用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置的制作方法

文档序号:16863546发布日期:2019-02-15 19:59阅读:286来源:国知局
用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置的制作方法

本实用新型涉及光伏技术领域,尤其涉及一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置。



背景技术:

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。当载流子连续产生时,在太阳能电池中,寿命决定了电子和空穴的稳定数量,这些数量决定了器件产生的电压,因此,要求使用的硅材料的晶体硅体少子寿命应该尽可能高。

由于不可避免地存在表面复合,硅片绝对体少子寿命通常很难得到。现有的晶体硅体少子寿命的测试方法主要有化学钝化法,也就是对硅片进行少子寿命测试之前,先使用钝化液对硅片进行表面处理,该表面处理具体为利用氟化氢溶液去除硅片表面氧化物、利用醌氢醌溶液对硅片表面钝化,从而尽可能的消除表面复合,使测试结果最大限度地接近硅片的绝对体少子寿命。

然而,在对硅片进行表面处理的现有操作中,实验员通常借助酸液滴液管、量筒等简单仪器配制钝化液,不仅操作繁琐,且基于氟化氢溶液的强腐蚀性,需要实验员佩戴防护设备,极不方便。

更进一步地,在使用钝化液对硅片进行表面处理时,由于仪器简单,实验员要么需要仔细观察谨慎操作方能控制钝化液中的成分配比参数达到理想值;要么只能凭借自己的操作经验,粗略配制钝化液,而无法准确控制钝化液的成分配比参数,造成不同两次表面处理操作中钝化液的参数很难实现一致性,从而影响测试结果。

因此,亟需一种能够更好地测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,以至少解决上述技术问题的其中之一。

为实现上述实用新型目的,本实用新型一实施例提供了一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,所述表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通所述第一溶液盛放槽和所述混合槽的第一输送通道、连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的第二输送通道、设置于所述第一输送通道处的第一阀以及设置于所述第二输送通道处的第二阀;

所述第一溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第一阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第一输送通道;

所述第二溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第二阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第二输送通道;

所述混合槽用于将来自于所述第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于所述第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述第一阀和所述第二阀均设置为流量阀,所述表面处理装置还包括控制器,所述控制器与所述第一阀、所述第二阀分别相连接以用于控制所述第一阀、所述第二阀开启或闭合。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述第二输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S2:S1;在竖直方向上,所述第二溶液盛放槽与所述第一溶液盛放槽的等深位置处的横截面积比值为R2:R1;其中,S2:S1与R2:R1相同且均满足所述第二溶液和所述第一溶液配制钝化液时的目标配比。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的两个第五输送通道以及设置于所述第五输送通道处的第五阀,所述第五阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第五输送通道;

其中,其一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1大于S2:S1,另一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1小于S2:S1。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述第一溶液为氟化氢溶液,所述第二溶液为醌氢醌溶液;所述S2:S1为25:1,两个所述S3:S1分别为50:1、50:3。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述第二溶液盛放槽的底端和所述第一溶液盛放槽的底端位于同一水平面上,所述第一输送通道连接所述第一溶液盛放槽的底端和所述混合槽,所述第二输送通道连接所述第二溶液盛放槽的底端和所述混合槽,所述第二输送通道的出口端与所述第一输送通道的出口端位于同一水平面上;所述第二溶液盛放槽、所述第一溶液盛放槽、所述第二输送通道、所述第一输送通道均设置为横截面积恒定。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括位于所述混合槽下方的表面处理槽、连通所述混合槽的底端和所述表面处理槽的第三输送通道以及设置于所述第三输送通道处的第三阀,所述第三阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第三输送通道。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括称量天平,所述称量天平用于称量所述第二溶液的固态溶质,所述称量天平包括砝码、支架及转动连接于所述支架的平衡杆,所述平衡杆具有放置所述砝码的砝码盛放部和放置所述固态溶质的药品盛放部;当所述固态溶质的质量达到并超过称量目标值时,所述平衡杆由平衡状态沿第一方向转动至倾斜状态,且所述药品盛放部位于所述第二溶液盛放槽的药品投放口正上方,以使所述固态溶质自动落入所述第二溶液盛放槽内。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述称量天平还包括锁紧机构,当所述平衡杆转动至所述倾斜状态时,所述锁紧机构限制所述砝码与所述砝码盛放部脱开;所述锁紧机构设置为所述砝码和所述砝码盛放部之间彼此配合的螺纹结构或卡扣结构。

