晶片吸盘的制作方法

本发明实施例涉及一种晶片吸盘。

背景技术：

较大的晶片可容纳更多的芯片且可降低每一芯片的成本。因此，现今在半导体制造工艺中普遍使用具有较大的尺寸的晶片。尽管可使用具有较大的尺寸(例如300毫米(mm)或甚至更大)的晶片来降低制造成本，然而较大的晶片会引入先前在较小的晶片中所未考虑到的新问题。一个关键问题是对于300mm或更大的晶片，晶片翘曲(waferwarpage)变得更为严重。

晶片翘曲造成许多非期望的制造缺陷。举例来说，晶片上的旋涂层(spun-onlayer)在中心处所具有的厚度可能大于在外边缘处所具有的厚度。在刻蚀工艺(etchingprocess)中，从晶片中心到边缘出现临界尺寸(criticaldimension，cd)均匀性的问题至少部份是源自于对晶片翘曲的不完美吸附(chucking)。此外，在光刻工艺(photolithographicprocess)中，光刻胶(photoresist，pr)层从晶片中心到外边缘的厚度均匀性是关键。在曝光期间，由晶片翘曲所引发的焦点漂移(focusdrift)对于临界尺寸均匀性来说可能会造成毁灭性的影响。

技术实现要素：

本发明实施例是针对一种晶片吸盘，其可提升对晶片的吸附稳定性与均匀性。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片，其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％且小于或等于90％。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述密封环环绕所述真空孔。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述至少一个真空孔，所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述多个开口间隙彼此对齐以在所述多个密封环之间界定出至少一个气流通道。

根据本发明的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体、多个密封环以及边缘环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述真空孔。所述边缘环环绕所述吸盘本体的边缘，其中所述边缘环的顶表面高于所述多个密封环中的每一者的顶表面。所述真空器件耦合到所述吸盘本体且与所述真空孔气体连通。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。

图2示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

图3示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。

图4到图13示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

图14示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的局部透视图。

图15示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。

[符号的说明]

100、100’、100”：晶片吸盘

110：吸盘本体

112：承载表面

114、114a、114b：真空孔

116：真空管线

120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、120i、120j、120k：密封环

122、122a、122b、122d、122e：开口间隙

130：真空器件

132：气体阀门

140：转动机构

150：边缘环

152：定位部分

154：邻接部分

160：锁固组件

170：轴杆

200：晶片

aw：气流通道

d1、d2：直径

h1、h1：高度

r1：周边边缘

w1：宽度

θ：顶角

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

另外，为易于说明，本文中可能使用例如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用语来阐述图中所示的一个或多个相似的或不同的元件或特征，且所述用语可依据呈现次序或说明的上下文来互换使用。

图1示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。图2示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。在一些实施例中，晶片吸盘被配置成支撑晶片且将所述晶片保持在固定位置，以在半导体晶片加工(processing)工艺中均匀地加工所述晶片。举例来说，参照图1，在一些实施例中，晶片吸盘100包括吸盘本体110、与吸盘本体110啮合的多个密封环120及耦合到吸盘本体110的真空器件130。在一些实施例中，密封环120的宽度可彼此不同。吸盘本体110包括承载表面112及设置在承载表面112上的至少一个真空孔114，承载表面112被配置成承载晶片200。

