技术特征：
技术总结
本发明提供了一种IGBT器件和制作方法，其中，该IGBT器件包括：依次生长的发射区金属层、栅区、N+源区、P+型区、P型体区、N‑漂移区和P型集电区；栅区包括依次生长的栅氧化层、多晶硅栅和栅源隔离区；P型体区包括至少两个硼离子浓度不同的注入区。本发明通过在P型体区多次注入不同浓度的硼离子，形成多个硼离子浓度不同的注入区，从而在P型体区获得不同阈值电压的注入区，减小了短路电流，提高了IGBT器件的最大短路承受能力。
技术研发人员：王修中;李强;邢文超;孙喆禹
受保护的技术使用者：吉林华微电子股份有限公司
技术研发日：2018.12.18
技术公布日：2019.04.19