光电元件封装体的制作方法

本发明涉及一种光电元件封装体。

背景技术：

近年来，波长转换材料(例如量子点等)与光电元件(例如发光元件等)的研究逐渐受到关注。波长转换材料具有发光频谱集中的特性，色域广且色彩饱和度佳，通过波长转换材料与光电元件的搭配，有机会达到更好的全彩显示效果。然而，波长转换材料易受到热及/或水氧的影响而损坏，如何通过封装技术提升光电元件搭载波长转换材料对热及/或水氧的阻障特性，进而增进光电元件封装体的可靠度及其寿命，实为关键。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种光电元件封装体，此光电元件封装体可具有良好的阻障性质。

为达上述目的，本发明一实施例提出的光电元件封装体包括基板、至少一光电元件、第一阻障层、波长转换层以及第二阻障层。光电元件配置于基板上。第一阻障层配置于基板上且覆盖光电元件。波长转换层配置于第一阻障层上。第二阻障层覆盖波长转换层。第一阻障层的成份组成包含氮(n)元素含量大于0原子百分比(atomicpercent，at％)至10at％、氧(o)元素含量介于50at％至70at％以及硅(si)元素含量介于30at％至50at％。

本发明一实施例的光电元件封装体中，分别将第一阻障层以及第二阻障层的表面进行改质，可使第一阻障层提供阻热(thermalresistance)兼具阻水氧的阻障效果，并使覆盖在波长转换层上的第二阻障层具备良好的阻障特性，有利于保护波长转换层，由此降低波长转换层因受热及/或水氧等损伤而影响发光效率。

为使本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1a至图1g为本发明第一实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；

图2为本发明第二实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图3a至图3f为本发明第三实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；

图4为本发明第四实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图5为本发明第五实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图6为本发明第六实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图7为本发明第七实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图8为本发明第八实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图9为本发明第九实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图10为本发明第十实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图11为本发明一实施例的光电元件封装体布局的局部上视示意图。

附图标记

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000：光电元件封装体

110：基板

120：光电元件

130、330、730：第一阻障层

130a、330a、730a：第一区

130b、330b、730b：第二区

140、340：波长转换层

150、350、450、550、850：第二阻障层

150a、350a、450a、550a、850a：第三区

150b、350b、450b、550b、850b：第四区

1122：第一线路层

1124：第二线路层

260、560：平坦层

370：挡墙

680：缓冲层

990、1090：反射层

pu：像素单元

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1a至图1g为本发明第一实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图。请参考图1a，首先提供基板110，基板110可为具有可见光穿透性的硬质基板或可挠性基板。举例而言，前述的硬质基板的材料例如是玻璃、晶圆或其他硬质材料，而前述的可挠性基板材料例如是聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰胺(polyamide，pa)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，pen)、聚乙烯亚胺(polyethylenimine，pei)、聚氨酯(polyurethane，pu)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)、压克力系(acrylic)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,pmma)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚砜(polyethersulfone，pes)或聚醚醚酮(polyetheretherketone，peek)、聚烯(polyolefin)、薄玻璃或其他可挠性材料，但本发明并不以此为限。

接着，形成至少一光电元件120，光电元件120配置于基板110上，光电元件120可包括发光元件等，发光元件可例如为有机发光元件、无机发光元件、量子点发光显示元件等，本发明并不以此为限。以下实施例以无机发光元件为范例。

在光电元件120形成后，可以通过溶液制作工艺(solutionprocess)在基板110以及光电元件120上形成第一阻障层130，再将第一阻障层130进行固化(curing)。第一阻障层130可覆盖光电元件120的顶表面以及侧壁。溶液制作工艺中使用的第一阻障层130材料可例如是包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。

请参考图1b，在本实施例中，可将固化后的第一阻障层130于大气中进行水解(hydrolysis)，水解的程度可视需求而定，再利用照光、加热或等离子体等处理方式对部分水解的第一阻障层130表面进行改质，以增进其阻障特性。照光处理可例如是使用真空紫外光(vacuumultravioletlight，vuv)；加热处理可例如是利用加热板(hotplate)、烘箱(oven)等方式进行加热，使用的气体可包括空气、氮气(n2)、氧气(o2)等；等离子体处理可包括使用钝气、氢气(h2)、氮气(n2)、氧气(o2)、含氟气体、氯气(cl2)等进行等离子体改质。经过表面改质处理的第一阻障层130材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

