1.一种MOS管的新型结构，包括装置主体（1），其特征在于：所述装置主体（1）的前端贯穿有第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5），所述第一极杆（3）位于第二极杆（4）的一侧，且第三极杆（5）位于第二极杆（4）的另一侧，所述装置主体（1）的后端设置有封装散热壳（2），所述封装散热壳（2）的两侧外表面均设置有预留槽（21），所述第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5）的外部靠近后端位置均设置有限位筒（6）。
2.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述限位筒（6）由加强基座（61）与限位管（62）组成，所述加强基座（61）与限位管（62）以及装置主体（1）为一体构件。
3.根据权利要求2所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述限位管（62）的内壁前端设置有导向柱（63），所述加强基座（61）与限位管（62）的长度至少为3mm。
4.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述封装散热壳（2）的内部设置有引出片（8），且引出片（8）与装置主体（1）内部的漏极相接，所述封装散热壳（2）与引出片（8）设置有导热硅脂层（23），且封装散热壳（2）的外表面开设有导热孔（22），所述封装散热壳（2）的材质为紫铜。
5.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述装置主体（1）的上端外表面设置有产品标示（7）。
6.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述第一极杆（3）为栅极极杆，所述第二极杆（4）为漏极极杆，所述第三极杆（5）为源极极杆。