技术特征：
技术总结
本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
技术研发人员：陈芳;王光绪;刘军林;李树强;吴小明;杨梦琳;郭醒;江风益
受保护的技术使用者：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
技术研发日：2018.10.23
技术公布日：2019.02.22