作为本实用新型一实施例的进一步改进,所述称量天平还包括限位件,当所述固态溶质的质量低于称量目标值时,所述限位件限制所述平衡杆沿所述第一方向的反方向转动。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果主要体现在:配制钝化液时,实验员只需要操作所述第一阀和所述第二阀,操作简便,且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的表面处理装置的结构示意图;

图2是本实用新型另一实施例的表面处理装置的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

实施例1

参图1,本实用新型一实施例提供了一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置100,表面处理装置100包括第一溶液盛放槽1、第二溶液盛放槽2、混合槽3、第一输送通道41、第二输送通道42、设于第一输送通道41处的第一阀61以及设置于第二输送通道42处的第二阀62。

第一溶液盛放槽1的底端10设置于混合槽3的上方,其底端10不低于混合槽3的顶端32。第一溶液盛放槽1用于盛装第一溶液,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,利用所述第一溶液可去除硅片表面的氧化物,优选地,所述第一溶液为氟化氢溶液;第一输送通道41连通第一溶液盛放槽1和混合槽3;第一阀61可控地开启或闭合以相应的导通或切断第一输送通道41。

具体来讲,当第一阀61开启时,第一阀61导通第一输送通道41,第一溶液盛放槽1通过第一输送通道41与混合槽3流体连通,第一溶液盛放槽1内的氟化氢溶液在重力作用下通过第一输送通道41自动流向混合槽3;当第一阀61闭合时,第一阀61切断第一输送通道41,第一溶液盛放槽1与混合槽3无法流体连通,第一溶液盛放槽1内的氟化氢溶液向混合槽3的流动被切断。

第二溶液盛放槽2的底端20设置于混合槽3的上方,其底端20不低于混合槽3的顶端32。第二溶液盛放槽2用于盛装第二溶液,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,利用所述第二溶液可对硅片表面进行钝化,优选地,所述第二溶液为醌氢醌溶液;第二输送通道42连通第二溶液盛放槽2和混合槽3;第二阀62可控地开启或闭合以相应的导通或切断第二输送通道42。

具体来讲,当第二阀62开启时,第二阀62导通第二输送通道42,第二溶液盛放槽2通过第二输送通道42与混合槽3流体连通,第二溶液盛放槽2内的醌氢醌溶液在重力作用下通过第二输送通道42自动流向混合槽3;当第二阀62闭合时,第二阀62切断第二输送通道42,第二溶液盛放槽2与混合槽3无法流体连通,第二溶液盛放槽2内的醌氢醌溶液向混合槽3的流动被切断。

混合槽3用于接收来自于第一溶液盛放槽1的氟化氢溶液以及来自于第二溶液盛放槽2内的醌氢醌溶液,并且将二者混合成钝化液。在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,该钝化液可用于硅片的表面处理,包括利用钝化液中的氟化氢去除硅片表面的氧化物、利用钝化液中的醌氢醌对硅片表面进行钝化。

通过上述可知,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,采用本申请的表面处理装置100配制钝化液,实验员只需要操作第一阀61和第二阀62即可,不仅操作简便,而且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性。

其中,上述的“第一溶液盛放槽1的底端10设置于混合槽3的上方”、“第二溶液盛放槽2的底端20设置于混合槽3的上方”,具体可如附图实施例所示设置于混合槽3正上方,还可在其他实施例中设于混合槽3的斜上方。

在本实施例中,第一溶液盛放槽1的底端10和第二溶液盛放槽2的底端20位于同一水平面上。

在本实施例中,第一阀61和第二阀62均设置为具有流量统计功能的流量阀,表面处理装置100还包括控制器,所述控制器与第一阀61、第二阀62分别相连接以控制第一阀61、第二阀62开启或闭合。

例如,在使用时,当经第一输送通道41流向混合槽3的氟化氢溶液体积达到第一预设流量值Q1时,所述控制器控制第一阀61由开启状态自动切换为闭合状态;当经第二输送通道42流向混合槽3的醌氢醌溶液体积达到第二预设流量值Q2时,所述控制器控制第二阀62由开启状态自动切换为闭合状态。若按照实验需求,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,醌氢醌溶液与氟化氢溶液配制钝化液时的目标配比为50:1或25:1或50:3,则第二预设流量值Q2与第一预设流量值Q1的比值Q2:Q1满足50:1或25:1或50:3即可。