在一实施例中，在形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成覆盖层(未绘示)，其中形成覆盖层的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhancedchemicalvapordeposition，pecvd)、物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)、溅镀(sputterdeposition)、原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)或其他适合的制作工艺方法。覆盖层160的材料可例如是包括氮化硅(sinx)、氧化铝(alox)、氮氧化硅(sion)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、聚合物例如是压克力(acrylic)或其他适合的材料。本发明各实施例也可依需求于形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成覆盖层。

请接续参考图1c，第一阻障层130在经处理后形成具有第一区130a与第二区130b的第一阻障层130。第一区130a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第二区130b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第一区130a与第二区130b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第二区130b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)或氧化硅(siliconoxide)。在一实施例中，第二区130b相较于第一区130a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第一阻障层130中第一区130a材料的阻水氧特性以及第二区130b材料的阻热特性，可使第一阻障层130兼具有阻热以及阻水氧的阻障效果。整体而言，第一阻障层130的成份组成可例如是包含氮元素含量大于0原子百分比(atomicpercent，at％)至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅(si)元素含量介于30at％至50at％，其中硅元素、氮元素以及氧元素含量总和可为100at％；第一阻障层130的热传导系数可例如是小于5瓦/米-绝对温度，密度可例如是小于2.2克/立方厘米，水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日。

在一实施例中，可利用能量色散x-射线光谱(energydispersivespectroscopy，eds)、x-射线光电子光谱(x-rayphotoelectronspectroscopy，xps)或其他适合的方法对第一阻障层130进行成份分析。能量色散x-射线光谱仪可附加于扫描式电子显微镜(scanningelectronmicroscopy，sem)或穿透式电子显微镜(transmissionelectronmicroscopy，tem)等仪器中，使用例如线扫描(linescan)或单点测量进行元素分析；x-射线光电子光谱仪可通过例如单点测量或纵深测量进行元素分析，在与测量区域内的其他元素成份相比可得知第一阻障层130的成份组成。

请参考图1d，接着形成波长转换层140于第一阻障层130上，其中形成波长转换层140的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、黄光光刻制作工艺(photolithographyprocess)或其他适合的制作工艺方法。波长转换层140通常为光致发光(photoluminescence，pl)材料，可例如是量子点(quantumdot，qd)等。

请参考图1e，可以通过溶液制作工艺形成第二阻障层150于波长转换层140上，再将第二阻障层150进行固化。第二阻障层150可覆盖波长转换层140的顶表面以及侧壁，并通过制作工艺方式及/或条件(例如涂布范围、溶液粘度等)的控制使第二阻障层150具有岛状结构。溶液制作工艺中使用的第二阻障层150材料可例如是包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。

请参考图1f，在本实施例中，可利用照光、加热或等离子体等处理方式对第二阻障层150的顶表面以及侧表面进行改质，以增进其阻障特性。经过改质处理的第二阻障层150材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

请接续参考图1g，第二阻障层150在经处理后形成具有第三区150a以及第四区150b的第二阻障层150。第三区150a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第四区150b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第三区150a与第四区150b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第四区150b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)。在一实施例中，第四区150b相较于第三区150a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第二阻障层150中第三区150a材料的阻障特性，可使第二阻障层150的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。整体而言，第二阻障层150的成份组成可例如是包含氮元素含量介于5at％至45at％、氧元素含量介于5at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，其中硅元素、氮元素以及氧元素含量总和可为100at％；第二阻障层150的密度可例如是大于等于2.2克/立方厘米。

在一实施例中，考虑光电元件封装体100的可挠曲性，第一阻障层130及/或第二阻障层150的杨氏模数(young’smodulus)可例如是3gpa～10gpa。此外，在其他实施例中，溶液制作工艺中可使用类似甚或相同的材料分别形成第一阻障层130以及第二阻障层150，而基于不同功能性需求于后续采取不同处理方式，使得第二阻障层150的氮元素含量可高于或等于第一阻障层130的氮元素含量；第一阻障层130的氧元素含量可高于或等于第二阻障层150的氧元素含量；第一阻障层130的厚度可大于第二阻障层150的厚度；第一阻障层130的密度可小于第二阻障层150的密度。本发明各实施例也可依需求采用前述设计调整之。

