发光装置和照明装置的制作方法

本发明涉及使用led等的发光装置和照明装置。

背景技术：

近年来，代替荧光灯、电灯泡而使用了将led(laseremittingdiode：发光二极管)等半导体发光元件作为光源的照明装置。此外，例如，作为家电产品、乘用汽车等的涂装面的外观检查用光源也使用了将发光元件作为光源的照明装置。

半导体发光元件的放射光的波段窄，只能放射单一颜色的光。在想将照明光设为白色光的情况下，准备放射光的波段不同的多个半导体发光元件，通过多个放射光的混色来实现白色光。或者，准备通过同一波长的激励光来使波段不同的荧光发光的多个荧光体，将来自半导体发光元件的放射光与通过由来自半导体发光元件的放射光激励而发光的多个的荧光的混色来实现白色光。如果使用这样的混色的方法，则除了白色光以外，也能制造具有与目的相应的光谱(spectre)的光源(参照日本特开2015-126160号公报)。

然而，在日本特开2015-126160号公报所公开的技术中，在照射白色光时的照射面的外观与在日光下观察时的照射面的外观有时看起来不同。

技术实现要素：

本发明的一实施方式的发光装置具备波长变换构件和发光元件。波长变换构件具有：第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体。第一荧光体放射在400nm～500nm的波长区域具有第一峰值波长的荧光。第二荧光体放射在450nm～550nm的波长区域具有第二峰值波长的荧光。第三荧光体放射在500nm～600nm的波长区域具有第三峰值波长的荧光。第四荧光体放射在600nm～700nm的波长区域具有第四峰值波长的荧光。第五荧光体放射在680nm～800nm的波长区域具有第五峰值波长的荧光和位于比第五峰值波长靠长波长侧，在700nm～800nm的波长区域具有第六峰值波长的荧光。发光元件放射在380nm～430nm的波长区域具有第七峰值波长的光。此外，在发光装置中，对于380nm～950nm的波长区域中的发光光谱而言，在380nm～430nm的波长区域具有第八峰值波长，在430nm～480nm的波长区域具有第九峰值波长，在480nm～550nm的波长区域具有第十峰值波长，在550nm～650nm的波长区域具有第十一峰值波长，在650nm～750nm的波长区域有第十二峰值波长和第十三峰值波长，各个峰值波长的相对光强度差小于20％。

本发明的一实施方式的照明装置的特征在于，具备多个上述发光装置。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的发光装置的外观立体图。

图2是将图1所示的发光装置在以虚拟线表示的平面切断时的剖视图。

图3是图2所示的发光装置的放大图。

图4是表示在本实施方式的发光装置中使用的荧光体的第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体以及第四荧光体各自的荧光光谱的一个例子的图。

图5是表示在本实施方式的发光装置中使用的荧光体的第五荧光体的荧光光谱的一个例子的图。

图6是表示从在本实施方式的发光装置中使用的发光元件放射的激励光的发光光谱的一个例子的图。

图7是表示本发明的一实施方式的发光装置的发光光谱的图。

图8是具备本发明的实施方式的发光装置的照明装置的外观立体图。

图9是本发明的实施方式的照明装置的分解立体图。

图10是表示从本发明的实施方式的照明装置的壳体卸下透光性基板后的状态的立体图。

图11是表示本发明的一实施方式的发光装置的演色性的图。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的实施方式的发光装置和照明装置的实施方式进行说明。

<发光装置的构成>

图1是本发明的一实施方式的发光装置的外观立体图。图2是将图1所示的发光装置在以虚拟线表示的平面切断时的剖视图。图3是图2所示的发光装置的放大图。图4是表示在本实施方式的发光装置中使用的荧光体的第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体以及第四荧光体各自的荧光光谱的一个例子的图。图5是表示在本实施方式的发光装置中使用的荧光体的第五荧光体的荧光光谱的一个例子的图。图6是表示从在本实施方式的发光装置中使用的发光元件放射的激励光的发光光谱的一个例子的图。图7是表示本发明的一实施方式的发光装置的发光光谱的图。在这些图中，发光装置1具备：基板2、发光元件3、框体4、密封构件5以及波长变换构件6。

