技术特征：
技术总结
本发明涉及新型单极化三维超宽带吸波体。传统的吸波结构采用二维吸波面的级联实现，虽然能够实现很宽的吸波带，但是一个单元内往往需要用到很多集总电阻，大大的增加了设计成本。本发明采用三维结构，用极少的电阻实现了单极化的超宽带吸波体。本发明包括并联设置的吸波腔A和吸波腔B；吸波腔A由第一、二、三金属面，第一、二介质基片，第一、二、三金属线以及焊接在第二金属线中心的第一电阻组成；吸波腔B由第一、二、三金属面，第一、二金属化过孔，第四金属线以及焊接在第四金属线中心的第二电阻组成。
技术研发人员：罗国清;俞伟良;俞钰峰;张晓红;代喜旺
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2019.02.28
技术公布日：2019.05.28