通过上述可知,通过设置所述控制器、第一阀61和第二阀62,可使醌氢醌溶液与氟化氢溶液自动配制成所需的目标配比,无需实验员仔细观察,操作简便;而且,便于控制不同两次表面处理操作中钝化液的成分配比参数保持一致性,使测试结果稳定性强,保证结果更准确。

进一步地,表面处理装置100还包括第三输送通道43、表面处理槽5以及设置于第三输送通道43处的第三阀63。

表面处理槽5设置于混合槽3下方,也即混合槽3的底端31设置于表面处理槽5的上方,其底端31不低于表面处理槽5的顶端;第三输送通道43连通混合槽3底端和表面处理槽5;第三阀63可控地开启或闭合以用于导通或切断第三输送通道43。

具体来讲,当第三阀63开启时,第三阀63导通第三输送通道43,混合槽3与表面处理槽5相连通,混合槽3内的钝化液在重力作用下可通过第三输送通道43流入表面处理槽5内,从而对放置于表面处理槽5内的硅片进行表面处理;当第三阀63闭合时,第三阀63切断第三输送通道43,混合槽3与表面处理槽5无法流体连通,混合槽3内的钝化液向表面处理槽5的流动被切断。

这样,实验员只需要操作第三阀63,即可取用钝化液用于硅片表面处理,不仅操作简便,而且降低实验员接触到钝化液的几率,提高安全性。

其中,类似的,上述的“混合槽3的底端31设置于表面处理槽5的上方”,具体可如附图实施例所示设置于表面处理槽5正上方,还可在其他实施例中设于表面处理槽5的斜上方。

在本实施例中,第三阀63也设置为具有流量统计功能的流量阀,所述控制器与第三阀63相连接以控制第三阀63开启或闭合。

例如,在取用钝化液时,当经第三输送通道43流向表面处理槽5的钝化液体积达到第三预设流量值Q3时,所述控制器控制第三阀63由开启状态自动切换为闭合状态。这样,可自动取用目标体积的钝化液用于硅片的表面处理,无需实验员仔细观察,操作简便;而且,便于控制不同两次表面处理操作中钝化液的体积参数保持一致性,使测试结果稳定性强,保证结果更准确。

进一步地,混合槽3设置为封闭箱体,其顶端32具有上盖板。

表面处理装置100还包括设置于混合槽3顶端32的排气通道44,排气通道44连通混合槽3内部与外部环境。这样,可避免因氟化氢溶液、醌氢醌溶液流入混合槽3内而致使混合槽3内气压增大,也可避免因钝化液流出混合槽3而致使混合槽3内气压变小,保证混合槽3内部与外部环境气压相同,从而便于氟化氢溶液、醌氢醌溶液、钝化液的顺畅流动。

排气通道44具体可为连接于混合槽3顶端32上的排气管或者形成于混合槽3顶端32的排气孔。

进一步地,第一输送通道41具体设置为连接于第一溶液盛放槽1底端10和混合槽3顶端32之间的等径排液管,第二输送通道42具体设置为连接于第二溶液盛放槽2底端20和混合槽3顶端32之间的等径排液管。

当然,在替代实施例中,若混合槽3设置为顶端32不具有上盖板的敞口箱体,则第一输送通道41还可设置为形成于第一溶液盛放槽1底端10并正对混合槽3顶端32处敞口的排液口,类似的,第二输送通道42也可设置为形成于第一溶液盛放槽1底端10并正对混合槽3顶端32处敞口的排液口。

进一步地,表面处理装置100还包括称量天平7,称量天平7可用于称量醌氢醌,醌氢醌为配制醌氢醌溶液的固态溶质。

称量天平7至少部分位于第二溶液盛放槽2上方,并且,称量天平7被配置为:当醌氢醌的质量达到并超过称量目标值时,醌氢醌自动落入第二溶液盛放槽2内。

具体地,称量天平7包括砝码、支架71以及平衡杆72。称量天平7通过支架71固定支撑于平台8上;平衡杆72绕支点723转动地连接于支架71上,其具有位于支点723两侧的第一臂721和第二臂722、形成于第一臂721处的砝码盛放部73以及形成于第二臂722处的药品盛放部74。在称量时,所述砝码可放置于砝码盛放部73处,醌氢醌可放置于药品盛放部74处。