在一些实施例中，晶片吸盘100被配置成在晶片制作工艺中的晶片200加工过程中支承并定位晶片200，例如为在化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)装置的加工室中用于在半导体晶片上形成薄膜、在干法刻蚀(dryetching)装置中用于对晶片进行微机(micromachining)工艺、在液晶显示器制作工艺中用于支承(holding)玻璃基板(晶片)、在半导体封装工艺中用于支承载体(carrier)或其他类似用途。在一些实施例中，承载表面112为圆形，所述圆形具有比晶片200的直径d2小的直径d1以防止承载表面112上的例如密封环120等突出部分延伸超出晶片200的周边边缘r1，且防止所述突出部分暴露于刻蚀反应产物(etchingreactionproduct)。此外，在承载表面112不延伸超出周边边缘r1的配置下，还能够对晶片200的周边边缘r1执行背侧清洗工艺(backsiderinseprocess)以清洗掉晶片200的背表面上的不需要的化学物质及/或颗粒。在一些实施例中，周边边缘r1的宽度为约20毫米(mm)。在一些实施例中，用于执行背侧清洗工艺的清洗平台的直径可为约290mm，且晶片200的直径d2可大于或大体上等于300mm。因此，承载表面112的直径d1对晶片200的直径d2的比率被设计成大体上大于或等于45％且大体上小于或等于90％，进而可使由晶片吸盘100所提供的真空力及支撑力更平均地分布。这样一来，当施加真空时，由于晶片200与晶片吸盘100之间的接触面积增大，因此晶片200的翘曲轮廓可很好地得到调整。举例来说，在一些实施例中，承载表面112的直径d1被设计成大体上大于130mm(例如大体上等于或小于260mm)以为了背侧清洗而维持净空区(clearance)(例如，周边边缘r1)，且可防止晶片吸盘100暴露于例如刻蚀反应产物等化学物质。举例来说，承载表面112的直径d1约可介于140mm到260mm之间。在本实施例中，承载表面112的直径d1大体上为260mm。

在一些实施例中，真空器件130耦合到吸盘本体110且与真空孔114气体连通。举例来说，真空器件130可为真空泵，且可被配置成对晶片200的背侧施加真空以对晶片200限位。在一些实施例中，密封环120设置在承载表面112上且被配置成在实体(physically)上接触晶片200。密封环120环绕真空孔114。在一些实作方案中，密封环120突出于承载表面112。因此，当晶片200放置在承载表面112上时，密封环120的尖端与晶片200的背表面实体接触以使得晶片200能够承放在所述尖端上，并当施加真空时在吸盘本体110与晶片200的背侧之间形成密封。参照图2中所示实施例，密封环120以同心(concentric)的方式配置且在吸盘本体110的中心处环绕单一真空孔114，但本发明不限制真空孔114的数目及密封环120的配置。

在一些实施例中，密封环120中的每一者的高度h1大体上高于真空孔114中的每一者的高度。因此，当真空器件130通过真空孔114施加真空时，晶片200将承靠密封环120且在吸盘本体110与晶片200之间创造出真空条件。

在一些实施例中，吸盘本体110由轴杆(shaft)170所支撑。晶片吸盘100还可包括转动机构(rotationalmechanism)140，转动机构140被配置成沿着垂直于承载表面112而延伸的轴杆170的轴线来转动/旋转吸盘本体110及轴杆170。轴杆170可耦合到例如主轴马达(spindlemotor)等转动机构140。因此，吸盘本体110及轴杆170是通过转动机构140进行旋转。在一些实施例中，轴杆170是中空的，由此允许例如空气等气体穿过真空孔114，以通过真空器件130在吸盘本体110与晶片200之间创造真空条件。在一些实施例中，晶片吸盘还包括气体阀门132，气体阀门132设置在轴杆170内以控制真空器件130的真空性能(例如，开与关、强或弱等)。真空器件130的用途是对晶片200提供牢固配置(securingarrangement)于吸盘本体110上。在一些实施例中，晶片200的期望大小可大于或大体上等于300mm，且吸盘本体110的承载表面112的直径d1大体上大于130mm，例如大体上等于或小于260mm。在本实施例中，承载表面112的直径d1大体上为260mm。在一些实施例中，密封环120的宽度w1介于约6mm到约10mm之间，且真空孔114的直径为约13mm到16mm。举例来说，真空孔114的直径可为约14.7mm。

