一种带负阻特性的单向TVS器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件领域，特别涉及双向和单向低压瞬态电压抑制器件领域，为一种带负阻特性的单向TVS(Transient Voltage Suppressors)器件。

背景技术：

伴随IC电路集成度的不断提高、大规模集成电路中线宽也不断地在缩小，IC电路中更容易发生静电放电(ESD)和瞬态过电压对IC芯片造成破坏，因此，在整个电路系统中过压保护就变得至关重要。在消费电子充电电路中，要求浪涌残压超低的单向器件才能满足保护需求，而常规单向TVS二极管：击穿电压高、后端残压过高，容易损坏后端IC芯片，但负向浪涌抑制效果很优秀；常规双向TVS二极管：击穿电压低、残压低，但负向浪涌的残压很高，容易损坏IC芯片；为改进传统的单向和双向二极管存在的缺点、结合两者的优点，本专利中提出一种特殊的结构，既具有双向TVS二极管低残压和低击穿电压的优点，又具有单向TVS二极管负向浪涌残压超低的优点，在保护后端IC芯片时，正向浪涌残压超低，负向浪涌残压更低，对后端芯片能够起到优秀的保护作用。

目前绝大部分电源和充电端口的保护都趋向于选择单向保护器件，随着手机、平板等电子设备出货量越来越大，充电电流、充电电压越来越高，各种版本的快充不断推出，为保证充电的安全性和可靠性，对保护器件提出更高的要求，同时针对封装要求体积小、厚度薄和更易焊接。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于解决上述现有产品特性中的不足，提供一种带负阻特性的单向TVS器件，这种带负阻特性的二极管不仅具有双向二极管低残压、低漏电流、低击穿电压的特点，同时还具有单向二极管正向超低残压的特点。

本实用新型的一种带负阻特性的单向TVS二极管，包括：

第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；

第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；

第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；

第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；

其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。

第一区域的P型掺杂浓度在5E17cm^-3～2E18cm^-3之间；第二区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～3E19cm^-3；第三区域的P型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～5E19cm^-3；第四区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～3E19cm^-3。

第二区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm；第三区域的P型杂的结深范围为5μm～15μm；第四个区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm。

上述带负阻特性的单向TVS器件的制造方法包括以下步骤：

步骤(1)：在P型硅衬底晶圆片正面和背面开出N型掺杂区域窗口；

步骤(2)：在P型硅衬底晶圆片正面和背面同时扩散，形成双面N型元素掺杂；

步骤(3)：在晶圆片正面和背面氧化层上开出P型掺杂区域窗口；

步骤(4)：用扩散掺杂的方式进行双面P型元素掺杂；

步骤(5)：高温推阱；

步骤(6)：对背面进行深槽刻蚀，将背面P型元素掺杂区域挖掉，后氧化隔离；

步骤(7)：正面和背面的接触孔区域做金属布线引出。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种带负阻特性的单向TVS器件采用P型衬底片，采用N+、P+高浓度扩散形成NPN结构的TVS；此种结构在反向击穿时，由于NPN穿通后的负阻效应，可以极大的降低残压，对后端IC能够起到优秀的保护效果。同时由于此结构的背面采用深槽结构，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，同时在封装时可以有效的提高器件封装良率，避免背面短路情况的发生。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。

附图说明

图1是本实用新型带负阻特性的单向TVS的结构示意图。

图2是本实用新型带负阻特性的单向TVS的功能示意图。

图3.1-3.7是本实用新型实施例1带负阻特性的单向TVS器件制造工艺示意图。

图4.1-4.7是实施例2带负阻特性的单向TVS器件制造工艺示意图。

图5是实施例3的带负阻特性的单向TVS器件结构示意图(正面N型重掺杂区和P型重掺杂区间距为零)。

图6是实施例4的带负阻特性的单向TVS器件结构示意图(正面N型重掺杂区在外侧，P型重掺杂区在内侧)。

图7是实施例5的带负阻特性的单向TVS器件结构示意图(不做挖深槽隔离)。

图8是实施例6的带负阻特性的单向TVS器件结构示意图(不做挖深槽隔离，正面N型重掺杂区和P型重掺杂区间距为零)。

图9是实施例7的带负阻特性的单向TVS器件结构示意图(挖深槽隔离，正面N型重掺杂区在外侧，P型重掺杂区在内侧)。

图10是本实用新型提出的带负阻特性的单向TVS的掺杂分布曲线。

图11是本实用新型提出的带负阻特性的单向TVS的电压电流特性曲线。

图12是本实用新型提出的带负阻特性的单向TVS的封装示意图(其中71为银浆，61为封装框架)。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的带负阻特性的单向TVS器件，包括：

