本发明涉及晶片表面的研磨所使用的研磨用组合物，特别是涉及在晶片的研磨工序中用于形成没有晶片周边部(例如也称为激光标记部分)的高低差的、平坦的研磨面的研磨用组合物。
背景技术：
半导体制品所使用的硅晶片经过擦光工序(粗研磨工序)和抛光工序(精密研磨工序)而加工成镜面。抛光工序包含预抛光工序(预研磨工序)和精抛光工序(精研磨工序)。
对于硅晶片，有时出于识别等目的，通过对该硅晶片的表面照射激光而带上条形码、数字、符号等标记(激光标记)。激光标记的赋予一般在结束硅基板的擦光工序后、开始抛光工序前进行。通常，由于用于带上激光标记的激光的照射，从而在激光标记周缘的硅晶片表面产生隆起(鼓起)。硅晶片之中的激光标记的部分本身不用于最终制品，但在赋予激光标记后的抛光工序中如果上述隆起不被适当消除，则可能有时成品率超乎必要地降低。因此，期望在预研磨工序中将激光标记周缘的隆起适当消除。
所谓消除激光标记的隆起，是使从晶片的激光标记周边的基准平面(水平面)到隆起的最高点的高度小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开2015/019706小册子
专利文献2：国际公开2017/110315小册子
专利文献3：日本特开2017-183359
技术实现要素：
发明所要解决的课题
本发明的目的是提供在晶片的研磨工序中以消除激光标记周边部的隆起作为目的而获得平坦的研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的研磨方法。
用于解决课题的手段
本申请发明中作为第1观点，是一种研磨用组合物，其用于消除带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起，该研磨用组合物包含水溶性化合物、螯合剂和金属氧化物粒子，并且ph值为7～12，该水溶性化合物具有疏水性部分和亲水性部分，该亲水性部分在其末端或侧链具有羟基、且具有羟基烷基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基，该水溶性化合物在研磨用组合物中含量为5～700ppm，
作为第2观点，是第1观点所述的研磨用组合物，上述金属氧化物粒子为二氧化硅粒子、二氧化锆粒子、或二氧化铈粒子，所述二氧化硅粒子、二氧化锆粒子、或二氧化铈粒子的平均一次粒径为5～100nm，
作为第3观点，是第1观点所述的研磨用组合物，上述水溶性化合物的疏水性部分具有葡萄糖结构、亚烷基、亚烷基氧基、或其重复单元，
作为第4观点，是第1观点～第3观点中任一项所述的研磨用组合物，上述水溶性化合物为具有下述式(1)、式(2)、或式(3)的结构单元的化合物，
(式中，n1表示整数1～5，n2表示整数100～10000，n3表示整数1～30，r1表示-ococh3基、-cooh基、-coom基、-so3h基、或-so3m基，m表示na、k、或nh4，式(3-1)的结构单元的数目n4与式(3-2)的结构单元的数目n5的合计n4+n5表示整数100～10000。)
作为第5观点，是第1观点～第4观点中任一项所述的研磨用组合物，上述螯合剂为氨基羧酸系螯合剂或膦酸系螯合剂，
作为第6观点，是第1观点～第5观点中任一项所述的研磨用组合物，上述氨基羧酸系螯合剂为乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟基乙基乙二胺三乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、1,3-丙二胺四乙酸、1,3-二胺-2-羟基丙烷四乙酸、羟基乙基亚氨基二乙酸、二羟基乙基甘氨酸、乙二醇醚二胺四乙酸、二羧基甲基谷氨酸、或乙二胺-n,n’-二琥珀酸，
作为第7观点，是第1观点～第5观点中任一项所述的研磨用组合物，上述膦酸系螯合剂为羟基乙叉二膦酸、氮川三(亚甲基膦酸)、膦酰基丁烷三甲酸、或乙二胺四(亚甲基膦酸)，
作为第8观点，是第1观点～第7观点中任一项所述的研磨用组合物，进一步作为碱成分，包含氢氧化铵、氢氧化伯铵、氢氧化仲铵、氢氧化叔铵、氢氧化季铵、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢锂、碳酸氢钠、碳酸氢钾、氢氧化钠、或氢氧化钾，