利用此种配置，通过增大承载表面112的直径d1，晶片200与晶片吸盘100之间的接触面积由此增大。因此，当真空器件130施加真空时，由于来自晶片吸盘100的真空力及支撑力可更平均地分布，因此晶片200的翘曲轮廓可很好地得到调整。由此，形成在晶片200上的涂层(coating)的涂布均匀性可提高。另外，通过将密封环120中的每一者的宽度w1与承载表面112的直径d2一起增大，密封环120的密封效果由此增强。因此，晶片吸盘100能够处理具有较大的尺寸且翘曲更显著的晶片200。此外，通过在承载表面112不延伸超出周边边缘r1的同时增大承载表面112的直径d1，不仅可提高形成在晶片200上的涂层的涂布均匀性，而且可防止晶片吸盘100暴露于化学物质。

图3示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。应注意的是，图3中所示晶片吸盘100’含有许多与之前参照图1及图2所公开的晶片吸盘100相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述图3中所示晶片吸盘100’与晶片吸盘100之间的主要差异。

参照图3，在一些实施例中，晶片吸盘100’可包括一定数目的真空孔114。在一些实施例中，多个真空孔114通过多条真空管线116或通道连接到真空器件130，所述多条真空管线116或通道沿轴杆170的轴线布线且在例如轴杆170的中心处会聚。应注意的是，通过任何给定(given)真空孔(例如，真空孔114)所形成的真空在吸盘本体110与晶片200之间的空间中是不均匀的，而其压力是在紧接所述给定真空孔的区域内为最低且随着相对于所述给定真空孔的距离而增大。

因此，在本实施例中，使用分布在吸盘本体110上的不同位置处的多个真空孔114会降低吸盘本体110与晶片200之间出现局部低压区的情况，原因是所述多个真空孔114可共同分担在每一真空孔114处运作所产生的压力而实现均匀真空压力。换句话说，通过更多数目的真空孔114的运作，可在吸盘本体110与晶片200之间实现均匀真空压力。因此，使用多个真空孔114可在吸盘本体110与晶片200之间形成低压真空，而不会形成为了要将此种大的晶片200贴附到吸盘本体110所需的高度真空而造成的局部低压区。应理解的是，由真空孔114中的每一者所产生的真空可依据晶片200在给定旋转涂布配方(spincoatingrecipe)中的最大旋转速度而变化。

应理解的是，在不同实施例中，真空孔114的形状可在不实质上降低在吸盘本体110与晶片200之间形成的真空的均匀性的情况下有所变化。举例来说，在本实施例中，真空孔114包括圆形真空孔。在其他实施例中，真空孔114可包括三角形真空孔、正方形真空孔及/或多边形真空孔。在一些实施例中，真空孔114中的一者的形状可不同于真空孔114中的另一者的形状。

图4到图6示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。应注意的是，就真空孔114及密封环120在承载表面112上的排列方式来说，存在多个不同的实施例。图4到图6中所示晶片吸盘的俯视图仅用于举例说明。排列方式的实施例并不仅限于此。图4到图6中所示晶片吸盘含有许多与之前参照图1到图3所公开的晶片吸盘相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述主要差异。

参照图4，在一些实施例中，密封环120以同心的方式排列。因此，密封环120的直径从吸盘本体110的中心到吸盘本体110的边缘逐渐增大。在一些实施例中，晶片吸盘100还包括边缘环150。边缘环150环绕吸盘本体110的边缘。这样一来，真空孔114某种程度上平均地分布在任意两个相邻的密封环120之间及/或彼此相邻的密封环120与边缘环之间。

在一些实施例中，密封环120中的每一者环绕真空孔114中的至少一者。举例来说，参照图5，密封环120a中的每一者环绕真空孔114中的每一者，且密封环120b与环绕位于承载表面112的中心处的真空孔114的密封环120a以同心的方式排列。在一个实施例中，密封环120b的直径大体上大于密封环120a中的每一者的直径。

参照图6，在一些实施例中，密封环120d环绕吸盘本体110的中心区以界定吸盘本体110的所述中心区及吸盘本体110的周边区。这样一来，真空孔114中的一些真空孔114a设置在吸盘本体110的中心区内且其他真空孔114b设置在吸盘本体110的周边区内。在一些实施例中，晶片吸盘100还包括边缘环150。边缘环150环绕吸盘本体110的边缘。这样一来，真空孔114a可被密封环120密封且真空孔114b可被彼此相邻的密封环120d与边缘环150密封。在一种实作方案中，设置在吸盘本体110的中心区内的真空孔114a分别被密封环120c环绕，而真空孔114b则平均地分布在周边区内而不分别被密封环120c环绕。