平衡杆72具有平衡状态和倾斜状态。在使用时,将适当的所述砝码放置于所述砝码盛放部73处,所述砝码的质量M1对应于所述称量目标值,而后向药品盛放部74内逐次添加醌氢醌,当添加的醌氢醌质量M2达到并略超过所述砝码的质量M1时,平衡杆72由平衡状态沿第一方向转动至倾斜状态。其中,所述第一方向依图中视角为逆时针方向,平衡杆72呈所述倾斜状态时,平衡杆72的第二臂722相对偏低。

在本申请中,当平衡杆72由转动至所述倾斜状态时,药品盛放部74位于第二溶液盛放槽2的药品投放口21b正上方,从而使得药品盛放部74内的醌氢醌恰好经药品投放口21b自动倾倒入第二溶液盛放槽2内。

这样,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,采用本申请的表面处理装置100配置醌氢醌溶液,当称量的醌氢醌质量M2达到并略微超过称量目标值时,平衡杆72即发生转动,醌氢醌自动添加至第二溶液盛放槽2内,无需实验员再手动添加,操作简便。

优选地,药品盛放部74为凹设于平衡杆72上表面的凹槽,该凹槽的底槽面与第二臂722远端面相连通,以使药品盛放部74内的醌氢醌可沿所述底槽面向第二臂722远端面滑动并倾倒至第二溶液盛放槽2内。

药品盛放部74的所述底槽面可为光滑、耐腐蚀、抗氧化的材质。

进一步地,称量天平7还包括锁紧机构,所述锁紧机构用于将所述砝码锁定于砝码盛放部73内。具体地,当平衡杆72转动至所述倾斜状态时,所述锁紧机构限制所述砝码与砝码盛放部73脱开。

在本实施例中,所述锁紧机构设置为所述砝码和砝码盛放部73之间彼此配合的螺纹结构,也即所述砝码外表面具有螺纹,砝码盛放部73处设置有螺纹,所述砝码可通过螺纹旋紧在砝码盛放部73内。当然,替代实施例中,所述锁紧机构还可设置为所述砝码和砝码盛放部73之间彼此配合的卡扣结构。

进一步地,称量天平7还包括限位件75,当添加的醌氢醌质量M2低于所述砝码的质量M1时,平衡杆72具有由平衡状态沿所述第一方向的反方向(图中视角下为顺时针方向)转动至第一臂721偏低的趋势,限位件75限制平衡杆72该转动以使平衡杆72保持在平衡状态。

在本实施例中,限位件75设置为支撑于平台8与第一臂721之间的支柱。

通过以上描述可以发现,本实用新型一实施例的表面处理装置100,应用于测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中时,具有以下有益效果:

(1)实验员只需要操作第一阀61和第二阀62即可配制钝化液,只需要操作第三阀63即可获取钝化液用于硅片表面处理,操作简便,而且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性;

(2)通过设置所述控制器、第一阀61和第二阀62,可使醌氢醌溶液与氟化氢溶液自动配制成所需的目标配比,无需实验员仔细观察,操作简便;而且,便于控制不同两次表面处理操作中钝化液的成分配比参数保持一致性;

(3)通过称量天平7称量醌氢醌,当醌氢醌质量M2达到并略微超过称量目标值时,平衡杆72由平衡状态转动为倾斜状态,醌氢醌自动添加至第二溶液盛放槽2内,无需实验员再手动添加,操作简便。

实施例2

参图2,本实用新型另一实施例提供的一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置100b,表面处理装置100b包括第一溶液盛放槽1b、第二溶液盛放槽2b、混合槽3b、第一输送通道41b、第二输送通道42b、设置于第一输送通道41b处的第一阀61b以及设置于第二输送通道42b处的第二阀62b。

第一溶液盛放槽1b的底端10b设置于混合槽3b的上方,其底端10b不低于混合槽3b的顶端32b。第一溶液盛放槽1b用于盛装第一溶液,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,利用所述第一溶液可去除硅片表面的氧化物,优选地,所述第一溶液为氟化氢溶液;第一输送通道41b连通第一溶液盛放槽1b和混合槽3b;第一阀61b可控地开启或闭合以相应的导通或切断第一输送通道41b。

