1.一种芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，包括：芯片、导线架和低温固化胶层；
所述芯片和所述导线架互相平行；
所述低温固化胶层由固化温度为40℃～50℃的低温固化胶组成；
所述低温固化胶层位于所述芯片和所述导线架之间，且使所述芯片与所述导线架电性连接。
2.根据权利要求1所述的芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，所述导线架的中心设有一个长条形的第一缺口；
所述低温固化胶层设有第二缺口，所述第二缺口在所述芯片上的投影与所述第一缺口在所述芯片上的投影完全重叠，使所述芯片从所述第一缺口和所述第二缺口暴露在外；
所述第二缺口均位于所述芯片的中心；
所述导线架设有多根导线；
所述芯片与导线架的低温贴合结构还包括：多根金线；
各所述金线的一端与各所述导线分别连接，另一端位于所述第二缺口内且与所述芯片连接，使所述导线与所述芯片电性连接。
3.根据权利要求2所述的芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，所述导线架以所述芯片的中心呈对称结构。
4.根据权利要求1所述的芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，所述低温固化胶层的厚度为25nm。
5.根据权利要求2所述的芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，还包括：LOC贴布；
所述LOC贴布位于所述导线架和所述低温固化胶层之间，且使所述导线架与所述低温固化胶层电性连接；
所述LOC贴布设有第三缺口，所述第三缺口在所述芯片上的投影与所述第一缺口、所述第二缺口在所述芯片上的投影完全重叠，使所述芯片从所述第一缺口、所述第二缺口和所述第三缺口暴露在外。
6.根据权利要求5所述的芯片与导线架的低温贴合结构，其特征在于，所述LOC贴布的厚度为100nm。