图2为本发明第二实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第二实施例的光电元件封装体200与图1g的光电元件封装体100类似，本实施例采用图2针对光电元件封装体200进行描述。在图2中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图1a至图1g中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，在形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成平坦层260，其中形成平坦层260的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。平坦层260配置于基板110与第一阻障层130之间，且包覆至少一光电元件120。本发明各实施例也可依需求于形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成平坦层260。

图3a至图3f为本发明第三实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图。在图3a至图3f中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图1a至图1g中说明过的构件于此不再赘述。

首先，请参考图3a，在形成光电元件120之后，于光电元件120的周边设置挡墙370。在一些实施例中，挡墙370的截面可具有矩形、梯形或其他合适的形状；挡墙370的形成方法可例如是洒布(spray)、网版印刷(screenprinting)、光刻蚀刻法、低温烧结或其他合适的方法，本发明并不以此为限。

在一实施例中，在光电元件120上以及挡墙370所围绕的范围内可选择性的形成覆盖层(未绘示)，其中形成覆盖层的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting,ijp)。覆盖层的材料可例如是包括压克力系(acrylic)聚合物或其他适合的材料。

接着请参考图3b，可以通过例如是喷墨印刷在光电元件120上以及挡墙370所围绕的范围内形成第一阻障层330，再将第一阻障层330进行固化。第一阻障层330可覆盖光电元件120的顶表面以及侧壁。印刷制作工艺中使用的第一阻障层330材料可例如是包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。接着，将固化后的第一阻障层330于大气中进行水解，水解的程度可视需求而定，再利用照光、加热或等离子体等处理方式进行表面改质，以增进其阻障特性。照光处理可例如是使用真空紫外光(vacuumultravioletlight，vuv)；加热处理可例如是利用加热板(hotplate)、烘箱(oven)等方式进行加热，使用的气体可包括空气、氮气(n2)、氧气(o2)等；等离子体处理可包括使用惰性气体、氢气(h2)、氮气(n2)、氧气(o2)、含氟气体、氯气(cl2)等进行等离子体改质。经过改质处理的第一阻障层330材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

在一实施例中，第一阻障层330可覆盖光电元件120以及挡墙370的顶表面与侧壁，其中形成第一阻障层330的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。

请参考图3c，第一阻障层330在经处理后形成具有第一区330a以及第二区330b的第一阻障层330。第一区330a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第二区330b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第一区330a与第二区330b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第二区330b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)或氧化硅(siliconoxide)。在一实施例中，第二区330b相较于第一区330a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第一阻障层330中第一区330a材料的阻水氧特性以及第二区330b材料的阻热特性，可使第一阻障层330兼具有阻热以及阻水氧的阻障效果。整体而言，第一阻障层330的成份组成可例如是包含氮元素含量大于0at％至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，其中硅元素、氮元素以及氧元素含量总和可为100at％；第一阻障层330的热传导系数可例如是小于5瓦/米-绝对温度，密度可例如是小于2.2克/立方厘米，水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日。

请参考图3d，接着在挡墙370所围绕的范围内形成波长转换层340于第一阻障层330上，其中形成波长转换层340的方法可例如是喷墨印刷或其他适合的制作工艺方法。波长转换层340通常为光致发光(photoluminescence，pl)材料，可例如是量子点(quantumdot，qd)等。

请参考图3e，可以通过例如是喷墨印刷在挡墙370所围绕的范围内形成第二阻障层350于波长转换层340上，再将第二阻障层350进行固化。第二阻障层350可覆盖波长转换层340的顶表面以及侧壁。印刷制作工艺中使用的第二阻障层350材料可例如是包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。接着，将固化后的第一阻障层330利用照光、加热或等离子体等处理方式进行表面改质，以增进其阻障特性。经过改质处理的第二阻障层350材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

请接续参考图3f，第二阻障层350在经处理后形成具有第三区350a以及第四区350b的第二阻障层350。第三区350a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第四区350b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第三区350a与第四区350b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第二区130b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)。在一实施例中，第四区350b相较于第三区350a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第二阻障层350中第三区350a材料的阻障特性，可使第二阻障层350的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。整体而言，第二阻障层350的成份组成可例如是包含氮元素含量介于5at％至45at％、氧元素含量介于5at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，其中硅元素、氮元素以及氧元素含量总和可为100at％；第二阻障层350的密度可例如是大于等于2.2克/立方厘米。