作为第9观点，是一种晶片的研磨方法，其包含下述工序：使用第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨的工序，
作为第10观点，是一种晶片的研磨方法，其包含下述工序：对带有激光标记的晶片进行预研磨的工序；使用第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨的工序，以及
作为第11观点，是第9观点或第10观点所述的晶片的研磨方法，上述对隆起进行研磨的工序为对相对于上述带有激光标记的晶片表面的水平面为50nm～500nm高度的激光标记周边部的隆起进行研磨直到相对于该水平面成为30nm～负10nm高度的工序。
发明的效果
本发明的研磨用组合物的目的是在晶片的研磨工序中消除对晶片周边部赋予的激光标记的周边部的隆起。
关于研磨用组合物的研磨性能，组合物中的二氧化硅粒子和水以外的成分的作用大。
激光标记周边部的隆起部分由于与其它部分相比润湿性高，因此为了研磨成分效率好地接触，在研磨剂组合物中要求亲水性与疏水性的平衡适当的水溶性化合物作为添加剂。作为水溶性化合物，可举出例如具有疏水性部分和亲水性部分的化合物、低聚物和聚合物。
发现例如聚合物的中心部为疏水性、周围为亲水性的物质能够有效率地使研磨成分(例如，二氧化硅粒子、二氧化锆粒子和二氧化铈粒子等)与激光标记周边部的隆起接触。
例如，通过使包含聚合物的疏水性主链、与亲水性的末端和/或侧链的结构的物质存在于研磨用组合物中从而能够有效率地使研磨成分(例如，二氧化硅粒子、二氧化锆粒子和二氧化铈粒子等)与激光标记的周边部的隆起接触。
在这样的具有亲水性部分和疏水性部分的聚合物等水溶性化合物中，亲水性部分的一个为羟基，其它为羟基烷基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、和磺酸盐基。在聚合物等水溶性化合物中，必须在亲水性部分具有羟基并具有其它亲水性基。通过该官能团的组合，本发明的研磨用组合物可以实现良好的激光标记消除性。该官能团的组合使聚合物改性，改性可以通过将羟基甲基的氢原子的一部分置换成上述羟基乙基、多羟基烷基、将羟基的氢原子转变为酰基(作为结果，赋予酰氧基)来实现。
例如，通过将纤维素、聚乙烯醇、聚甘油等的羟基的一部分改性为上述其它亲水性基，可以实现上述官能团的组合。
此外，也可以通过将乙烯醇、与其它的具有羧酸基、磺酸基的含有乙烯基的单体进行共聚来实现。这些羧酸基、磺酸基可以通过用氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、氨水溶液进行中和来形成羧酸盐基、磺酸盐基。
在亲水性部分中，羟基、与羟基烷基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基的比例，作为前者与后者的摩尔比，通过使后者的比例高而更为提升。
此外，由于研磨成分(例如，二氧化硅粒子、二氧化锆粒子和二氧化铈粒子等)与激光标记的周边部的隆起能够有效率地接触，因此本发明的研磨用组合物即使研磨成分、添加剂的含量与以往的研磨剂相比为低浓度也可以发挥良好的研磨性能。此外本发明的研磨用组合物由于以低浓度含有研磨成分因此研磨阻力比较小，可以抑制研磨面的损伤的发生。
具体实施方式
本发明是一种研磨用组合物，其用于消除带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起，该研磨用组合物包含水溶性化合物、螯合剂和金属氧化物粒子，并且ph值为7～12，该水溶性化合物具有疏水性部分和亲水性部分，该亲水性部分在其末端或侧链具有羟基、且具有羟基乙基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基，该水溶性化合物在研磨用组合物中含量为5～700ppm、或10～500ppm。