发光装置1具备：基板2；发光元件3，设于基板2上；框体4，在基板2上设为包围发光元件3；密封构件5，在由框体4所包围的内侧的空间内，残留由框体4所包围的空间的上部的一部分而填充；以及波长变换构件6，在由框体4所包围内侧的空间的上部的一部分，设为沿密封构件5的上表面收纳于框体4内。需要说明的是，发光元件3为例如led，通过使用了半导体的pn结(pnjunction)中的电子与空穴进行再结合，朝向外部放出光。

基板2是绝缘性的基板，由例如氧化铝或莫来石等陶瓷材料或者玻璃陶瓷材料等构成。或者，由混合了这些材料中的多个材料而成的复合材料形成。此外，基板2能使用使能够调整基板2的热膨胀的金属氧化物微粒子分散的高分子树脂。

至少在基板2的主面或基板2的内部设有将基板2的内外电导通的布线导体。布线导体由例如钨、钼、锰或铜等导电材料构成。在基板2由陶瓷材料形成的情况下，例如，通过在作为基板2的陶瓷生片以规定图案印刷向钨等粉末添加有机溶剂而得到的金属糊剂，层叠多个陶瓷生片，进行烧成来获得。需要说明的是，为了防止氧化，在布线导体的表面形成有例如镍或金等的镀层。此外，为了使光高效地反射到基板2上方，也可以与布线导体和镀层隔开间隔地在基板2的上表面形成例如铝、银、金、铜或铂等金属反射层。

发光元件3安装于基板2的主面上。发光元件3经由例如钎料或焊锡电连接于形成于基板2主面上的包覆于布线导体的表面的镀层上。发光元件3具有透光性基体和形成于透光性基体上的光半导体层。透光性基体使用有机金属气相生长法或分子线外延生长法等化学气相生长法，能够使光半导体层生长的方法即可。作为用于透光性基体的材料，能够使用例如蓝宝石(sapphire)，氮化镓、氮化铝、氧化锌、硒化锌、碳化硅、硅或二硼化锆等。需要说明的是，透光性基体的厚度为例如50μm以上1000μm以下。

光半导体层包括：第一半导体层，形成于透光性基体上；发光层，形成于第一半导体层上；以及第二半导体层，形成于发光层上。第一半导体层、发光层以及第二半导体层能够使用例如iii族氮化物半导体、磷化镓或砷化镓等iii-v族半导体或者例如氮化镓、氮化铝或氮化铟等iii族氮化物半导体等。需要说明的是，第一半导体层的厚度为例如1μm以上5μm以下，发光层的厚度为例如25nm以上150nm以下，第二半导体层的厚度为例如50nm以上600nm以下。此外，这样构成的发光元件3能够发出例如370nm以上420nm以下的波长范围的激励光。

框体4由例如氧化铝、氧化钛、氧化锆或氧化钇等陶瓷材料或者多孔质材料或者将由氧化铝、氧化钛、氧化锆或氧化钇等金属氧化物构成的粉末混合而成的树脂材料形成。框体4经由例如树脂、钎料或焊锡等连接于基板2的主面。框体4以与发光元件3隔开间隔并包围发光元件3的方式设于基板2的主面上。此外，框体4形成为，倾斜的内壁面随着从基板2的主面远离而朝向外侧扩展。并且，框体4的内壁面作为从发光元件3发出的激励光的反射面发挥功能。需要说明的是，俯视时，若将框体4的内壁面的形状设为圆形，则能够使发光元件3放射的光同样地在反射面朝向外侧反射。

此外，框体4的倾斜的内壁面也可以例如在由烧结材料构成的框体4的内周面形成由钨、钼以及锰等形成的金属层和由包覆金属层的镍或金等形成的镀层。该镀层具有使发光元件3的发出的光反射的功能。需要说明的是，框体4的内壁面的倾斜角度相对于基板2的主面设定为例如55度以上70度以下的角度。

在由基板2和框体4所包围的内侧的空间中填充有透光性的密封构件5。密封构件5将发光元件3密封，并且将从发光元件3的内部发出的光取出至外部。而且，具备使取出至发光元件3的外部的光透过的功能。密封构件5在由基板2和框体4所包围的内侧的空间内，残留由框体4所包围的空间的一部分而填充。密封构件5使用例如硅树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂等透光性的绝缘树脂、透光性的玻璃材料。密封构件5的折射率设定为例如1.4以上1.6以下。