第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底22构成；

第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区31构成；

第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区32构成；

第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区31构成；

其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面；P型硅衬底背面的N型掺杂区域31做金属41引出，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域31和P型掺杂区域32做互连金属41引出。

第一区域的P型掺杂浓度在5E17cm^-3～2E18cm^-3之间；第二区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～3E19cm^-3；第三区域的P型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～5E19cm^-3；第四区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm^-3～3E19cm^-3。

第二区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm；第三区域的P型杂的结深范围为5μm～15μm；第四个区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm。

图2所示是本实用新型的带负阻特性的单向TVS器件的功能示意图。P型掺杂硅衬底22、背面N型掺杂的扩散区31、正面N型掺杂的扩散区31和正面P型掺杂的扩散区32构成反向保护的NPN带负阻的二极管Z1和Z2；P型掺杂硅衬底22、背面N型掺杂的扩散区31和正面P型掺杂的扩散区32构成正向保护的PN二极管D1。通过工艺控制和版图设计可以实现带负阻特性的单向二极管特性。

实施例1：

图3-1到3-7是上述带负阻特性的单向TVS器件制造工艺示意图。

图3-1所示，形成氧化层23，在氧化层上涂光刻胶24，然后在P型硅衬底22的正面和背面开出N型掺杂区域的扩散窗口；

图3-2所示，在P型硅衬底22的正面和背面同时进行N型掺杂扩散，形成正面和背面的N型掺杂区域31；

图3-3所示，在P型硅衬底22的正面和背面开出P型掺杂区域32的扩散窗口；

图3-4所示，在P型硅衬底22的正面和背面同时进行P型掺杂扩散，形成正面和背面的P型掺杂区域32；

图3-5所示，对在P型硅衬底22的正面和背面形成正面和背面的N型掺杂区域31和P型掺杂区域32进行高温推结。

图3-6所示，在P型硅衬底22的背面P型掺杂区域32进行深槽工艺，将背面P型掺杂区域32全部挖掉，然后形成氧化层23，进行隔离。

图3-7所示，在P型硅衬底22的正面和背面同时进行刻孔、蒸铝形成金属41进行电极引出。

实施例2：

图4-1到4-7是另一种带负阻特性的单向TVS器件制造工艺示意图。

图4-1所示，在N型硅衬底21正面生长P型硅外延层22；

图4-2所示，在P型硅外延层22的正面进行深槽刻蚀，后填形成隔离槽51；

图4-3所示，形成氧化层23，然后在P型硅外延层22的正面开出P型掺杂区域32的扩散窗口；

图4-4所示，在P型硅衬底22的正面进行P型掺杂扩散，形成正面P型掺杂区域32；

图4-5所示，在P型硅外延层22的正面开出N型掺杂区域31的扩散窗口；

图4-6所示，在P型硅外延层22的正面进行N型掺杂扩散，形成正面N型掺杂区域31；

图4-7所示，在P型硅外延层22的正面和N型硅衬底21背面同时进行刻孔、蒸铝形成金属41进行电极引出。

实施例3：

如图5所示，本实施例的一种带负阻特性的单向TVS器件结构与实施例1的不同之处在于：正面N型掺杂区和P型掺杂区间距为零。其制备工艺与实施例1相同。

实施例4：

如图6所示，本实施例的一种带负阻特性的单向TVS器件结构与实施例1的不同之处在于：正面N型掺杂区在外侧，P型掺杂区在内侧，与实施例1相反。其制备工艺与实施例1基本相同，区别仅在于正反面的N型掺杂区制备时位置的调整。

实施例5：

如图7所示，本实施例的带负阻特性的单向TVS器件结构与实施例2的不同之处在于：正面不需要做深槽隔离。其制备工艺与实施例2基本相同，区别仅在于正面不做深槽刻蚀工艺。

实施例6：

如图8所示，本实施例的带负阻特性的单向TVS器件结构与实施例5的不同之处在于：正面N型掺杂区和P型掺杂区间距为零。其制备工艺与实施例5基本相同。

实施例7：

如图9所示，本实施例的带负阻特性的单向TVS器件结构与实施例2的不同之处在于：正面N型掺杂区在外侧，P型掺杂区在内侧，与实施例2相反。其制备工艺与实施例2基本相同，区别仅在于正反面的N型掺杂区制备时位置的调整。

以上已将本实用新型做详细说明，但以上所述，仅为本实用新型的较好的实施例，不应当限定本实用新型实施的范围。即，凡是根据本实用新型申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本实用新型的专利涵盖范围内。