所谓上述亲水性部分在其末端或侧链具有羟基、并且具有羟基烷基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基，是指羟基、以及羟基烷基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基成为在该水溶性化合物的末端或侧链的部分存在的亲水性基。此外，优选在具有式(3)的结构单元的化合物中在化合物的侧链具有羟基、并具有其它亲水性基，在该情况下该化合物的末端成为阻聚基。
作为羟基烷基，可举出例如碳原子数2～10的羟基烷基，可举出例如羟基乙基、羟基丙基。
上述研磨用组合物包含水，可以稀释为所希望的浓度。此外根据需要可以含有表面活性剂。
金属氧化物粒子可以直接添加于研磨用组合物，此外也可以以水性介质的溶胶、更优选为水的溶胶的形态添加。此外，也可以在金属氧化物微粒的溶胶中添加其它成分而获得研磨用组合物。在溶胶中包含粗大粒子(例如，0.5μm以上)的情况下，优选通过公知的方法除去后，用于研磨用组合物。
金属氧化物粒子是研磨粒子，并且是溶胶中的平均一次粒径为5～100nm的二氧化硅粒子、二氧化锆粒子、或二氧化铈粒子，是基于这些金属氧化物溶胶的金属氧化物粒子。
上述研磨用组合物的固体成分为0.1～15质量％。固体成分为从研磨用组合物除去水性介质后剩余的成分。所谓水性介质，是以水作为主成分的液体，可以含有亲水性有机溶剂。
金属氧化物粒子在研磨用组合物中可以以0.1～10质量％、或0.1～5质量％、或0.1～1质量％的范围含有。作为金属氧化物粒子，特别优选为二氧化硅粒子。
作为所使用的金属氧化物粒子，可以使用市售的制品或通过公知的方法制造的金属氧化物粒子，没有特别限定，可以使用例如平均一次粒径为5～100nm的金属氧化物粒子。例如，所使用的二氧化硅粒子可以使用基于平均一次粒径为5～100nm的二氧化硅粒子的水性分散体的二氧化硅粒子。这些水性分散体为二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶中的二氧化硅为本发明的研磨组合物中的二氧化硅粒子，二氧化硅溶胶中的水性介质可以置换成研磨用组合物中的水。研磨用组合物中的水起因于上述二氧化硅溶胶中的水，但除此以外可以加上作为稀释水而加入的水。
本发明所使用的二氧化硅粒子优选为由氮吸附法求出的平均一次粒径为5～100nm的胶态二氧化硅。如果平均一次粒径小于5nm则有研磨速度变低的可能性，此外二氧化硅粒子的凝集易于发生，因此研磨液组合物的稳定性变低。如果平均一次粒径大于100nm则在晶片表面易于产生划痕，此外有研磨面的平坦性变差的可能性。
二氧化锆粒子和二氧化铈粒子等其它金属氧化物粒子也同样。
在二氧化硅粒子被分散于水性介质而得的二氧化硅溶胶中包含0.5μm以上的粗大粒子的情况下，优选将该粗大粒子除去。二氧化锆粒子和二氧化铈粒子等其它金属氧化物粒子分散而得的金属氧化物粒子溶胶也同样。为了除去粗大粒子，可举出强制沉降法、精密过滤法。精密过滤所使用的过滤器有深层过滤器、褶皱过滤器、膜滤器、中空纤维过滤器等，都可以使用。此外，过滤器的材质有棉、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚醚砜、尼龙、纤维素、玻璃等，都可以使用。过滤器的过滤精度由绝对过滤精度(99.9％以上被捕捉的粒子的大小)表示，但在上述二氧化硅粒子等金属氧化物粒子中，从生产效率(处理时间、过滤器的堵塞程度等)的观点考虑，优选用绝对过滤精度0.5μm～1.0μm的过滤器进行处理。
可以将二氧化硅溶胶、二氧化锆溶胶、二氧化铈溶胶等金属氧化物水性溶胶用氨等进行ph调整，在这些水性溶胶中添加聚合物、螯合剂等。金属氧化物溶胶的ph调整可以在化合物(聚合物)、螯合剂的添加前、添加后、或添加前后进行。
本发明的研磨用组合物的ph可以设定为7～12、9～12、或9.5～11、或10～11的范围。
作为用于设定为这些ph的碱成分，可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨、氢氧化伯铵、氢氧化仲铵、氢氧化叔铵、氢氧化季铵、有机胺、碱金属碳酸盐等的水溶液。特别优选使用氨水溶液、氢氧化钾水溶液。