波长变换构件6沿密封构件5的上表面设于由基板2和框体4所包围的内侧的空间的上部波长变换构件6形成为收纳于框体4内。波长变换构件6具有变换发光元件3的发出的光的波长的功能。即，波长变换构件6使从发光元件3发出的光经由密封构件5向内部入射，在内部所含有的荧光体通过从发光元件3发出的光被激励，发出来自荧光体的荧光，并且使来自发光元件3的光的一部分透过、放射。波长变换构件6由例如，氟树脂、硅树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂等透光性的绝缘树脂，或透光性的玻璃材料构成，在该绝缘树脂、玻璃材料中含有荧光体。荧光体均匀地分散在波长变换构件6中。

作为发光元件3和波长变换构件6中所含有的荧光体，从发光装置1发出的光的发光光谱被选择为如图7所示的发光光谱。

在本发明的实施方式的发光装置1中，使用第七峰值波长λ7为380nm～430nm的发光元件3，作为荧光体，使用：第一荧光体111，具有第一峰值波长λ1并且发出蓝色的荧光；第二荧光体112，具有第二峰值波长λ2并且发出蓝绿色的荧光；第三荧光体113，具有第三峰值波长λ3并且发出绿色的荧光；第四荧光体114，具有第四峰值波长λ4并且发出红色的荧光；第五荧光体115，具有光强度不同的第五峰值波长λ5和第六峰值波长λ6并且发出近红外区域的荧光。需要说明的是，蓝色表示在400nm～500nm的波长区域存在第一峰值波长λ1，蓝绿色表示在450nm～550nm的波长区域存在第二峰值波长λ2，绿色表示在500nm～600nm的波长区域存在第三峰值波长λ3，红色表示在600nm～700nm的波长区域存在第四峰值波长λ4，近红外区域表示在680nm～800nm的波长区域存在第五峰值波长λ5和第六峰值波长λ6。需要说明的是，近红外区域为680nm～2500nm的波段，但在本发明的实施方式的发光装置1中，在上述范围具有峰值波长。

各荧光体为例如：表示蓝色的第一荧光体111为bamgal10o17：eu、(sr，ca，ba)10(po4)6cl2：eu，(sr，ba)10(po4)6cl2：eu；表示蓝绿色的第二荧光体112为(sr，ba，ca)5(po4)3cl：eu，sr4al14o25：eu。表示绿色的第三荧光体113为srsi2(o，cl)2n2：eu、(sr，ba，mg)2sio4：eu²⁺、zns：cu，al、zn2sio4：mn。作为红色的第四荧光体114为y2o2s：eu、y2o3：eu、srcaclalsin3：eu²⁺、caalsin3：eu、caalsi(on)3：eu。表示近红外领域的第5荧光体115为3ga5o12：cr。

本发明的实施方式的发光装置1在作为发光光谱的波长区域的380nm～950nm的波长区域中，将从第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113、第四荧光体114以及第五荧光体115放射的荧光与从发光元件3放射的光进行合成。由此，能够放射发光光谱，所述发光光谱在380nm～430nm的波长区域有第八峰值波长λ8，在430nm～480nm的波长区域有第九峰值波长λ9，在480nm～550nm的波长区域有第十峰值波长λ10，在550nm～650nm的波长区域有第十一峰值波长λ11，在650nm～750nm的波长区域有第十二峰值波长λ12和第十三峰值波长λ13。而且，在本发明的实施方式的发光装置1中，第八峰值波长λ8、第九峰值波长λ9、第十峰值波长λ10、第十一峰值波长λ11、第十二峰值波长λ12以及第十三峰值波长λ13的相对光强度差，即，图7的纵轴所示的、各个峰值波长的相对光强度的差较小。就是说，如图7所示，第八峰值波长λ8～第十三峰值波长λ13的各峰值波长的相对光强度差为20％，就是说小于0.2。

