一种MOS管的新型结构的制作方法

文档序号:17948517发布日期:2019-06-18 23:51阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种MOS管的新型结构,包括装置主体(1),其特征在于:所述装置主体(1)的前端贯穿有第一极杆(3)、第二极杆(4)与第三极杆(5),所述第一极杆(3)位于第二极杆(4)的一侧,且第三极杆(5)位于第二极杆(4)的另一侧,所述装置主体(1)的后端设置有封装散热壳(2),所述封装散热壳(2)的两侧外表面均设置有预留槽(21),所述第一极杆(3)、第二极杆(4)与第三极杆(5)的外部靠近后端位置均设置有限位筒(6)。

2.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构,其特征在于:所述限位筒(6)由加强基座(61)与限位管(62)组成,所述加强基座(61)与限位管(62)以及装置主体(1)为一体构件。

3.根据权利要求2所述的一种MOS管的新型结构,其特征在于:所述限位管(62)的内壁前端设置有导向柱(63),所述加强基座(61)与限位管(62)的长度至少为3mm。

4.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构,其特征在于:所述封装散热壳(2)的内部设置有引出片(8),且引出片(8)与装置主体(1)内部的漏极相接,所述封装散热壳(2)与引出片(8)设置有导热硅脂层(23),且封装散热壳(2)的外表面开设有导热孔(22),所述封装散热壳(2)的材质为紫铜。

5.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构,其特征在于:所述装置主体(1)的上端外表面设置有产品标示(7)。

6.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构,其特征在于:所述第一极杆(3)为栅极极杆,所述第二极杆(4)为漏极极杆,所述第三极杆(5)为源极极杆。

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