图7示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。应注意，图7中所示晶片吸盘100”含有许多与之前参照图1及图2所公开的晶片吸盘100相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述图7中所示晶片吸盘100”与晶片吸盘100之间的主要差异。

参照图7，在一些实施例中，所述多个密封环120(120e)包括多个开口间隙122。在一些实施例中，密封环120(120e)中的每一者包括开口间隙122中的至少一者。在本实施例中，密封环120(120e)中的每一者包括两个开口间隙122，但本发明实施例并不仅限于此。开口间隙122彼此对齐以在各密封环120之间界定至少一个气流通道aw。换句话说，各密封环120通过开口间隙122而彼此气体连通。在一些实施例中，开口间隙122与真空孔114直接连通。举例来说，真空孔114设置在吸盘本体110的承载表面112的中心处，以使开口间隙122沿穿过吸盘本体110的承载表面112的中心的方向彼此对齐，且与真空孔114直接连通。因此，真空孔114有助于在由开口间隙122所界定的气流通道aw内形成真空，且真空条件通过气流通道aw穿过密封环120e延伸。换句话说，真空可延伸到吸盘本体110的整个承载表面112且进一步将晶片200更牢固地保持在预定位置。

图8到图11示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。应注意，就开口间隙在承载表面112上的排列方式来说，存在多个不同的实施例。图8到图11中所示晶片吸盘的俯视图仅用于示出。排列方式的实施例并不仅限于此。图8到图11中所示晶片吸盘含有许多与之前参照图1到图3所公开的晶片吸盘相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述主要差异。

参照图8，在一些实施例中，开口间隙122可界定多个气流通道aw，且气流通道aw以真空孔(例如，图7中所示真空孔114)为中心以放射状方式排列。在一种实作方案中，真空孔114设置在吸盘本体110的中心处，密封环120f以同心方式排列，且各开口间隙122沿从真空孔114发散(emanating)且穿过密封环120f的多个方向彼此对齐以如图8中所示形成多个气流通道aw。在一些实施例中，从真空孔114放射的气流通道aw还可与设置在吸盘本体110的承载表面112上的一系列其他气流通道aw气体连通，以使真空的施加进一步延伸而遍及整个承载表面112。

参照图9，在一些实施例中，承载表面112可包括多个气流通道aw及多个真空孔114。真空孔114中的一者设置在承载表面112的中心处，且其余真空孔114可平均地分布在承载表面112上，但本发明并不将真空孔114的排列限制于此。在一种实作方案中，密封环120f以同心的方式排列，且气流通道aw以放射状方式排列。换句话说，各开口间隙122沿着从位于承载表面112的中心处的真空孔114发散的多个方向彼此对齐，并穿过多个密封环120f以如图9中所示形成多个气流通道aw。在一些实施例中，气流通道aw将承载表面112划分成多个扇形且真空孔114可平均地分布在所述扇形中的每一者上。利用此种排列，由真空器件(例如为图1及图3中所示真空器件130)所提供的真空可平均地分布在由密封环120f或密封环120f的区段所界定的承载表面112的扇形中的每一者之上。在一些实施例中，从真空孔114发散的气流通道aw还可与设置在吸盘本体110的承载表面112上的一系列其他气流通道aw流体连通以使真空的施加范围可更进一步的延伸。