具体来讲,当第一阀61b开启时,第一阀61b导通第一输送通道41,第一溶液盛放槽1b通过第一输送通道41b与混合槽3b流体连通,第一溶液盛放槽1b内的氟化氢溶液在重力作用下通过第一输送通道41b自动流向混合槽3b;当第一阀61b闭合时,第一阀61b切断第一输送通道41b,第一溶液盛放槽1b与混合槽3b无法流体连通,第一溶液盛放槽1b内的氟化氢溶液向混合槽3b的流动被切断。

第二溶液盛放槽2b的底端20b设置于混合槽3b的上方,其底端20b不低于混合槽3b的顶端32b。第二溶液盛放槽2b用于盛装第二溶液,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,利用所述第二溶液可对硅片表面进行钝化,优选地,所述第二溶液为醌氢醌溶液;第二输送通道42b连通第二溶液盛放槽2b和混合槽3b;第二阀62b可控地开启或闭合以相应的导通或切断第二输送通道42b。

具体来讲,当第二阀62b开启时,第二阀62b导通第二输送通道42b,第二溶液盛放槽2b通过第二输送通道42b与混合槽3b流体连通,第二溶液盛放槽2b内的醌氢醌溶液在重力作用下通过第二输送通道42b自动流向混合槽3b;当第二阀62b闭合时,第二阀62b切断第二输送通道42b,第二溶液盛放槽2b与混合槽3b无法流体连通,第二溶液盛放槽2b内的醌氢醌溶液向混合槽3b的流动被切断。

混合槽3b用于接收来自于第一溶液盛放槽1b的氟化氢溶液以及来自于第二溶液盛放槽2b内的醌氢醌溶液,并且将二者混合成钝化液。在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,该钝化液可用于硅片的表面处理,包括利用钝化液中的氟化氢去除硅片表面的氧化物、利用钝化液中的醌氢醌对硅片表面进行钝化。

通过上述可知,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,采用本申请的表面处理装置100b配制钝化液,实验员只需要操作第一阀61b和第二阀62b即可,不仅操作简便,而且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性。

其中,上述的“第一溶液盛放槽1b的底端10b设置于混合槽3b的上方”、“第二溶液盛放槽2b的底端20b设置于混合槽3b的上方”,具体可如附图实施例所示设置于混合槽3b正上方,还可在其他实施例中设于混合槽3b的斜上方。

第二输送通道42b出口端421b处的横截面积S2与第一输送通道41b出口端411b处的横截面积S1的比值为S2:S1;在竖直方向上,第二溶液盛放槽2b与第一溶液盛放槽1b的等深位置处的横截面积比值为R2:R1;其中S2:S1与R2:R1相同且均满足醌氢醌溶液与氟化氢溶液配制钝化液时的目标配比。

例如,若按照实验需求,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,醌氢醌溶液与氟化氢溶液配制钝化液时的目标配比为25:1,则第二输送通道42b出口端421b处的横截面积S2与第一输送通道41b出口端411b处的横截面积S1的比值S2:S1满足25:1,在竖直方向上第二溶液盛放槽2b与第一溶液盛放槽1b的等深位置处的横截面积比值R2:R1同样满足25:1。

通过上述可知,采用本申请的表面处理装置100b配制钝化液,实验员只需要同时开启第一阀61b和第二阀62b,即可使醌氢醌溶液与氟化氢溶液自动配制成所需的目标配比,不仅无需仔细观察配备,操作简便;而且,便于控制不同两次表面处理操作中钝化液的成分配比参数保持一致性,使测试结果稳定性强,保证结果更准确。

其中,第二溶液盛放槽2b中一个位置(例如y位置)与第二输送通道42b出口端421b在竖直方向上的高度差H2定义为第二溶液盛放槽2b该位置在竖直方向上的深度,第一溶液盛放槽1b中一个位置(例如x位置)与第一输送通道41b出口端411b在竖直方向上的高度差H1定义第一溶液盛放槽1b该位置在竖直方向上的深度。上述的“等深位置”指的是,在竖直方向上,第二溶液盛放槽2b上与第一溶液盛放槽1b上具有相同的深度的对应位置。