基于氨的铵盐可举出例如，氢氧化铵、碳酸铵、碳酸氢铵等。其中优选为氢氧化铵。
此外，作为基于氨的铵盐，可举出季铵盐，可举出例如氢氧化四甲基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化三乙基甲基铵、氢氧化四乙基铵、氯化四甲基铵、氯化四乙基铵等。
作为有机胺，可举出甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-甲基乙醇胺、n-甲基-n,n-二乙醇胺、n,n-二甲基乙醇胺、n,n-二乙基乙醇胺、n,n-二丁基乙醇胺、乙二胺、六亚乙基二胺、乙基乙二胺哌嗪-六水合物、无水哌嗪、n-甲基哌嗪、羟基乙基哌嗪、n-氨基乙基哌嗪、1,3-丙二胺n,n-二甲基乙二胺、二亚乙基三胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺等，其中优选为单乙醇胺、乙二胺、或哌嗪。
作为碱金属碳酸盐，可举出碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢锂、碳酸氢钠、碳酸氢钾等。特别优选为碳酸钠、或碳酸钾。
因为ph调整，可以在研磨用组合物中含有5～1000ppm、或10～500ppm的碱成分。
金属氧化物粒子的平均一次粒径也可以通过透射型电子显微镜的观察来测定。平均一次粒径的范围可以为5～100nm、或5～80nm的范围。
本发明所使用的水溶性化合物具有疏水性部分和亲水性部分，关于亲水性部分，羟基、与羟基乙基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基构成该化合物的亲水性末端或侧链。
水溶性化合物的疏水性部分没有特别限定，但优选具有葡萄糖结构、亚烷基、亚烷基氧基、或其重复单元。
具有式(1)的重复单元(结构单元)的水溶性化合物为聚合物，并且为羟基乙基纤维素。在式(1)中n1为整数1～5，典型地为n1＝2的整数，n2为整数100～10000。从葡萄糖骨架延伸的羟基甲基的羟基的氢原子通过用经由氧亚乙基的羟基乙基取代而可以赋予亲水性。可以将从葡萄糖骨架延伸的羟基甲基的羟基的氢原子的一部分或全部进行取代，但优选取代整体的50摩尔％以上。
上述羟基乙基纤维素可以以平均分子量10万～150万、或50万～130万、或60万～120万的范围使用。可以使用例如ダイセルファインケム(株)社制的商品名se-400(平均分子量60万)、住友精化(株)社制的商品名cf-x(平均分子量120万)。它们在研磨用组合物中的含量为10～500ppm、或10～100ppm时，显示良好的激光标记消除性。
具有式(2)的重复单元(结构单元)的水溶性化合物为甘油或聚甘油。在式(2)中n3为整数1～30。
甘油或聚甘油在结构中包含羟基、并包含羟基乙基或羟基丙基。可以例示例如，在结构中包含羟基、并包含羟基丙基的甘油或聚甘油。
聚氧亚烷基骨架的末端或侧链的羟基的氢原子通过经由氧亚烷基的羟基乙基或羟基丙基的取代而可以赋予亲水性，可以取代其一部分或全部，但优选取代整体的50摩尔％以上。
上述聚甘油可举出(阪本药品工业(株)社制，商品名ポリグリセリン#750，平均分子量750)。
它们在研磨用组合物中的含量为10～500ppm、或10～100ppm时，显示良好的激光标记消除性。
具有式(3)的结构单元的水溶性化合物，即具有式(3-1)和式(3-2)的重复单元(结构单元)的水溶性化合物为聚合物，并且为改性聚乙烯醇。在式(3-2)中，r1为乙酰氧基、羧酸基(羧基)、羧酸盐基、磺酸基、磺酸盐基。羧酸、和磺酸通过用氢氧化钠、氢氧化钾、氨等水溶液进行中和从而可以导入na+、k+、nh4+等抗衡离子。乙酰氧基的导入可以通过使乙酸与聚乙烯醇反应，将羟基的氢原子用乙酰基进行取代来向亚烷基骨架导入乙酰氧基。羧酸基、磺酸基可以通过使丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯基磺酸、与乙烯醇共聚来导入。丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯基磺酸、与乙烯醇可以嵌段共聚，也可以无规共聚。