1.一种LED芯片，包括衬底、位于所述衬底上的LED外延结构以及位于所述LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，其特征在于，所述LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述P电极区域及所述P电极之间的第一电流阻挡层及位于所述N电极区域及所述N电极之间的第二电流阻挡层。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极包括N电极主体部及自N电极主体部向外延伸的N电极延伸部，所述第二电流阻挡层包括对应所述N电极延伸部设置的若干相互分离的延伸阻挡部。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电流阻挡层还包括覆盖所述N电极主体部的主体阻挡部。
4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括至少环绕所述N电极设置的屏障部。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述屏障部包括环绕所述N电极主体部的第一屏障部及环绕所述N电极延伸部的第二屏障部，所述第一屏障部与所述N电极主体部之间的第一间隙大于所述第二屏障部与所述N电极延伸部之间的第二间隙。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第一电流阻挡层及所述P电极之间。