由此，本发明的实施方式的发光装置1能够减小由于第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113、第四荧光体114以及第五荧光体115的温度变动，从各个荧光体放射的、峰值波长的荧光的输出变动而产生的、从发光装置1放射的光的颜色的偏差。即，即使在从第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113、第四荧光体114以及第五荧光体115中的一个荧光体放射的、峰值波长的荧光的输出变动的情况下，也提高了能通过从其他荧光体放射的荧光来保持来自发光装置1的光的颜色的可能性。因此，本发明的实施方式的发光装置1能降低由于从各荧光体放射的、峰值波长的荧光的强度变动而产生的、从发光装置1放射的光的颜色的偏差。

而且，本发明的实施方式的发光装置1能放射近似于太阳光的光谱的、演色性高的光。即，能减小太阳光的光谱的相对光强度与本发明的实施方式的发光装置1的发光光谱的相对光强度的差，能制作具有近似于太阳光的光谱的发光光谱的发光装置1。

在本发明的其他实施方式的发光装置1中，380nm～430nm的波长区域的分光分布(发光光谱的积分值，即光强度)为380nm～950nm的波长区域的分光分布的2％～10％。由此，在发光装置1中，除了从第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113、第四荧光体114以及第五荧光体115放射的荧光之外，还放射从发光元件3放射的具有第七峰值波长λ7的光。其结果是，发光装置1能放射近似于太阳光的光谱的光，并且能放射颜色的偏差较小的光。即，发光装置1能放射具有遍及380nm～950nm的波长区域的发光光谱的光，并且能抑制由于发光元件3、荧光体的一部分的光强度，即，图7的纵轴所示的相对光强度变动所产生的、从发光装置1放射的光的颜色的偏差。

而且，在本发明的其他实施方式的发光装置1中，在发光光谱中第八峰值波长λ8至第九峰值波长λ9的波段的光强度的最大值与最小值的差以相对光强度计为0.5以下，就是说为50％以下。由此，对于发光装置1而言，在从发光元件3放射的光的第七峰值波长λ7因发光元件3的温度上升而向长波长侧(蓝色侧)变动时，，能降低接近第一峰值波长λ1的蓝色的光强度变动的可能性。其结果是，发光装置1能放射近似于太阳光的光谱的光，并且能放射颜色的偏差较小的光。

而且，在本发明的其他实施方式的发光装置1中，620nm～850nm的波长区域的分光分布为380nm～950nm的波长区域的分光分布的35％～45％。由此，发光装置1能降低在工作时放射的光的颜色变动的可能性，并且能放射具有大多包括红色区域和近红外区域的光的近似于太阳光的光谱的光。就是说，即使光强度在380nm～620nm的波长区域变动，如果620nm～850nm的波长区域的光强度的分光分布为380nm～950nm的波长区域的分光分布的35％以上，则红色光的维持会变得容易，如果为45％以下，则能容易地抑制红色光过强。由此，在发光装置1中，例如，能降低因相对可见度高的550nm附近的光的强度变动而导致的、从发光装置1放射的光的颜色的变动。

此外，在本发明的其他实施方式的发光装置1中，450nm～620nm的波长区域的发光光谱的最大值与最小值的相对光强度差为20％以下。由此，发光装置1能降低放射的光的颜色的偏差变大的可能性。即，在使发光装置1进行工作时，即使荧光体发热并且荧光体的发光效率变动，从荧光体放射的荧光的强度变动，在450nm～620nm的波长区域中，从发光装置1放射的光不依赖于一部分的波长区域的光强度，因此即使从各个荧光体放射的荧光的强度变动，也能够降低从发光装置1放射的光的颜色的偏差，并且能高效地放射演色性高、近似于太阳光的光谱的光。即，对于发光装置1而言，光能量不集中于发光光谱的一部分，而在450nm～620nm的波长区域中无遗漏地分散，因此能高效地放射颜色的偏差小、演色性高、近似于太阳光的光谱的光。

发光装置1的第八峰值波长λ8的相对光强度与发光装置1的发光光谱的光强度的最大值相比较小，且相对光强度差为30％以下。由此，发光装置1能抑制由于在使发光装置1工作时因在发光元件3中产生的热、在荧光体中产生的热引起发光元件3、荧光体的发光效率变动、各个光强度变动而产生的从发光装置1放射的光的颜色的偏差。而且，发光装置1能降低在发光装置1的照射面上来自发光元件3的光的颜色和来自荧光体的光成为的斑而出现的可能性。

