一种零序电流监测与补偿用电抗器的制作方法

本实用新型涉及一种零序电流监测与补偿用电抗器，属于电抗器技术领域。

背景技术：

零序电流主要产生于不对称运行和单相运行的线路中。例如：单相接地故障时，两相接地短路时，某一相断相或者两相断相时均有零序电流产生，由于瞬时或连续性的不对称负载电流，尤其通过中点的电流，会使电压的稳定性受到影响，如电压不对称、中点电压偏移，影响设备稳定运行。如在三相负荷不平衡运行下的变压器，会产生零序电流，零序电流的存在，会在铁芯中产生零序磁通，这些零序磁通就会在金属构件中构成回路。但设计时往往不考虑这些金属构件为导磁部件，则由此引起的磁滞和涡流损耗使这些部件发热，致使金属件温度异常升高，严重时将导致变压器或电机烧毁。零序电流可用零序电流互感器测量，功能较单一，补偿则用单独的补偿电抗器。目前，市场上没有一种既可用于零序电流监测，又可用于补偿的电抗器，因此设计一种零序电流监测与补偿用电抗器。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种零序电流监测与补偿用电抗器，它解决了目前市场上缺少一种既可用于零序电流监测，又可用于补偿的电抗器的问题。

本实用新型所要解决的技术问题采取以下技术方案来实现：

一种零序电流监测与补偿用电抗器，它包括密封磁罐、测量绕组、绝缘层、屏蔽铜箔、补偿绕组、密封树脂层；

所述密封磁罐由两个形状大小相同的上磁芯盖、下磁芯盖拼合而成，上磁芯盖、下磁芯盖内中部均设有磁芯环，磁芯环内开设有散热孔；

所述上磁芯盖的磁芯环外为依次套有测量绕组、绝缘层、屏蔽铜箔、绝缘层、补偿绕组、密封树脂层；

所述下磁芯盖的磁芯环外为依次套有绝缘层、补偿绕组、密封树脂层；

所述上磁芯盖内的补偿绕组与下磁芯盖内的补偿绕组是同一个补偿绕组，先在上磁芯盖内缠绕一部分，然后过渡到下磁芯盖内缠绕剩余部分。

作为优选实例，所述绝缘层采用预浸DMD绝缘层。

本实用新型的有益效果是：电抗器采用密封磁罐，测量绕组、补偿绕组缠绕其中，补偿绕组和测量绕组之间设置有屏蔽铜箔，避免相互干扰；兼具零序监测和补偿两种功能；绕组最外围采用密封树脂层灌封，机械强度高，适应能力强；结构紧凑，体积小，重量轻；散热孔能够提高散热性能。

附图说明

图1为本实用新型上磁芯盖的结构示意图；

图2为本实用新型上磁芯盖内部结构示意图；

图3为本实用新型下磁芯盖内部结构示意图；

图4为本实用新型外部结构示意图。

图中：密封磁罐1，上磁芯盖11，下磁芯盖12，磁芯环13，散热孔14，测量绕组2，绝缘层3，屏蔽铜箔4，补偿绕组5，密封树脂层6。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

如图1-图4所示，一种零序电流监测与补偿用电抗器，它包括密封磁罐1、测量绕组2、绝缘层3、屏蔽铜箔4、补偿绕组5、密封树脂层6；

密封磁罐1由两个形状大小相同的上磁芯盖11、下磁芯盖12拼合而成，上磁芯盖11、下磁芯盖12内中部均设有磁芯环13，磁芯环13内开设有散热孔14；

上磁芯盖11的磁芯环13外为依次套有测量绕组2、绝缘层3、屏蔽铜箔4、绝缘层3、补偿绕组5、密封树脂层6；

下磁芯盖12的磁芯环13外为依次套有绝缘层3、补偿绕组5、密封树脂层6；

上磁芯盖11内的补偿绕组5与下磁芯盖12内的补偿绕组5是同一个补偿绕组5，先在上磁芯盖11内缠绕一部分，然后过渡到下磁芯盖12内缠绕剩余部分。

绝缘层3采用预浸DMD绝缘层。DMD全称聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔，是由两层聚酯无纺布中间夹一层绝缘聚酯薄膜复合而成的三层绝缘材料。

在上磁芯盖11内，测量绕组2外包两层预浸DMD作为绝缘层3,绝缘层3上放置0.3mm屏蔽铜箔4，屏蔽铜箔4外通过绝缘层3包扎后绕制补偿绕组5，当补偿绕组5与空腔之间有2-3mm间隙时，将补偿绕组5过渡到下磁芯盖11内继续绕制补偿绕组5，直至补偿电感值达到所要求的范围，最后将测量绕组2和补偿绕组5引线引出，进行密封树脂层6灌封，待树脂固化后就形成一个坚固的整体。测量绕组2主要用于监测线路上的零序电流，当有零序电流时，会给线路保护系统发出信号，系统接收到信号后会将补偿绕组5投入进行零序电流补偿，用于中和发生单相或两相短路或者三相负荷不平衡时产生的零序电流。

电抗器采用密封磁罐1，测量绕组2、补偿绕组5缠绕其中，补偿绕组5和测量绕组2之间设置有屏蔽铜箔4，避免相互干扰；兼具零序监测和补偿两种功能；绕组最外围采用密封树脂层6灌封，机械强度高，适应能力强；结构紧凑，体积小，重量轻；散热孔14能够提高散热性能。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入本实用新型要求保护的范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。