图像传感器及其形成方法、电荷量确定方法与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法、电荷量确定方法。

背景技术：

图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以互补金属氧化物半导体图像传感器(cmosimagesensors，cis)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。

以后照式(back-sideillumination，bsi)cis为例，在现有的制造工艺中，先在半导体衬底内及表面形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后采用承载晶圆与所述半导体衬底的正面键合，进而对半导体衬底的背部进行减薄，进而在半导体衬底的背面形成cis的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成网格状的格栅(grid)，在所述格栅之间的网格内形成多种滤色镜(colorfilter)，在滤色镜的表面形成透镜结构等。

进一步地，透镜结构捕捉到入射光之后，经过滤色镜过滤，除去非相关光，形成单色光，入射光子到达半导体衬底被像素器件吸收，产生光生载流子。

其中，滤色镜可以包括红外线滤色镜(infraredcolorfilter)、红光滤色镜(redcolorfilter)、绿光滤色镜(greencolorfilter)、蓝光滤色镜(bluecolorfilter)、紫外线滤色镜(uvcolorfilter)等。

然而在现有技术中，滤色镜容易透过其他颜色的光，导致不同的光线之间发生光谱串扰，影响成像质量。

技术实现要素：

本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法、电荷量确定方法，可以降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种所述图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的格栅结构，位于所述半导体衬底的表面，所述格栅结构具有多个格栅开口；多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管一一对应；其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。

可选的，所述多个滤色镜结构包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列中包含有n×n个滤色镜结构；其中，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，剩余的为颜色相同的单光滤色镜，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色。

可选的，所述滤色镜对应的光线选自：红外线、红光、绿光、蓝光以及紫外线。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种上述的图像传感器的电荷量确定方法，包括：确定每个光电二极管的类型，所述二极管的类型为单光二极管或者双光二极管，其中，所述单光二极管根据对应的单光滤色镜得到光生载流子，所述双光二极管根据对应的双光堆叠滤色镜结构得到光生载流子；确定每个单光二极管得到的光生载流子的电荷量q1，以及距离所述单光二极管距离最近的双光二极管得到的光生载流子的电荷量q2，其中，所述距离最近的双光二极管对应的双光堆叠滤色镜结构中滤色镜的颜色包含有所述单光二极管对应的单光滤色镜的颜色；采用q1-q2作为每个单光二极管得到的光生载流子的实际电荷量。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；在所述半导体衬底的表面形成网格状的格栅结构，所述格栅结构具有多个格栅开口；在所述格栅开口内形成多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管一一对应；其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。

可选的，在所述格栅开口内形成多个滤色镜结构包括：在所述格栅开口内形成第一颜色的单色滤色镜以及所述第一颜色的底层滤色镜；在所述底层滤色镜的表面形成第二颜色的上层滤色镜，以形成包含有所述第一颜色以及第二颜色的滤色镜的双光堆叠滤色镜结构；依次在所述底层滤色镜的表面形成第n颜色的上层滤色镜，以形成包含有所述第一颜色以及第n颜色的滤色镜的双光堆叠滤色镜结构；其中，所述n为正整数，且n＞2。

可选的，所述第一颜色为绿色，所述第二颜色以及第三颜色分别为红色和蓝色。

可选的，在所述格栅开口内形成第一颜色的单色滤色镜以及所述第一颜色的底层滤色镜包括：在所有格栅开口内形成第一颜色的单色滤色镜；采用第一掩膜版，对待保留的第一颜色的单色滤色镜进行光线照射，以硬化所述待保留的第一颜色的单色滤色镜；采用清洗液体，去除未进行光线照射的第一颜色的单色滤色镜，以得到保留的所述第一颜色的单色滤色镜；在剩余格栅开口内形成第一颜色的底层滤色镜，所述底层滤色镜的厚度小于所述单色滤色镜的厚度；其中，所述厚度的方向为垂直于所述半导体衬底的方向。

