个次像素区sp。在第一转置区tr1与第四转置区tr4的重叠区域内，第一发光组件ld1与第二发光组件ld4分别被放置于具有相同发光频谱的同一组次像素区sp的第一组件区dr1与第二组件区dr2中。在第一转置区tr1与第三转置区tr3的重叠区域内，同一组次像素sp中的每一者的第一发光组件ld1与第二发光组件ld4在第一方向d1上可具有偏移量f5，且在第二方向d2上可具有偏移量f6。在一些实施例中，偏移量f5和偏移量f6可分别大于0μm且小于或等于3μm。

本领域技术人员更可依据制程需求进行相似于第二转置制程、第三转置制程与第四转置制程的其他转置制程，以使数组基板中相邻的第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3或第二发光组件ld4)之间的偏移量具有更多不同的值。另外，在一些实施例中，可重复进行步骤s102至步骤s108，以使数组基板100的每一组具有相同发光频谱的次像素区sp的第一组件区dr1与第二组件区dr2皆分别放置有第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3或第二发光组件ld4)。在一些实施例中，多个第一转置区tr1可彼此不重叠，且多个第一转置区tr1的形状可彼此相同或不同。此外，多个第一转置区tr1的面积以及所含有的第一发光组件ld1的数量可彼此相同或相异。在另一些实施例中，相邻的第一转置区tr1可部分重叠。在此些实施例中，在彼此部分重叠的相邻次像素区sp的第一发光组件ld1之间可具有在第一方向d1及/或第二方向d2上的次像素间偏移量(未绘示)。此外，在沿第一方向d1或第二方向d2排列的次像素sp中的次像素间偏移量可具有至少三种以上的值。在一些实施例中，相邻的第一转置区tr1的重叠区域可涵盖至少两个次像素区sp。如此一来，在沿第二方向d2排列的次像素中至少可有两者的次像素间偏移量相同。举例而言，在第一方向d1和第二方向d2上各自的次像素间偏移量的绝对值可大于0μm且小于或等于3μm。

至此，已完成本发明实施例的显示设备10的制造。在理想的情况下，每一次像素区sp内的第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3或第二发光组件ld4)在第二方向d2上的偏移量实质上应为零，且在第一方向d1上的偏移量应彼此相同。然而，基于转置装置/制程所造成的误差，上述在第二方向d2上的偏移量有可能不为零，且上述在第一方向d1上的偏移量有可能彼此相异。相较于以每一转置步骤的转置区均比前一次转置步骤的转置区沿列方向(第二方向d2)或行方向(第一方向d1)位移一偏移量的方式将多个发光组件放置于数组基板上，本发明实施例使第一转置制程的转置区部分重叠于后续进行的第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区，且使第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区彼此不重叠。换言之，本发明实施例的第一转置制程至第三转置制程(或第一转置制程至第四转置制程)的转置区并非沿列方向(第二方向d2)或行方向(第一方向d1)依序位移。如此一来，在第一转置区tr1的范围内，次像素区sp中的第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3或第二发光组件ld4)在列方向(第二方向d2)或行方向(第一方向d1)上的偏移量可具有两种以上或三种以上的值。因此，在有限且较大乱度的偏移量变化下，本发明实施例的显示设备10可消除色度不均(colormura)或亮度不均(luminancemura)等缺陷的方向性，亦即可避免产生沿着列方向(第二方向d2)及/或行方向(第一方向d1)延伸的长条形色度不均或亮度不均的缺陷。

接下来，将参照图2b说明本发明实施例的显示设备10的结构。

请参照图2b，本发明实施例的显示设备10包括数组基板100。数组基板100包括多个次像素区sp。多个次像素区sp沿第一方向d1与第二方向d2数组排列。多个次像素区sp的每一者包括沿第一方向d1排列的第一组件区dr1与第二组件区dr2。显示设备10更包括多个第一发光组件ld1与多个第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)。多个第一发光组件ld1分别设置于多个次像素区sp的多个第一组件区dr1。多个第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)分别设置于多个次像素区sp中的多个第二组件区dr2。在沿着第一方向d1排列的多个次像素区sp中，任一次像素区sp的相邻的第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)之间具有在第二方向d2上的第一偏移量。此外，在沿第一方向d1排列的多个次像素区中，上述的第一偏移量具有至少三种的值(例如是偏移量f2、偏移量f4以及偏移量f6)。在一些实施例中，在第一转置区tr1的区域内(例如是面积范围为0.0025cm²至225cm²)，上述的第一偏移量具有至少三种的值(例如是偏移量f2、偏移量f4以及偏移量f6)。