这样,在配制钝化液时,实验员只需要在开始时使得氟化氢溶液液面深度与醌氢醌溶液液面深度一致,并同时开启第一阀61b和第二阀62b,即可保证氟化氢溶液液面深度与醌氢醌溶液液面深度始终一致,进而可使醌氢醌溶液与氟化氢溶液自动配制成所需的目标配比。

进一步地,第二溶液盛放槽2b的底端20b和第一溶液盛放槽1b的底端10b位于同一水平面上;第一输送通道41b的出口端411b和第二输送通道42b的出口端421b位于同一水平面上。

优选地,第二溶液盛放槽2b、第一溶液盛放槽1b、第一输送通道41b、第二输送通道42b均设置为横截面积恒定。

具体来讲,第一输送通道41b为连接于第一溶液盛放槽1b底端10b和混合槽3b之间的等径管,其沿竖直方向延伸;第二输送通道42b与第一输送通道41b等长,第二输送通道42b为连接于第二溶液盛放槽2b底端20b和混合槽3b之间的等径管,其沿竖直方向延伸。第一输送通道41b和第二输送通道42b的长度相同。

进一步地,表面处理装置100b还包括第五输送通道45b以及设置于第五输送通道45b处的第五阀65b。第五输送通道45b连通第二溶液盛放槽2b和混合槽3b;第五阀65b可控地开启或闭合以相应的导通或切断第二输送通道42b。当第五阀65b开启时,第五阀65b导通第五输送通道45b,第二溶液盛放槽2b通过第五输送通道45b与混合槽3b流体连通,第二溶液盛放槽2b内的醌氢醌溶液在重力作用下通过第五输送通道45b自动流向混合槽3b;当第五阀65b闭合时,第五阀65b切断第五输送通道45b,第二溶液盛放槽2b与混合槽3b无法流体连通。

其中,第五输送通道45b的出口端451b处的横截面积S3与第二输送通道42b的出口端421b处的横截面积S2不同,从而使得第五输送通道45b的出口端451b处的横截面积S3与第二输送通道41b的出口端411b处的横截面积S1的比值S3:S1不相等于S2:S1。

在本实施例中,第五输送通道45b的数目设置为两个,相对应的,第五阀65b的数目也设置为两个。两个第五输送通道45b中,其一第五输送通道45b所确定的比值S3:S1大于S2:S1,另一第五输送通道45b所确定的比值S3:S1小于S2:S1。

例如,若按照实验需求,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,醌氢醌溶液与氟化氢溶液配制钝化液的目标配比为25:1,则第二输送通道42b所确定的比值S2:S1满足25:1,其一第五输送通道45b所确定的比值S3:S1为50:1(大于25:1),另一第五输送通道45b所确定的比值S3:S1为50:3(小于25:1)。这样,通过设置两个第五输送通道45b,在使用时,可通过两个第五输送通道45b对醌氢醌溶液与氟化氢溶液的配比进行微调,提升表面处理装置100b的通用性。

同样的,第五输送通道45b为连接于第二溶液盛放槽2b底端20b和混合槽3b之间的等径管,其沿竖直方向延伸;且第五输送通道45b的出口端451b和第二输送通道42b的出口端421b位于同一水平面上。

进一步地,在本实施例中,表面处理装置100b还包括排气通道44b、第三输送通道43b、表面处理槽5b、第三阀63b以及称量天平7b,这些部件的结构及有益效果与实施例1相同,具体请参照实施例1的描述及介绍,在此不再展开描述。

通过以上描述可以发现,本实施例的表面处理装置100b,应用于测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中时,具有如下有益效果:

(1)实验员只需要操作第一阀61b和第二阀62b即可配制钝化液,只需要操作第三阀63b即可获取钝化液用于硅片表面处理,操作简便,而且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性;

(2)通过设置第一输送通道41b、第二输送通道42b、第一溶液盛放槽1b、第二溶液盛放槽2b的横截面积,可使醌氢醌溶液与氟化氢溶液自动配制成所需的目标配比,无需实验员仔细观察,操作简便,装置简单且成本低;而且便于控制不同两次表面处理操作中钝化液的成分配比参数保持一致性;

(3)通过称量天平7b称量醌氢醌,当醌氢醌质量M2达到并略微超过称量目标值时,平衡杆72b由平衡状态转动为倾斜状态,醌氢醌自动添加至第二溶液盛放槽2b内,无需实验员再手动添加,操作简便。

应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本实用新型的保护范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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