参照图10，在一些实施例中，承载表面112可包括由开口间隙122所界定的多个气流通道aw以及多个真空孔114。真空孔114中的一者设置在承载表面112的中心处，且其余真空孔114可平均地分布在承载表面112上。在一些实施例中，密封环120k中的每一者环绕真空孔114中的至少一者。在一种实作方案中，各密封环120k分别环绕各真空孔114，且密封环120j环绕所有真空孔114及所有密封环120k。换句话说，各开口间隙122沿从位于承载表面112的中心处的真空孔114发散且穿过密封环120j、120k的多个方向彼此对齐以如图10中所示形成多个气流通道aw。利用此种排列，由真空器件(例如，图1及图3中所示真空器件130)所提供的真空可通过真空孔114及气流通道aw平均地分布在承载表面112之上。在一些实施例中，从真空孔114发散的气流通道aw可与设置在吸盘本体110的承载表面112上的一系列其他气流通道aw流体连通以使真空的施加可进一步的延伸。

参照图11，密封环中的每一者包括多个开口间隙122且开口间隙122包括多个开口间隙122a及多个开口间隙122b，所述多个开口间隙122a与所述多个开口间隙122b沿彼此平行的多个方向彼此对齐以界定多个气流通道aw。在一些实施例中，各开口间隙122a沿着通过吸盘本体110的中心的方向彼此对齐。各开口间隙122b沿着平行于开口间隙122a所界定的气流通道aw的多个方向而彼此对齐。在一些实施例，真空孔114设置在承载表面112的中心处，但本发明实施例并不将真空孔114的数目及排列限制于此。在一些实施例中，密封环120g以同心的方式排列，且气流通道aw彼此平行地排列。在一种实作方案中，如图11中所示，由开口间隙122a所界定的气流通道aw穿过位于承载表面112的中心处的真空孔114，且由开口间隙122b所界定的其余气流通道aw对称地排列且平行于开口间隙122a所界定的气流通道aw。利用此种排列，由真空器件(例如，图1及图3中所示真空器件130)所提供的真空可平均地分布在承载表面112的区段中的每一者之上。在一些实施例中，彼此平行的气流通道aw可与设置在吸盘本体110的承载表面112上的一系列其他气流通道aw流体连通以使真空的施加更进一步的延伸。

图12到图13示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。应注意，就开口间隙在承载表面上的排列方式来说，存在多个不同的实施例。图12到图13中所示晶片吸盘的俯视图仅用于示出。排列方式的实施例并不仅限于此。图12到图13中所示晶片吸盘含有许多与图8到图11中所示晶片吸盘相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述主要差异。

参照图12，在一些实施例中，由开口间隙122d所界定的气流通道aw呈扇形形状。换句话说，密封环120h中的每一者中的开口间隙122d的宽度从承载表面112的中心到承载表面112的边缘逐渐增大。真空孔114设置在承载表面112的中心处，且密封环120h中的每一者中的开口间隙122d的宽度从位于承载表面112的中心处的真空孔114到承载表面112的边缘逐渐增大。在一些实施例中，扇形的顶角θ大体上介于约2°到约15°之间，但本发明并不仅限于此。利用扇形形状的气流通道aw，开口间隙122d可为朝向位于承载表面112的中心处的真空孔114流动的气流提供更好的气流引导效果。

参照图13，在一些实施例中，由开口间隙122e所界定的气流通道aw的数目可为复数个，且气流通道aw中的每一者呈扇形形状。在一些实施例中，真空孔114设置在承载表面112的中心处，且密封环120i以同心的方式排列。在实作方案中的一种实作方案中，各气流通道aw以放射状方式排列且分别穿过密封环120i中的每一者。换句话说，气流通道aw从位于承载表面112的中心处的真空孔114发散且穿过密封环120i以如图13中所示形成多个扇形形状的气流通道aw。在一些实施例中，扇形的顶角θ大体上介于约2°到约15°之间，但本发明实施例并不仅限于此。利用由开口间隙122e所界定的扇形形状的气流通道aw，开口间隙122e可为朝向位于承载表面112的中心处的真空孔114流动的气流提供更好的气流引导效果。

图14示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的局部透视图。图15示出根据本发明一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。应注意，图14及图15中所示晶片吸盘含有许多与之前参照图4到图13所公开的晶片吸盘相同或相似的特征。出于清晰及简洁的目的，可不再对相同或相似特征予以赘述，且相同或相似的参考编号表示相同或类似的组件。以下阐述主要差异。