此外，在图7所示的发光装置1的发光光谱中，本发明的其他实施方式的发光装置1将第十二峰值波长λ12的光强度设为最大。其结果是，发光装置1能降低因从第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113以及第四荧光体114放射的荧光的强度变动而导致的、从发光装置1放射的光的演色性、红色的再现性变动的可能性。

而且，在本发明的其他实施方式的发光装置1中，也可以如图5所示，第五荧光体115的第五峰值波长λ5的光强度比第六峰值波长λ6小。就是说，从第五荧光体产生的680nm～700nm的峰值的光强度比700nm以上的波长的峰值的光强度小。由此，在从第四荧光体放射的光和从第五荧光体放射的光的峰值波长可能会重叠的680nm～700nm中，能降低光强度与其他波长区域相比突出而变大的可能性。换言之，在图7的发光光谱中，发光装置1能降低从第四荧光体114放射的荧光和从第五荧光体115放射的荧光合成而得到的第十二峰值波长λ12的光强度过大的可能性。

图6示出了从用于本发明的实施方式的发光装置1的发光元件3放射的激励荧光体的光(以下，也称为激励光)的发光光谱的一个例子，图4和图5示出了在本实施方式的发光装置1中使用的荧光体的第一荧光体111、第二荧光体112、第三荧光体113、第四荧光体114以及第五荧光体115的各自的荧光光谱的一个例子。图4～图7是在各个光谱中，以将最高的光强度设为1的相对光强度表示的光谱。需要说明的是，图4～7所示的发光光谱和各荧光光谱基于测定的实测值表示相对光强度。

在建筑物内、房屋内等室内所使用的照明装置中，本发明的实施方式的发光装置1例如以排列多个而构成的形态等被利用。例如，如果是居住空间的照明装置，则即使在室内也能构建像照射了太阳光的照明环境。此外，如果作为涂装的物品，例如乘用汽车等的外观检查用的照明装置使用，则即使在室内也能构建像照射了太阳光的检查环境。通过在室内也照射接近于太阳光的光，能使视觉表现接近于在太阳光下可见的颜色(演色性的提高)，在进行颜色的检查的情况下，能更准确地进行检查。以下，参照附图对具备本实施方式的发光装置1的照明装置的一个例子进行说明。

<照明装置的构成>

图8是具备本实施方式的发光装置的照明装置的外观立体图，图9是图8所示的照明装置的分解立体图。图10是表示从图8所示的照明装置的壳体卸下透光性基板后的状态的立体图。

照明装置10具备：长条的壳体11，在照明装置10的上方开口；多个发光装置1，在壳体11内沿长尺寸方向排列成线状；长条的布线基板12，安装有多个发光装置1；以及长条的透光性基板13，由壳体11支承，阻塞壳体11的开口。

壳体11具有保持透光性基板13的功能和使发光装置1的发出的热向外部散发的功能。壳体11例如由铝、铜或不锈钢等金属、塑料或树脂等构成。壳体11包括：长条的主体部21，具有沿长尺寸方向延伸的底部21a和从底部21a的宽度方向的两端部直立设置并沿长尺寸方向延伸的一对支承部21b，在上方和长尺寸方向的两侧开口；以及两个盖部22，分别阻塞主体部21的长尺寸方向一侧和另一侧的开口。在各支承部21b的壳体11的内侧的上部设有保持部，所述保持部形成为用于沿长尺寸方向保持透光性基板13的凹处彼此对置。壳体11的长尺寸方向的长度设定为例如100mm以上2000mm以下。

布线基板12固定于壳体11内的底面。布线基板12例如使用刚性基板、柔性基板或刚柔结合基板等印刷基板。布线基板12的布线图案与发光装置1的基板2的布线图案经由焊锡或导电性粘接剂电连接。然后，来自布线基板12的信号经由基板2传递至发光元件3，发光元件3发光。需要说明的是，在布线基板12中，从设于外部的电源经由布线供给电力。