此外，在其他实施例中，印刷制作工艺中可使用类似甚或相同的材料分别形成第一阻障层330以及第二阻障层350，而基于不同功能性需求于后续采取不同处理方式，使得第二阻障层350的氮元素含量可高于或等于第一阻障层330的氮元素含量；第一阻障层330的氧元素含量可高于或等于第二阻障层350的氧元素含量；第一阻障层330的厚度可大于第二阻障层350的厚度；第一阻障层330的密度可小于第二阻障层350的密度。

图4为本发明第四实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第四实施例的光电元件封装体400与图3f的光电元件封装体300类似，本实施例采用图4针对光电元件封装体400进行描述。在图4中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图3a至图3f中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体400的第二阻障层450可覆盖波长转换层340以及挡墙370的顶表面与侧壁，并通过制作工艺方式及/或条件(例如涂布范围、溶液粘度等)的控制使第二阻障层450具有岛状结构，其中形成第二阻障层450的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。接着，可利用照光、加热或等离子体等处理方式对第二阻障层450的顶表面以及侧表面进行改质，以增进其阻障特性。经过改质处理的第二阻障层450材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

第二阻障层450在经处理后形成具有第三区450a以及第四区450b的第二阻障层450。第三区450a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第四区450b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第三区450a与第四区450b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第四区450b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)。在一实施例中，第四区450b相较于第三区450a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第二阻障层450中第三区450a材料的阻障特性，可使第二阻障层450的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。整体而言，第二阻障层450的成份组成可例如是包含氮元素含量介于5at％至45at％、氧元素含量介于5at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，其中硅元素、氮元素以及氧元素含量总和可为100at％；第二阻障层450的密度可例如是大于等于2.2克/立方厘米。

图5为本发明第五实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第五实施例的光电元件封装体500与图2的光电元件封装体200类似，本实施例采用图5针对光电元件封装体500进行描述。在图5中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图2中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，在形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成平坦层560，其中形成平坦层560的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。平坦层560配置于基板110与第一阻障层130之间，且包覆至少一光电元件120。本发明各实施例也可依需求于形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成平坦层560。

之后，可类似图3a的方法，在对应光电元件120的周边位置设置挡墙370，并在挡墙370所围绕的范围内形成波长转换层140于第一阻障层130上。接着形成第二阻障层550，第二阻障层550可覆盖波长转换层140以及挡墙370的顶表面与侧壁，并通过制作工艺方式及/或条件(例如涂布范围、溶液粘度等)的控制使第二阻障层550具有岛状结构，其中形成第二阻障层550的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。

接着，可利用照光、加热或等离子体等处理方式对第二阻障层550的顶表面以及侧表面进行改质，以增进其阻障特性。第二阻障层550在经处理后形成具有第三区550a以及第四区550b的第二阻障层550。第三区550a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第四区550b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第三区550a与第四区550b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第四区550b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)。在一实施例中，第四区550b相较于第三区550a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第二阻障层550中第三区550a材料的阻障特性，可使第二阻障层550的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。

图6为本发明第六实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第六实施例的光电元件封装体600与图3f的光电元件封装体300类似，本实施例采用图6针对光电元件封装体600进行描述。在图6中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图3f中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，在形成第二阻障层350之前可选择性地在波长转换层340上形成缓冲层680，其中形成缓冲层680的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)或其他适合的制作工艺方法。缓冲层680配置于波长转换层340与第二阻障层350之间，且包覆波长转换层340。缓冲层680的材料可例如包括压克力系(acrylic)聚合物、环氧系(epoxy)聚合物或聚酰亚胺(polyimide，pi)。本发明各实施例也可依需求于形成第二阻障层350之前可选择性地在波长转换层340上形成缓冲层680。

图7为本发明第七实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第七实施例的光电元件封装体700与图3f的光电元件封装体300类似，本实施例采用图7针对光电元件封装体700进行描述。在图7中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图3f中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体700可包括多个光电元件120排列成阵列。在多个光电元件上形成第一阻障层730，再将第一阻障层730进行固化。第一阻障层730可覆盖多个光电元件120以及多个挡墙370的顶表面与侧壁，其中形成第一阻障层730的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。接着，将固化后的第一阻障层730于大气中进行水解，水解的程度可视需求而定，再利用照光、加热或等离子体等处理方式进行表面改质，以增进其阻障特性。经过改质处理的第一阻障层730材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。