参照图1及图14，在一些实施例中，晶片吸盘100还包括边缘环150。边缘环150环绕吸盘本体110的边缘。边缘环150的侧面轮廓可呈l形。边缘环150的顶表面大体上高于密封环120中的每一者的顶表面。在一些实施例中，边缘环150的高度h1大于密封环120的高度h1。因此，边缘环150可用作晶片吸盘100的唇缘密封件(lipseal)。在此种实施例中，边缘环150可首先接触翘曲的晶片200的周边以在翘曲的晶片200与晶片吸盘100之间形成初始密封状态。随着在初始密封状态下施加真空，翘曲的晶片200的周边被朝晶片吸盘100的方向拉动，以使晶片200的翘曲减小，且边缘环150可相应地变形。在其他实施例中，边缘环150的高度h1可大体上大于或等于密封环120的高度h1。在一种实作方案中，真空孔114设置在吸盘本体110的中心处，密封环120以同心的方式排列，且边缘环150环绕吸盘本体110的边缘及所有密封环120。详细来说，参照图1，边缘环150的横截面呈l形。举例来说，边缘环150包括彼此连接的定位部分(positioningportion)152与邻接部分(abuttingportion)154。定位部分152嵌置在吸盘本体110中，且邻接部分154突出于承载表面112。

在一些实施例中，邻接部分154的顶表面大体上高于密封环120中的每一者的顶表面。另外，密封环120中的每一者的顶表面大体上高于真空孔114的顶表面。因此，当将晶片200设置在晶片吸盘100上且施加真空时，晶片200的背表面将承靠密封环120的顶表面及边缘环150的顶表面。在一些实施例中，晶片吸盘100还包括多个锁固组件160，所述多个锁固组件160穿过吸盘本体110及定位部分152以将定位部分152锁定到吸盘本体110。举例来说，锁固组件160可为螺丝(screw)或其他适合的锁固工具。在一些实施例中，邻接部分154具有如图14中所示的弯曲轮廓。利用此种配置，当将晶片200设置在晶片吸盘100上且施加真空时，比密封环120高的边缘环150承靠晶片200的周边边缘，从而进一步增强晶片200与晶片吸盘100之间的真空条件。因此，晶片吸盘100能够处理具有较大的尺寸且易于出现更显著的翘曲的晶片200。因此，利用晶片吸盘100而形成在尺寸较大的晶片200上的涂层的涂布均匀性可提高。

参照图3及图15，在一些实施例中，晶片吸盘100’还包括边缘环150，且真空孔114的数目可为复数个。边缘环150环绕吸盘本体110的边缘。在一些实施例中，边缘环150的顶表面大体上高于密封环120中的每一者的顶表面。在一些实施例中，边缘环150的高度h1大于密封环120的高度h1。在一种实作方案中，真空孔114某种程度上平均地分布在吸盘本体110的承载表面112上，密封环120中的每一者环绕真空孔114中的至少一者，且边缘环150环绕吸盘本体110的边缘及所有密封环120。详细来说，参照图3，边缘环150的横截面呈l形。举例来说，边缘环150包括彼此连接的定位部分152与邻接部分154。定位部分152嵌置在吸盘本体110中，且邻接部分154突出于承载表面112。

