本实用新型涉及化合物半导体材料领域，尤其是涉及一种用于异形晶片的承载装置。
背景技术：
科学技术的发展迅速，带动着基础材料研究的更新换代。在电子元器件领域采用的基础材料也迅猛发展，新兴大量的性能优良、应用前景广阔的新型晶体材料，涵盖微电子材料、光电子材料等领域，代表性有氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga2O3）、金刚石、锑化镓（GaSb）、硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、DAST等材料，这些材料通过生长出晶体，再进行晶体通过切割、研磨、抛光、清洗、烘干等工序处理形成可以应用的衬底晶片。通常情况下，电子元器件采用的成熟衬底晶片的标准尺寸为圆形，经过下游多工序工艺操作制作出满足性能要求的器件产品。但是对于新型材料，处于研发阶段，标准尺寸产品较少，会涉及较多异形不同规格的样品，通常以方形、半圆形、对称多边形等多见。目前，此类异形产品处于实验室阶段，加工或工艺处理过程中多借助标准晶片的承载装置或者人为手动操作，很容易造成装置不合适、动作不规范等导致的样品破坏，或者逐一操作过程中效率低，或者在特定危险（例如腐蚀处理）工序环节对人的危险性大。因此，需要研发一种可承载异形晶片的装置。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种用于异形晶片的承载装置。
本实用新型采取的技术方案是：一种用于异形晶片的承载装置，其特征在于，所述承载装置包括连接杆、两侧侧板、两侧提栏和两根支杆，其中通过两根连接杆连接固定两块侧板的底部，通过一根连接杆连接固定两侧提栏的上端，两侧提栏的下端分别固定在两侧侧板上；两侧侧板上设有用于调节两根支杆间距，承载不同尺寸晶片的侧板轨道，两根支杆两端分别固定在侧板轨道上；两侧侧板上还设有用于精确控制晶片腐蚀区域的侧板垂直刻度以及用于精确调整支杆间距的侧板水平刻度，两根支杆上分别刻有若干个用于承载待腐蚀晶片的凹槽。
本实用新型的有益效果是：采用本实用新型能够在最少程度破坏样品的条件下，安全的承载样品，可多片摆放，提高效率；可实现多规格摆放，一物多用节约资源。本设计的承载装置可以灵活调整，适应不同尺寸的非标产品摆放，也可以应用于标准产品摆放，同时带有刻度，可以精确控制样品摆放位置以及必要时对样品摆放上下暴露面积的控制。采用该装置进行的晶片清洗、腐蚀、烘干等操作可以实现多片统一处理，提高工作效率、操作规范性、降低操作风险、减少样品破坏面积。
附图说明
图1为本发明的承载装置结构立体示意图；
图2为实施例中摆放晶片的承载装置示意图；
图3为图1中连接杆结构示意图；
图4为图1中侧板结构示意图；
图5为图1中提篮结构示意图；
图6为图1中支杆结构示意图；
图7为定位边制作示意图；
图8为实施例中正方形定位边制作示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：
参照图1至图6，本装置是用于对具有极性的异形晶片的极性面进行判定的承载装置，包括连接杆1、两侧侧板2、两侧提栏3和两根支杆4，其中通过两根连接杆1连接固定两侧侧板2的底部，通过一根连接杆1连接固定两侧提栏3的上端，两侧提栏3的下端分别固定在两侧侧板2上；两侧侧板2上设有用于调节两根支杆4间距，承载不同尺寸晶片的侧板轨道2-1，两根支杆4两端通过螺栓分别固定在侧板轨道2-1上；两侧侧板2的外侧面还设有用于精确控制晶片腐蚀区域的侧板垂直刻度2-2以及用于精确调整支杆4间距的侧板水平刻度2-3，两根支杆4上分别刻有若干个用于承载待腐蚀晶片的凹槽4-1。
本承载装置除可用于摆放待分辨定位边晶片样品进行腐蚀外，因为带有可精确调整的刻度，还可以用于其他规格的样品或者其他工序操作时样品的承载，例如清洗、干燥等。
采用本装置对具有极性的异形晶片的极性面进行判定方法是：将若干片待腐蚀的晶片垂直摆放在用于极性面判定的承载装置上，将承载装置放置在装有腐蚀液的容器内进行腐蚀，腐蚀后将承载装置取出，观察晶片被腐蚀区域的形貌，进行极性面判定，最后进行定位边切割，以定位边的切割位置作为判定极性面的标识。
实施例：参照图1至图8，采用本装置对具有极性的正方形硫化镉（CdS）晶片极性面进行判定的方法具体步骤如下：
（1）将CdS晶锭放置在切割机上进行圆片或大面积样片切割，切割厚度控制在600-700μm；
（2）将圆片/大面积样片切割成15㎜х15㎜的方片，切割误差±0.5mm；
（3）通过侧板轨道2-1调整承载装置的支杆4间距，控制在10mm-12mm之间；
（4）将切割好的方片5垂直放置在承载装置支杆4上的凹槽4-1里，方片尖角低于支杆4底部边缘；
（5）在容器内配制盐酸：去离子水体积比为1:5的腐蚀液；盐酸浓度为36%-38%；室温下腐蚀；
（6）浸泡15秒后取出承载装置，观察腐蚀后的晶片样品尖角，表面光亮的为Cd面，表面模糊的为S面（如遇肉眼观测现象不清晰，可以显微镜下观察）；
（7）分辨清楚极性面的样品进行标记后，在方片的左下角统一制作定位边，边a为1.5±0.5mm，边b为2.6±0.5mm，满足a≠b，对应的上表面则为Cd面，如图8所示。
（8）进行后续的研磨、抛光、清洗等工序。