一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构的制作方法

本实用新型属于太阳电池领域和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。

背景技术：

对于晶体硅异质结太阳电池，其通常结构为在n型制绒晶体硅衬底上，一面为本征非晶硅钝化层、p型非晶硅发射极层、TCO透明导电薄膜、银栅线，另外一面为本征非晶硅钝化层、n型非晶硅发射极层、TCO透明导电薄膜、银栅线的结构。该结构的太阳电池的优点是开路电压高，缺点是TCO层和本征及掺杂非晶硅层造成很大的光吸收损耗，尤其是非晶硅层，导致该类太阳电池的短路电流一直不高。如何通过器件结构设计和制备技术的提高来提高该类太阳电池的短路电流是其性能提升的一个重要方向。另外，该结构太阳电池所用TCO材料的一种主要元素是铟，其在地球上储量很少，价格很高，是导致该太阳电池的成本很高的主要因素之一，所以降低TCO的用量也是该结构太阳电池改进的一个重要方向。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提出一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，通过提高晶体硅异质结太阳电池的短路电流，进一步提高晶体硅双面太阳电池的发电效率；减少贵重原材料的消耗。

本实用新型是通过以下技术方案实现的。

本实用新型所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠。

为提高金属栅线I（1）与重掺杂p型非晶硅层（2）之间的接触导电性，优选在二者之间设一过渡TCO层。

本实用新型所述的钝化减反射层I（4）优选二氧化硅/氮化硅复合薄膜层。

本实用新型所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，为双面进光太阳电池，其正负电极分别位于n型晶体硅片（5）基底的两个表面。太阳电池在发射极面之外的另外一面（背电场面）结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（6）、钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（6）、金属栅线II（8）。这两个区域交叉分布且不重叠。

其中，钝化减反射层II（7）优选氮化硅层。

进一步地，为提高器件的性能，本实用新型所述的n型晶体硅片（5）可以双面制绒，以进一步提高太阳电池短路电流。

进一步地，n型晶体硅片（5）的双面的制绒情况可以不同，一面采用较小尺寸金字塔结构的绒面，另外一面采用较大尺寸的金字塔绒面或者无金字塔的抛光结构。

进一步地，有金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）区域可以抛光或做更大尺寸金字塔的绒面，以减少复合损耗，提高太阳电池的开路电压。

进一步地，器件表面金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）总覆盖面积比例优选为1~3%，以提高太阳电池的短路电流并保证足够好的导电性。

实用新型的技术效果是：在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。其机理是通过金属栅线覆盖面积下的非晶硅发射极及配套结构获得高的开路电压；在没有金属栅线的地方采用表面减反射钝化层的结构相比于常规非晶硅/晶体硅异质结太阳电池可减少遮光损失，将更多入射的太阳光有效转变为光生载流子。器件中产生的光生空穴集中流向发射极区域，形成了类似聚光太阳电池的大电流效应，可进一步提高太阳电池的内建电势，从而进一步提高太阳电池的电压。另外，本实用新型相比于HIT结构可以完全避免贵重的TCO的使用。

附图说明

附图1为本实用新型结构示意图。其中：1为金属栅线I；2为重掺杂p型非晶硅层；3为本征非晶硅层；4为钝化减反射层I；5为n型晶体硅片；6为重掺杂n型晶体硅层II；7为钝化减反射层II；8为金属栅线II。

具体实施方式

本实用新型将通过以下实施例作进一步说明。

实施例1。

如附图1所示的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片（5）的双面均采用平均~1微米的金字塔结构绒面，重掺杂n型晶体硅层II（6）厚度为100nm，钝化减反射层I（4）和钝化减反射层II（7）均采用氮化硅薄膜，金属栅线I（1）和金属栅线II（8）均采用主副栅配合的Ag栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的2%。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳电池的短路电流。

实施例2。

如附图1所示的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片（5）的双面的钝化-进光区域均采用平均~1微米的金字塔结构绒面，有栅线覆盖的面积均采用化学抛光结构。重掺杂n型晶体硅层II（6）厚度为200nm，钝化减反射层I（4）和钝化减反射层II（7）均采用二氧化硅/氮化硅复合薄膜，金属栅线I（1）和金属栅线II（8）均采用主副栅配合的Ti/Pd/Ag复合金属栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的1%。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳电池的短路电流。