此外，通过使丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯基磺酸、与乙酸乙烯酯共聚，然后使乙酰基的一部分或全部水解，从而可以获得具有导入了羧酸基、磺酸基的式(3)的结构单元的水溶性化合物。具有羟基的亚烷基单元(式(3-1))、与具有r1的乙酰氧基、羧酸基(羧基)、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基的亚烷基单元(式(3-2))，它们既可以以嵌段体存在也可以以无规体存在，但一般可以优选使用无规共聚物。在式(3)的改性聚乙烯醇中式(3-1)的结构单元的数目n4与式(3-2)的结构单元的数目n5的合计n4+n5可以表示整数100～10000。
聚亚烷基骨架的侧链的羟基可以通过采用r1的乙酰氧基、羧酸基(羧基)、羧酸盐基、磺酸基、磺酸盐基的转变而赋予亲水性，能够转变其一部分或全部，但优选转变整体的50摩尔％以上。
这些水溶性化合物(聚合物)可举出导入乙酰氧基的聚乙烯醇(日本酢ビポバール(株)制，商品名jp-03，平均分子量1万5千)、导入磺酸盐基的聚乙烯醇(日本合成化学工业(株)，商品名l-3266，平均分子量2万)、导入羧酸盐基的聚乙烯醇(日本合成化学工业(株)，商品名t-330，平均分子量14万)。特别优选为导入磺酸盐基的聚乙烯醇和导入羧酸盐基的聚乙烯醇。
它们在研磨用组合物中的含量为10～500ppm、或10～100ppm时，显示良好的激光标记消除性。
在本发明中可以添加螯合剂。作为螯合剂，可以举出氨基羧酸系螯合剂和膦酸系螯合剂。
作为氨基羧酸系螯合剂，可举出乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟基乙基乙二胺三乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、1,3-丙二胺四乙酸、1,3-二胺-2-羟基丙烷四乙酸、羟基乙基亚氨基二乙酸、二羟基乙基甘氨酸、乙二醇醚二胺四乙酸、二羧基甲基谷氨酸、和乙二胺-n,n’-二琥珀酸。
作为膦酸系螯合剂，可举出羟基乙叉二膦酸、氮川三(亚甲基膦酸)、膦酰基丁烷三甲酸、和乙二胺四(亚甲基膦酸)。
螯合剂相对于本发明的研磨用组合物的总质量可以以0.005～1.0质量％的比例含有。
可以应用本发明的晶片的研磨用组合物的所谓晶片，为硅晶片、sic晶片、gan晶片、gaas晶片、gap晶片、玻璃晶片、铝晶片、蓝宝石晶片等。
对晶片进行研磨时的研磨装置有单面研磨方式和双面研磨方式，本发明的晶片用研磨液组合物可以用于任何装置。
通过使用本发明的研磨用组合物进行研磨，在晶片的研磨工序中可以制造可获得晶片的中心部与周边部(激光标记部分)的高低差小的平坦研磨面的晶片。
可以使用本发明的研磨用组合物对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨。
在本发明中可以经过对带有激光标记的晶片进行预研磨的工序后，进行使用本申请发明的研磨用组合物对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨的工序。
可以进行对相对于带有激光标记的晶片表面的水平面为50～500nm、或50～200nm高度的激光标记周边部的隆起进行研磨直到相对于该水平面为30nm～负10nm、优选为25nm～0nm、更优选为0nm高度。研磨后的激光标记周边部变为负10nm左右有时成为通过研磨而激光标记周边部朝向激光标记部分的凹坑而下降到负10nm左右的状态。它们是凹坑的边缘被研磨而显示负的数值，理想地优选为0nm。
实施例
通过以下方法对市售的硅晶片进行了研磨。
1)包含螯合剂和金属氧化物粒子的组合物的调制
将由氮吸附法求出的平均一次粒径40nm的胶态二氧化硅(基于二氧化硅溶胶的二氧化硅粒子)0.33质量％、作为碱性化合物(碱成分)的氢氧化铵25ppm、作为螯合剂的乙二胺四乙酸钠(试剂)110ppm、各种添加剂以下述表1所示的比例添加，制造出剩余部分为水的包含螯合剂和金属氧化物粒子的组合物(a)。