可选的，在所述格栅开口内形成第一颜色的单色滤色镜以及所述第一颜色的底层滤色镜还包括：采用第二掩膜版，对所述待保留的第一颜色的底层滤色镜进行光线照射，以硬化所述待保留的第一颜色的底层滤色镜；采用清洗液体，去除未进行光线照射的第一颜色的底层滤色镜，以得到保留的第一颜色的单色滤色镜以及保留的第一颜色的底层滤色镜。

可选的，所述多个滤色镜结构包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列中包含有n×n个滤色镜结构；其中，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，剩余的为颜色相同的单光滤色镜，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

在本发明实施例中，提供一种所述图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的格栅结构，位于所述半导体衬底的表面，所述格栅结构具有多个格栅开口；多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管一一对应；其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。采用上述方案，通过设置滤色镜结构包括单光滤色镜以及双光堆叠滤色镜结构，每个双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠，可以根据双光堆叠滤色镜结构，更准确地确定透过这两种颜色滤色镜之后，得到的光生载流子的实际电荷量，从而降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

进一步地，在本发明实施例中，首先确定透过这两种颜色滤色镜之后能够得到的光生载流子的电荷量q2，进而确定其中第一种颜色的单色滤色镜能够透过多少第二种颜色的光，从而确定根据第一种颜色的单色滤色镜得到的光生载流子的电荷量q1，以及根据q1和q2的差值，更准确地确定根据第一种颜色的单色滤色镜得到的光生载流子的实际电荷量，降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

进一步，通过设置所述多个滤色镜结构包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色，可以实现就近设置双光堆叠滤色镜结构，进而在每个同色滤色镜阵列中确定这种滤色镜中透过了多少其他颜色的光时，降低光线射入芯片的角度、位置、强弱均匀性的影响，提高确定单色滤色镜得到的光生载流子的实际电荷量的准确性。

附图说明

图1是现有技术中一种图像传感器的剖面结构示意图；

图2是现有技术中一种光线波长范围的重叠情况示意图；

图3是本发明实施例中一种图像传感器的形成方法的流程图；

图4至图9是本发明实施例中一种图像传感器的形成方法中各步骤对应的器件剖面结构示意图；

图10是本发明实施例中一种图像传感器的俯视图；

图11是本发明实施例中另一种图像传感器的俯视图。

具体实施方式

在现有技术中，滤色镜容易透过其他颜色的光，导致不同的光线之间发生光谱串扰，影响成像质量。

参照图1，图1是现有技术中一种图像传感器的剖面结构示意图。

在现有的图像传感器中，可以提供半导体衬底100，在半导体衬底100的表面形成格栅结构104，进而在格栅结构104之间的开口内形成滤色镜，进而在所述滤色镜的表面形成透镜结构108。

其中，在所述半导体衬底100内形成有逻辑器件、像素器件以及金属互连结构103，所述像素器件可以包含有光电二极管102。

其中，所述滤色镜可以包括多种颜色的单色滤色镜，例如可以包括第一滤色镜111、第二滤色镜121、第三滤色镜131以及第四滤色镜141，所述第一滤色镜111至第四滤色镜141的颜色可以根据需求进行设置。

本发明的发明人经过研究发现，在现有技术中，由于光线具有波长范围，不同颜色的光线的波长范围可能有重叠波长，滤色镜可能会透过具有重叠波长的其他颜色的光，例如红光滤色镜可能会透过一部分绿光，形成橙光(orange)区域，蓝光滤色镜可能会透过一部分绿光，形成蓝绿(cyan)区域，导致蓝光和绿光、绿光和红光之间发生光谱串扰，影响成像质量。

参照图2，图2是现有技术中一种光线波长范围的重叠情况示意图。

下面以光线151为蓝光、光线152为绿光、光线153为红光进行说明，则蓝光与绿光之间存在波长范围的重叠区域154，又称为蓝绿区域，绿光与红光之间存在波长范围的重叠区域155，又称为橙光区域。

