1.一种分布式lc滤波器结构，包括：
基板，其具有蚀刻在其顶表面中的沟槽；
第一导电层(702)，其设置在所述沟槽中；
第一绝缘体-金属结构，其在所述沟槽中设置在所述第一导电层(702)的顶部上，所述第一绝缘体-金属结构包括设置在所述第一导电层(702)的顶部上的第一绝缘体层(704)以及设置在所述第一绝缘体层(704)的顶部上的第二导电层(706)；
第二绝缘体-金属结构，其在所述沟槽中设置在所述第一绝缘体-金属结构的顶部上，所述第二绝缘体-金属结构包括设置在所述第二导电层(706)的顶部上的第二绝缘体层(708)以及设置在所述第二绝缘体层(706)的顶部上的第三导电层(710)；
第一绝缘层(712)，其沿着所述基板的顶表面沉积在所述第三导电层(710)上方；
第一金属层(714)，其沉积在所述第一绝缘层(712)的顶部上；
第二绝缘层(716)，其沉积在所述第一金属层(714)的顶部上；
第二金属层(718)，其沉积在所述第二绝缘层(716)的顶部上；
第一接触阵列(724)，其将所述第一导电层(702)连接至所述第一金属层(714)；
第二接触阵列(720)，其将所述第二导电层(706)连接至所述第二金属层(718)；以及
第三接触阵列(722)，其将所述第三导电层(710)连接至所述第一金属层(714)。
2.根据权利要求1所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一导电层(702)、所述第二导电层(706)和所述第三导电层(710)分别提供第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极形成所述分布式lc滤波器的第一电容性单元。
3.根据权利要求2所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极形成所述分布式lc滤波器的第二电容性单元，所述第二电容性单元与所述第一电容性单元并联。
4.根据权利要求3所述的分布式lc滤波器结构，其中，在所述第一电容性单元和所述第二电容性单元中的至少一个中，所述第一电极和所述第二电极形成第一电容，并且所述第二电极和所述第三电极形成第二电容，所述第一电容与所述第二电容并联。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第二金属层(718)提供所述分布式lc滤波器结构的电感。
6.根据权利要求5所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一接触阵列(724)、所述第二接触阵列(720)和所述第三接触阵列(722)中的至少一个被配置成使得所述第一电容性单元和所述第二电容性单元中的至少一个的寄生电感与由所述第二金属层(718)提供的电感串联耦接。
7.根据权利要求5和6中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一电容性单元和所述第二电容性单元位于所述第二金属层(718)的整个长度之下，从而形成均匀分布的lc结构。
8.根据权利要求5和6中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一电容性单元和所述第二电容性单元位于所述第二金属层(718)的整个长度的仅一部分之下。
9.根据权利要求8所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述分布式lc滤波器结构包括l+lc滤波器、lc+l滤波器或l+lc+l滤波器中的一个。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第二金属层(718)具有长度和宽度，所述长度比所述宽度大至少100倍。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一金属层(714)连接至接地端子，并且所述第二金属层(718)连接至输入信号端子。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一接触阵列(724)、所述第二接触阵列(720)和所述第三接触阵列(722)具有相等的接触密度。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述第一接触阵列(724)、所述第二接触阵列(720)和所述第三接触阵列(722)具有相等的间距。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的分布式lc滤波器结构，其中，所述分布式lc滤波器结构耦接至接合在所述基板上的电源管理集成电路(pmic)倒装芯片。
15.一种dc-dc转换器，其包括根据权利要求1至14中任一项所述的分布式lc滤波器结构。