技术总结
本实用新型公开了一种MOS管的新型结构，包括装置主体，所述装置主体的前端贯穿有第一极杆、第二极杆与第三极杆，所述第一极杆位于第二极杆的一侧，且第三极杆位于第二极杆的另一侧，所述装置主体的后端设置有封装散热壳，所述封装散热壳的两侧外表面均设置有预留槽，所述第一极杆、第二极杆与第三极杆的外部靠近后端位置均设置有限位筒，所述限位筒由加强基座与限位管组成。本实用新型通过设置有一系列的结构使本装置在使用过程中能够有效地提高该管体的散热性能，可以很好地保护整个管体，一定程度上提高管体的使用寿命，并能够更方便的进行折弯工作，可以很好地保护各个极杆，方便满足不同安装环境的要求。
技术研发人员：李锋华
受保护的技术使用者：深圳市茂钿科技有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.06.18