由于存在重叠区域154以及重叠区域155，因此滤色镜可能会透过具有重叠区域的其他颜色的光，导致光谱串扰的发生，影响成像质量。

本发明的发明人经过研究进一步发现，在不知道某种颜色的单色滤色镜能够透过多少其他颜色的光的情况下，难以对其他颜色的光的影响进行排除，也就难以降低光谱串扰的影响。

在本发明实施例中，提供一种所述图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的格栅结构，位于所述半导体衬底的表面，所述格栅结构具有多个格栅开口；多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管一一对应；其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。采用上述方案，通过设置滤色镜结构包括单光滤色镜以及双光堆叠滤色镜结构，每个双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠，可以根据双光堆叠滤色镜结构，更准确地确定透过这两种颜色滤色镜之后，得到的光生载流子的实际电荷量，从而降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参照图3，图3是本发明实施例中一种图像传感器的形成方法的流程图。所述述图像传感器的形成方法可以包括步骤s21至步骤s23：

步骤s21：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；

步骤s22：在所述半导体衬底的表面形成网格状的格栅结构，所述格栅结构具有多个格栅开口；

步骤s23：在所述格栅开口内形成多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管一一对应。

其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。

下面结合图4至图9对上述各个步骤进行说明。

图4至图9是本发明实施例中一种图像传感器的形成方法中各步骤对应的器件剖面结构示意图。

参照图4，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200内可以具有光电二极管202，还可以形成有金属互连结构203，在所述半导体衬底200的表面可以形成网格状的格栅结构204，所述格栅结构204具有多个格栅开口，在所有格栅开口内形成第一颜色的单色滤色镜。然后采用第一掩膜版，对待保留的第一颜色的单色滤色镜进行光线照射，以硬化所述待保留的第一颜色的单色滤色镜。

其中，所述单色滤色镜可以为包含有单种颜色的滤色镜，只能透过单种颜色的光线。

在下文中，以所述格栅开口的数量为4进行说明，也即所述单色滤色镜211的个数为4个，需要指出的是，在本发明实施例中，对于滤色镜结构的个数不做限制。

在具体实施中，所述半导体衬底200可以为硅衬底，或者所述半导体衬底200的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟等适当的应用于图像传感器的材料，所述半导体衬底200还可以为绝缘体表面的硅衬底或者绝缘体表面的锗衬底，或者是生长有外延层(epitaxylayer，epilayer)的衬底。

需要指出的是，所述半导体衬底200内可以形成有逻辑器件以及像素器件，所述像素器件可以包含有光电二极管202。

具体地，所述光电二极管202能够在受到外界光强激发的情况下，产生光生载流子，即电子。所述光电二极管202能够通过离子注入工艺形成，而且，通过控制离子注入的能量和浓度，能够控制离子注入的深度和注入范围，从而控制光电二极管202的深度和厚度。

在图4中，可以对待保留的单色滤色镜211进行光线照射，以硬化所述待保留的单色滤色镜211。

在具体实施中，可以采用i-line光对滤色镜进行照射，以实现在后续工艺中保留经过照射后的滤色镜。

进一步地，所述第一颜色可以为绿色。

在本发明实施例中，通过设置第一颜色为绿色，可以在现有的图像传感器普遍采用更多绿光滤色镜的情况下，降低生产成本。

参照图5，采用清洗液体，去除未进行光线照射的第一颜色的单色滤色镜，以得到保留的所述第一颜色的单色滤色镜，即单色滤色镜211以及单色滤色镜241。

在具体实施中，可以采用负光阻(photoresist，pr)材料或相近材料形成所述滤色镜，则可以采用显影液作为所述清洗液体，以对所述未进行光线照射的第一颜色的单色滤色镜进行去除。

参照图6，在剩余格栅开口内形成第一颜色的底层滤色镜221，所述底层滤色镜221的厚度小于所述单色滤色镜的厚度211，然后采用第二掩膜版，对所述待保留的第一颜色的底层滤色镜221进行光线照射，以硬化所述待保留的第一颜色的底层滤色镜221。