透光性基板13由使从发光装置1发出的光透过的材料构成，例如，由丙烯酸树脂或玻璃等透光性材料构成。透光性基板13为矩形的板体，长尺寸方向的长度例如设定为98mm以上1998mm以下。透光性基板13从主体部21的长尺寸方向一侧或另一侧的开口插入至形成于上述各支承部21b的凹处内，并沿长尺寸方向滑动，由此在从多个发光装置1分离的位置，由一对支承部21b支承。然后，通过将主体部21的长尺寸方向一侧和另一侧的开口用盖部22阻塞而构成照明装置10。

需要说明的是，上述照明装置10为将多个发光装置1排列成直线状而成的线发光的照明装置，但并不限于此，也可以是将多个发光装置1排列成矩阵状、交错格子状而成的面发光的照明装置。

发光装置1作为在一个波长变换构件6中所包括的荧光体，可以像上述那样，采用包括五种荧光体的构成，所述五种荧光体包括放射蓝色的荧光的第一荧光体111，放射蓝绿色的荧光的第二荧光体112，放射绿色的荧光的第三荧光体113，放射红色的荧光的第四荧光体114以及放射近红外区域的荧光的第五荧光体115，但并不限于此，也可以具备两种波长变换构件。在具备两种波长变换构件的情况下，作为第一波长变换构件，使与第二波长变换构件不同的荧光体分散或者以不同的组合使荧光体分散，在一个发光装置设置这两个波长变换构件，也可以将穿过各个波长变换构件出射的光混合。由此，能容易地控制放射的光的演色性。

实际制作图1～3所示的发光装置1来对演色性进行评价。放射激励光的发光元件3是发出峰值波长为405nm、半幅值为15nm的光的、由氮化镓形成的发光元件，发光光谱为图7所示的发光光谱。这些光谱能以使用例如分光测光装置等的分光法等进行测定。

第一荧光体111为(sr，ca，ba)10(po4)6cl2：eu，荧光光谱为图4所示的包括第一峰值波长λ1的荧光光谱。表示蓝绿色的第二荧光体112为sr4al14o25：eu，荧光光谱为图4所示的包括第二峰值波长λ2的荧光光谱。表示绿色的第三荧光体113为srsi2(o，cl)2n2：eu，荧光光谱为图4所示的包括第三峰值波长λ3的荧光光谱。表示红色的第四荧光体114为caalsi(on)3：eu，荧光光谱为图4所示的包括第四峰值波长λ4的荧光光谱。表示近红外区域的第五荧光体115为3ga5o12：cr，荧光光谱为图5所示的包括第五峰值波长λ5和第六峰值波长λ6的荧光光谱。

制作出的发光装置1的发光光谱为图7所示的发光光谱。此外，在图11示出了本发明的实施方式的发光装置1的演色性。演色性的评价依据jisz8726-1990的演色性评价方法。将试样光源设为实施例的发光装置1，将色度坐标设为(x，y)＝(0.3443，0.3558)，将基准的光设为cie(commissionintemationaledel′e′clairage：国际照明委员会)日光。

平均演色评价数ra(r1～r8的算术平均)有越接近太阳光的光谱则值越变大的倾向(上限值为100)，因此意味着作为试样光源的发光装置1的发光光谱越接近太阳光的光谱则ra越高，演色性越高。此时，若进行本发明的实施方式的发光装置1的演色性评价，则可知显示98％以上。

因此，根据本发明的实施方式的发光装置1，通过放射如图7所示的发光光谱的光，从而显示如图11所示的演色性。因此，能使发光装置1的发光光谱近似于太阳光的光谱，并且能实现演色性高的发光装置1。

需要说明的是，本发明并不限定于上述实施方式的例子，能进行数值等各种变形。本实施方式的特征部的各种组合也不限定于上述实施方式的例子。

附图标记说明

1发光装置

111第一荧光体

112第二荧光体

113第三荧光体

114第四荧光体

115第五荧光体

2基板

3发光元件

4框体

5密封构件

6波长变换构件

10照明装置

11壳体

12布线基板

13透光性基板

λ1第一峰值波长

λ2第二峰值波长

λ3第三峰值波长

λ4第四峰值波长

λ5第五峰值波长

λ6第六峰值波长

λ7第七峰值波长

λ8第八峰值波长

λ9第九峰值波长

λ10第十峰值波长

λ11第十一峰值波长

λ12第十二峰值波长

λ13第十三峰值波长