与组合物(a)同样地进行各成分的添加，制作出各组合物。在上述组合物(a)中，将平均一次粒径40nm的胶态二氧化硅(基于二氧化硅溶胶的二氧化硅粒子)的含量(质量％)、碱性物质的种类和含量(ppm)、螯合剂的种类和含量(ppm)变更为以下表1所示的比例而同样地制作出组合物(b)～(j)。
表中，乙二胺四乙酸钠由edta表示，氢氧化铵由nh4oh表示，氢氧化钾由koh表示，氢氧化乙基三甲基铵由etmah表示。
[表1]
表1
2)研磨条件
研磨机：浜井产业社制双面研磨机13bf
荷重：150g/cm2
上定盘转速：7rpm
下定盘转速：20rpm
研磨垫：发泡聚氨酯制研磨垫
研磨稀释液的供给量：6.0l/分钟
研磨时间：5分钟
硅晶片：直径200mm，传导型p型，结晶方位为＜100＞，电阻率小于100ω·cm
3)清洗条件
在进行了水清洗后，用加温到40℃的sc1清洗液(29％氨水：30％过氧化氢水：水的重量比＝1：1：28的清洗液)进行清洗，除去了晶片表面的杂质。
4)激光标记高度的测定方法
使用(株)ニコンインステック社制光干涉显微镜系统bw-m7000，对一定宽度(500μm)进行扫描，对于所得的粗糙度曲线，测定了晶片表面的最高部分与最低部分的高度的差值。
＜实施例1＞
在通过上述组合物的调制而调制的组合物(a)中，以添加量在研磨用组合物中成为100ppm的方式加入作为水溶性化合物的羟基乙基纤维素(平均分子量60万，ダイセルファインケム(株)社制，商品名se-400)，制造出实施例1的研磨用组合物。使用该研磨用组合物对硅晶片进行了5分钟研磨。接着对硅晶片进行清洗，进行了激光标记高度的测定。研磨前的激光标记周边部的高度为151nm，但在研磨后激光标记高度变为0nm，获得了良好的结果。研磨速度为0.06μm/分钟。
＜实施例2～20、比较例1～5＞
如下述表2所示那样，与实施例1同样地在各组合物中添加水溶性化合物而制作出各实施例2～20和各比较例1～5的研磨用组合物。将在各实施例中使用的上述组合物的种类、和研磨用组合物中的水溶性化合物的种类和浓度(ppm)示于下表2中。实施例1～实施例20、比较例1～5的研磨用组合物的ph与所使用的组合物(a)～(j)的ph相同。
在下表2中，将羟基乙基纤维素(平均分子量60万，ダイセルファインケム(株)社制，商品名se-400)作为水溶性化合物(a)，
将羟基乙基纤维素(平均分子量120万，住友精化(株)制，商品名cf-x)作为水溶性化合物(b)，
将甘油(阪本药品工业(株)社制，商品名精制グリセリン)作为水溶性化合物(c)，
将聚甘油(平均分子量750，阪本药品工业(株)社制，商品名ポリグリセリン#750)作为水溶性化合物(d)，
将磺酸基改性聚乙烯醇(平均分子量2万，日本合成化学工业(株)社制，商品名l-3266)作为水溶性化合物(e)，
将羧基改性聚乙烯醇(平均分子量14万，日本合成化学工业(株)社制，商品名t-330)作为水溶性化合物(f)，
将改性聚甘油(阪本药品工业(株)社制，聚氧乙烯聚甘油基醚，商品名sc-e1500，将聚甘油的羟基的氢原子转变为羟基乙基而得。)作为水溶性化合物(g)，
将改性聚甘油(阪本药品工业(株)社制，辛酸酯，商品名mca750，使聚甘油的羟基与辛酸反应而得。)作为水溶性化合物(h)，
将改性聚甘油(阪本药品工业(株)社制，聚氧丙烯聚甘油基醚，商品名sc-e1600，将聚甘油的羟基的氢原子转变为1-甲基羟基乙基而得。)作为水溶性化合物(i)，
将聚乙烯醇(平均分子量3500，试剂)作为水溶性化合物(j)。
[表2]
表2
在各实施例中，将研磨试验的条件和研磨试验结果示于下表3中。
[表3]
表3
虽然研磨速度的值为求出的硅晶片的研磨速度的值，但硅晶片上的研磨速度的大小未必与激光标记周边部的隆起的消除(研磨)相关。可以认为激光标记周边部的隆起部分通过与水溶性化合物的亲水性部分的接触，可以有效率地与研磨成分接触，该隆起部分被研磨了。这显示出由硅晶片用的公知的研磨用组合物不能预测出消除激光标记周边部的隆起的研磨用组合物。
产业可利用性
通过使用本发明的研磨用组合物，可以在晶片的研磨工序中进行激光标记周边部的隆起的消除而获得平坦的研磨面。