其中，所述厚度的方向为垂直于所述半导体衬底200的方向。

具体地，通过再次形成第一颜色的厚度较小的底层滤色镜221，可以在后续工艺中形成双色滤色镜。

进一步地，可以采用清洗液体，去除未进行光线照射的第一颜色的底层滤色镜221，以得到保留的第一颜色的单色滤色镜211以及保留的第一颜色的底层滤色镜221。

在本发明实施例的一种具体实施方式中，可以设置所述第一颜色为绿色，所述第二颜色以及第三颜色分别为红色和蓝色，则仅有绿色光线与其他两种颜色的光线存在重叠区域，因此仅需要形成蓝绿双色的双光堆叠滤色镜结构以及红绿双色的双光堆叠滤色镜结构，此时可以无需对绿色的底层滤色镜221进行去除。

在本发明实施例的另一种具体实施方式中，所述滤色镜对应的光线还可以选自：红外线、红光、绿光、蓝光以及紫外线，则可能绿光与蓝光、红光存在重叠区域，红光与绿光、红外光存在重叠区域，蓝光与绿光、紫外线存在重叠区域。因此，可能需要形成更多种双光堆叠滤色镜结构，此时需要对一部分绿色的底层滤色镜221进行去除，以形成不含绿色的双光堆叠滤色镜结构，并根据具体需求形成适当的底层滤色镜。

参照图7，在所述底层滤色镜221的表面形成第二颜色的上层滤色镜222，以形成包含有所述第一颜色以及第二颜色的滤色镜的双光堆叠滤色镜结构220。进而采用掩膜版，对待保留的第二颜色的上层滤色镜222进行光线照射，以硬化所述待保留的第二颜色的上层滤色镜222。

参照图8，采用清洗液体，去除未进行光线照射的第二颜色的上层滤色镜，以得到保留的所述第二颜色的上层滤色镜222。

其中，所述上层滤色镜222与底层滤色镜221可以形成双光堆叠滤色镜结构，包含有堆叠的两种颜色的滤色镜。

参照图9，在底层滤色镜231的表面形成第三颜色的上层滤色镜232，以形成包含有所述第一颜色以及第三颜色的滤色镜的双光堆叠滤色镜结构230。

然后可以采用掩膜版，对待保留的第三颜色的上层滤色镜232进行光线照射，以硬化所述待保留的第三颜色的上层滤色镜232。

接下来，可以依次在所述底层滤色镜的表面形成第n颜色的上层滤色镜，以形成包含有所述第一颜色以及第n颜色的滤色镜的双光堆叠滤色镜结构。其中，所述n为正整数，且n＞2。

在本发明实施例中，通过设置滤色镜结构包括单光滤色镜以及双光堆叠滤色镜结构，每个双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠，可以根据双光堆叠滤色镜结构，更准确地确定透过这两种颜色滤色镜之后，得到的光生载流子的实际电荷量，从而降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

参照图10，图10是本发明实施例中一种图像传感器的俯视图。所述图像传感器可以包括半导体衬底、网格状的格栅结构304以及多个滤色镜结构。

其中，所述多个滤色镜结构可以与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构可以与光电二极管一一对应。

进一步地，所述多个滤色镜结构可以包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列中包含有n×n个滤色镜结构；其中，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，剩余的为颜色相同的单光滤色镜，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色。

具体地，所述同色滤色镜阵列可以为夸德(quad)拜耳(bayer)阵列。

在图10示出的同色滤色镜阵列中，可以包含有4×4个滤色镜结构，分别位于第一绿光滤色镜区域310、红光滤色镜区域320、第二绿光滤色镜区域330、蓝光滤色镜区域340。

其中，每个区域都包含有单光滤色镜，部分区域中包含有双光堆叠滤色镜结构，例如在红光滤色镜区域320中，包含有单光滤色镜323以及双光堆叠滤色镜结构324，在蓝光滤色镜区域340中，包含有单光滤色镜以及双光堆叠滤色镜结构，而在第一绿光滤色镜区域310以及第二绿光滤色镜区域330中，不包含双光堆叠滤色镜结构。

图11是本发明实施例中另一种图像传感器的俯视图。

在图11示出的同色滤色镜阵列中，可以包含有4×4个滤色镜结构，分别位于第一绿光滤色镜区域410、红光滤色镜区域420、第二绿光滤色镜区域430、蓝光滤色镜区域440。