在一些实施例中，邻接部分154的顶表面大体上高于密封环120中的每一者的顶表面。另外，密封环120中的每一者的顶表面大体上高于真空孔114的顶表面。因此，当将晶片200设置在晶片吸盘100上且施加真空时，晶片200的背表面将承靠密封环120的顶表面及边缘环150的顶表面。在一些实施例中，晶片吸盘100’还包括多个锁固组件160或锁固件，所述多个锁固组件160或锁固件穿透吸盘本体110及定位部分152以将定位部分152锁定到吸盘本体110。举例来说，锁固组件160可为螺丝或其他适合的锁固工具。利用此种配置，当将翘曲的晶片200设置在晶片吸盘100’上时，比密封环120高的边缘环150承靠晶片200的周边边缘，从而进一步增强翘曲的晶片200与晶片吸盘100’之间的真空条件，原因是边缘环150可接触翘曲的晶片200的边缘以形成初始密封状态。因此，晶片吸盘100’能够处理具有较大的尺寸(例如，承载表面112的直径d1大体上大于130mm且大体上等于或小于260mm)且易于出现更显著的翘曲的晶片200。在一些实施例中，承载表面112的直径d1对晶片200的直径d2的比率大体上等于或大于约45％且大体上等于或小于约90％。因此，晶片吸盘100’可为尺寸较大的晶片200提供充分的支撑力及吸力(真空力)，以使利用晶片吸盘100’而形成在尺寸较大的晶片200上的涂层的涂布均匀性可提高。

基于以上论述，可看出本发明提供多种优点。然而，应理解，本文中未必论述所有优点，且其他实施例可提供不同优点，并且对于所有实施例来说并不需要特定优点。

根据本发明的一些实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体及多个密封环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。承载表面的直径对晶片的直径的比率大体上大于或等于45％且大体上小于或等于90％。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。

根据本发明的一些实施例，所述多个密封环以同心的方式排列。

根据本发明的一些实施例，所述至少一个真空孔包括多个真空孔。

根据本发明的一些实施例，所述多个密封环中的每一者环绕所述多个真空孔中的至少一者。

根据本发明的一些实施例，所述多个密封环包括多个开口间隙。

根据本发明的一些实施例，所述多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐。

根据本发明的一些实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体及多个密封环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述开口间隙彼此对齐以在所述密封环之间界定出至少一个气流通道。

根据本发明的一些实施例，所述多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐，且所述至少一个真空孔设置在所述承载表面的所述中心处。

根据本发明的一些实施例，所述的晶片吸盘还包括环绕所述吸盘本体的边缘的边缘环，其中所述边缘环的顶表面高于所述密封环中的每一者的顶表面。

根据本发明的一些实施例，所述边缘环的侧面轮廓呈l形并用以作为所述晶片吸盘的唇缘密封件，其中所述边缘环被配置成接触所述晶片的周边以在所述晶片与所述晶片吸盘之间形成初始密封状态。

根据本发明的一些实施例，所述至少一个真空孔包括多个真空孔，所述多个真空孔中的一者设置在所述承载表面的中心处，且所述多个密封环中的每一者环绕所述多个真空孔中的至少一者。

根据本发明的一些实施例，所述至少一个气流通道包括多个气流通道，且所述多个气流通道以放射状方式排列。

根据本发明的一些实施例，所述至少一个气流通道包括多个气流通道，且所述多个气流通道彼此平行。

根据本发明的一些实施例，所述气流通道的形状呈扇形形状，且所述扇形的顶角介于2°到15°之间。

根据本发明的一些实施例，所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率等于或大于45％且等于或小于90％。

根据本发明的一些实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体、多个密封环、边缘环及真空器件。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。边缘环环绕吸盘本体的边缘。边缘环的顶表面大体上高于密封环中的每一者的顶表面。真空器件耦合到吸盘本体且与真空孔气体连通。

根据本发明的一些实施例，所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％或小于或等于90％。

根据本发明的一些实施例，所述边缘环包括嵌置在所述吸盘本体中的定位部分及从所述承载表面突出的邻接部分，且所述邻接部分的顶表面高于所述多个密封环中的每一者的顶表面。

根据本发明的一些实施例，所述多个密封环中的每一者的顶表面高于所述真空孔的顶表面。

根据本发明的一些实施例，所述的晶片吸盘还包括锁固组件，所述锁固组件穿过所述吸盘本体及所述定位部分以将所述定位部分锁固到所述吸盘本体。

以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本发明的各个方面。所属领域中的技术人员应知，其可容易地使用本发明作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本发明的精神及范围，而且他们可在不背离本发明的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及变更。