在一些实施例中，在沿第一方向d1排列的次像素区sp中，至少两个次像素区sp的第一发光组件ld1与第二发光组件(亦即第二发光组件ld2、第二发光组件ld3或第二发光组件ld4)之间具有相同的第一偏移量。在一些实施例中，上述第一偏移量的绝对值大于0μm且小于或等于3μm。在一些实施例中，在沿着第二方向d2排列的多个次像素区sp中，任两相邻的次像素区sp的相邻的第一发光组件ld1之间具有在第一方向d1上的第二偏移量(亦即次像素间偏移量)。此外，在沿第二方向d2排列的多个次像素区中，上述的第二偏移量具有至少三种的值。在一些实施例中，沿第二方向d2排列的至少两个次像素区sp的上述第二偏移量彼此相同。在一些实施例中，上述第二偏移量的绝对值大于0μm且小于或等于3μm。在一些实施例中，第一发光组件ld1与第二发光组件(第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)为具有实质上相同的发光频谱的发光二极管。在一些实施例中，第一发光组件ld1与第二发光组件(第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)为具有不同的发光频谱的发光二极管。在一些实施例中，第一发光组件ld1与第二发光组件(第二发光组件ld2、第二发光组件ld3以及第二发光组件ld4)的长/宽分别为5μm至30μm。

图3a与图3b是依照本发明另一些实施例的显示设备20的制造方法的第一转置制程与第二转置制程的转置区的俯视示意图。显示设备20的制造方法相似于图2a及图2b所示的显示设备10的制造方法，以下仅描述两者的差异处，相同或相似处则不再赘述。

请参照图3a，进行第一转置制程，以将源自于第一晶圆上的n个发光组件藉由第一载体转置至数组基板100的第一转置区tr1a中。以简洁起见，图3a仅绘示数组基板100与第一转置区tr1a。在一些实施例中，可进行多次第一转置制程，以使多个第一转置区tr1a的分布范围涵盖整个数组基板100。在本实施例中，多个第一转置区tr1a的形状可彼此相异，且分别为非矩形的任意多边形。如此一来，多个第一转置区tr1a的边界的延伸方向可彼此交错。因此，可进一步消除相邻第一转置区tr1a之间可能产生的沿列方向(第二方向d2)或行方向(第一方向d1)延伸的长条形的色度不均或亮度不均的缺陷。

请参照图3b，进行第二转置制程，将源自于第一晶圆(或第二晶圆)上的x个发光组件经由第二载体(未绘示)转置至数组基板100的第二转置区tr2a中。在一些实施例中，可进行多次第二转置制程，以使多个第二转置区tr2a的分布范围涵盖整个数组基板100。第二转置区tr2a与第一转置区tr1a部分重叠，且多个第二转置区tr2a彼此不重叠。换言之，每一第一转置区tr1a内可具有至少一第二转置区tr2的边界，或每一第二转置区tr2a内可具有至少一第一转置区tr1a的边界。相似于第一转置区tr1a，多个第二转置区tr2a的形状可彼此相异，且分别为非矩形的任意多边形。如此一来，多个第二转置区tr2a的边界的延伸方向可彼此交错。因此，可进一步消除相邻第二转置区tr2a之间可能产生的沿列方向(第二方向d2)或行方向(第一方向d1)延伸的长条形的色度不均或亮度不均的缺陷。在一些实施例中，第二转置区tr2的边界的延伸方向可与第一转置区tr1的边界的延伸方向交错。因此，可更进一步地消除色度不均或亮度不均的缺陷的方向性，亦即可提高显示设备20的色度均匀性与亮度均匀性。

综上所述，相较于以每一转置步骤的转置区均比前一次转置步骤的转置区沿列方向或行方向位移一偏移量的方式将多个发光组件放置于数组基板上，本发明实施例使第一转置制程的转置区部分重叠于后续进行的第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区，且使第二转置制程至第三转置制程(或第二转置制程至第四转置制程)的转置区彼此不重叠。换言之，本发明实施例的第一转置制程至第三转置制程(或第一转置制程至第四转置制程)的转置区并非沿列方向或行方向依序位移。如此一来，在沿着列方向或行方向排列的多个次像素区中，次像素区中的第一发光组件与第二发光组件在列方向或行方向上的偏移量可具有两种以上或三种以上的值。因此，本发明实施例的显示设备可消除显示设备中色度不均或亮度不均的缺陷的方向性，亦即可避免产生沿着列方向及/或行方向延伸的长条形色度不均或亮度不均的缺陷。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。