其中，每个区域都包含有单光滤色镜，且每个区域中都包含有双光堆叠滤色镜结构，例如在红光滤色镜区域420中，包含有单光滤色镜423以及双光堆叠滤色镜结构424，在第二绿光滤色镜区域430中，包含有单光滤色镜433以及双光堆叠滤色镜结构434，在其他区域中也包含有双光堆叠滤色镜结构。

在本发明实施例中，通过设置所述多个滤色镜结构包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色，可以实现就近设置双光堆叠滤色镜结构，进而在每个同色滤色镜阵列中确定这种滤色镜中透过了多少其他颜色的光时，降低光线射入芯片的角度、位置、强弱均匀性的影响，提高确定单色滤色镜得到的光生载流子的实际电荷量的准确性。

可以理解的是，图11示出的同色滤色镜阵列可以包含有更多的双光堆叠滤色镜结构，从而可以更好地实现就近设置，就近确定；相比之下，图10示出的同色滤色镜阵列仅采用一半数量的双光堆叠滤色镜结构，可以更好地控制成本和工艺复杂度。

在本发明实施例中，还公开了一种图像传感器，参照图9，可以包括：半导体衬底200，所述半导体衬底200内具有光电二极管202；网格状的格栅结构204，位于所述半导体衬底200的表面，所述格栅结构204具有多个格栅开口；多个滤色镜结构，与所述多个格栅开口一一对应，每个滤色镜结构位于对应的格栅开口内，所述多个滤色镜结构中的第一部分为单光滤色镜，所述多个滤色镜结构中的第二部分为双光堆叠滤色镜结构，且所述滤色镜结构与所述光电二极管202一一对应；其中，所述双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠。

进一步地，所述多个滤色镜结构可以包含有多个同色滤色镜阵列，每个同色滤色镜阵列中包含有n×n个滤色镜结构；其中，每个同色滤色镜阵列包含有至少一个双光堆叠滤色镜结构，剩余的为颜色相同的单光滤色镜，且所述双光堆叠滤色镜结构的滤色镜的颜色包含所述单光滤色镜的颜色。

更进一步地，所述不同颜色的滤色镜对应的光线可以选自：红外线、红光、绿光、蓝光以及紫外线。

在本发明实施例中，通过设置滤色镜结构包括单光滤色镜以及双光堆叠滤色镜结构，每个双光堆叠滤色镜结构包含有堆叠的两种颜色的滤色镜，且所述两种颜色的滤色镜对应的光线的波长范围具有重叠，可以根据双光堆叠滤色镜结构，更准确地确定透过这两种颜色滤色镜之后，得到的光生载流子的实际电荷量，从而降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

关于该图像传感器的原理、具体实现和有益效果请参照前文及图3至图11示出的关于图像传感器的形成方法的相关描述，此处不再赘述。

在本发明实施例中，还公开了一种图像传感器的电荷量确定方法，可以包括：确定每个光电二极管的类型，所述二极管的类型为单光二极管或者双光二极管，其中，所述单光二极管根据对应的单光滤色镜得到光生载流子，所述双光二极管根据对应的双光堆叠滤色镜结构得到光生载流子；确定每个单光二极管得到的光生载流子的电荷量q1，以及距离所述单光二极管距离最近的双光二极管得到的光生载流子的电荷量q2，其中，所述距离最近的双光二极管对应的双光堆叠滤色镜结构中滤色镜的颜色包含有所述单光二极管对应的单光滤色镜的颜色；采用q1-q2作为每个单光二极管得到的光生载流子的实际电荷量。

在本发明实施例中，首先确定透过这两种颜色滤色镜之后能够得到的光生载流子的电荷量q2，进而确定其中第一种颜色的单色滤色镜能够透过多少第二种颜色的光，从而确定根据第一种颜色的单色滤色镜得到的光生载流子的电荷量q1，以及根据q1和q2的差值，更准确地确定根据第一种颜色的单色滤色镜得到的光生载流子的实际电荷量，降低各个光线之间发生光谱串扰的影响，提高成像质量。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。