1.一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；
其背电场面分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（6）、钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（6）、金属栅线II（8），这两个区域交叉分布且不重叠。
2.根据权利要求1所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是在金属栅线I（1）与重掺杂p型非晶硅层（2）之间设有一过渡TCO层。
3.根据权利要求1所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层I（4）为二氧化硅/氮化硅复合薄膜层。
4.根据权利要求1所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层II（7）为氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，其特征是器件表面金属栅线总覆盖面积比例为1~3%。