1.一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通所述第一溶液盛放槽和所述混合槽的第一输送通道、连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的第二输送通道、设置于所述第一输送通道处的第一阀以及设置于所述第二输送通道处的第二阀；
所述第一溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽，所述第一阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第一输送通道；
所述第二溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽，所述第二阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第二输送通道；
所述混合槽用于将来自于所述第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于所述第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。
2.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述第一阀和所述第二阀均设置为流量阀，所述表面处理装置还包括控制器，所述控制器与所述第一阀、所述第二阀分别相连接以用于控制所述第一阀、所述第二阀开启或闭合。
3.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述第二输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S2:S1；在竖直方向上，所述第二溶液盛放槽与所述第一溶液盛放槽的等深位置处的横截面积比值为R2:R1；其中，S2:S1与R2:R1相同且均满足所述第二溶液和所述第一溶液配制钝化液时的目标配比。
4.根据权利要求3所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述表面处理装置还包括连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的两个第五输送通道以及设置于所述第五输送通道处的第五阀，所述第五阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第五输送通道；
其中，其一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1大于S2:S1，另一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1小于S2:S1。
5.根据权利要求4所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述第一溶液为氟化氢溶液，所述第二溶液为醌氢醌溶液；所述S2:S1为25:1，两个所述S3:S1分别为50:1、50:3。
6.根据权利要求3所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述第二溶液盛放槽的底端和所述第一溶液盛放槽的底端位于同一水平面上，所述第一输送通道连接所述第一溶液盛放槽的底端和所述混合槽，所述第二输送通道连接所述第二溶液盛放槽的底端和所述混合槽，所述第二输送通道的出口端与所述第一输送通道的出口端位于同一水平面上；所述第二溶液盛放槽、所述第一溶液盛放槽、所述第二输送通道、所述第一输送通道均设置为横截面积恒定。
7.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述表面处理装置还包括位于所述混合槽下方的表面处理槽、连通所述混合槽的底端和所述表面处理槽的第三输送通道以及设置于所述第三输送通道处的第三阀，所述第三阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第三输送通道。
8.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述表面处理装置还包括称量天平，所述称量天平用于称量所述第二溶液的固态溶质，所述称量天平包括砝码、支架及转动连接于所述支架的平衡杆，所述平衡杆具有放置所述砝码的砝码盛放部和放置所述固态溶质的药品盛放部；当所述固态溶质的质量达到并超过称量目标值时，所述平衡杆由平衡状态沿第一方向转动至倾斜状态，且所述药品盛放部位于所述第二溶液盛放槽的药品投放口正上方，以使所述固态溶质自动落入所述第二溶液盛放槽内。
9.根据权利要求8所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述称量天平还包括锁紧机构，当所述平衡杆转动至所述倾斜状态时，所述锁紧机构限制所述砝码与所述砝码盛放部脱开；所述锁紧机构设置为所述砝码和所述砝码盛放部之间彼此配合的螺纹结构或卡扣结构。
10.根据权利要求8所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置，其特征在于，所述称量天平还包括限位件，当所述固态溶质的质量低于称量目标值时，所述限位件限制所述平衡杆沿所述第一方向的反方向转动。