第一阻障层730在经处理后形成具有第一区730a以及第二区730b的第一阻障层730。第一区730a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第二区730b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第一区730a与第二区730b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第二区730b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)或氧化硅(siliconoxide)。在一实施例中，第二区730b相较于第一区730a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第一阻障层730中第一区730a材料的阻水氧特性以及第二区730b材料的阻热特性，可使第一阻障层730兼具有阻热以及阻水氧的阻障效果。

图8为本发明第八实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第八实施例的光电元件封装体800与图4的光电元件封装体400类似，本实施例采用图8针对光电元件封装体800进行描述。在图8中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图4中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体800可包括多个光电元件排列成阵列。第二阻障层850可覆盖多个波长转换层340以及多个挡墙370的顶表面与侧壁，并通过制作工艺方式及/或条件(例如涂布范围、溶液粘度等)的控制使第二阻障层850具有岛状结构，其中形成第二阻障层850的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，ijp)、狭缝式涂布(slotdiecoating)、旋转涂布(spincoating)或其他适合的制作工艺方法。接着，可利用照光、加热或等离子体等处理方式对第二阻障层850的顶表面以及侧表面进行改质，以增进其阻障特性。

第二阻障层850在经处理后形成具有第三区850a以及第四区850b的第二阻障层850。第三区850a的材料例如是氮化硅(siliconnitride)或氮氧化硅(siliconoxynitride)，且相较于第四区850b来说可具有较高的密度。在一实施例中，第三区850a与第四区850b相比可具有较高的氮(n)元素含量。第四区850b的材料例如是氮氧化硅(siliconoxynitride)。在一实施例中，第四区850b相较于第三区850a来说具有较高的氧(o)元素含量。通过第二阻障层850中第三区850a材料的阻障特性，可使第二阻障层850的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。

上述实施例的光电元件是以上发光结构无机发光元件为例，也可置换为下发光结构无机发光元件。下发光结构无机发光元件可参考下述实施例。

图9为本发明第九实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第九实施例的光电元件封装体900与图1g的光电元件封装体100类似，本实施例采用图9针对光电元件封装体900进行描述。在图9中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图1g中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体900可更包括反射层990，反射层的材料可例如是包括金属、合金或聚合物，其中金属可例如是银(ag)、铝(al)、铜(cu)、钯(pd)或其他适用的金属材料，合金可例如是采用前述金属的组合，聚合物可例如硅氧烷化合物(siloxane)、压克力系(acrylic)聚合物、环氧系(epoxy)聚合物或其他适用的材料。反射层990可配置于波长转换层140与第二阻障层150之间。通过反射层990可提升光电元件封装体900的亮度(luminance)。

图10为本发明第十实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图。第十实施例的光电元件封装体1000与图3f的光电元件封装体300类似，本实施例采用图10针对光电元件封装体1000进行描述。在图10中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图3f中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体1000可还包括反射层1090，反射层的材料可例如是包括金属、合金或聚合物，其中金属可例如是银(ag)、铝(al)、铜(cu)、钯(pd)或其他适用的金属材料，合金可例如是采用前述金属的组合，聚合物可例如硅氧烷化合物(siloxane)、压克力系(acrylic)聚合物、环氧系(epoxy)聚合物或其他适用的材料。反射层1090可配置于波长转换层340与第二阻障层350之间。通过反射层1090可提升光电元件封装体1000的亮度(luminance)。

图11为本发明一实施例的光电元件封装体布局的局部上视示意图。为求清晰，图11省略绘示部分膜层及构件。以下实施例中，单一光电元件封装体以光电元件封装体100为范例，但本发明并不以此为限。在图11中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对图1g中说明过的构件于此不再赘述。

在本实施例中，光电元件封装体布局可包括多个光电元件120且电性连接至第一线路层1122以及第二线路层1124。多个光电元件120可以构成一像素单元pu，且基板110上的多个像素单元pu可以是阵列式排列，但本发明于此不加以限制。通过将第一阻障层130进行表面改质形成具有第一区130a以及第二区130b的第一阻障层130，其中第一区130a材料具备阻水氧特性以及第二区130b材料具备阻热特性，可使第一阻障层130兼具有阻热以及阻水氧的阻障效果。在一实施例中，第一阻障层130可延伸至基板110周边，第一阻障层130形成为一连续性膜层，有助于第一线路层1122及/或第二线路层1124的制作使之不易断线。第二阻障层150在经改质处理后形成具有第三区150a以及第四区150b的第二阻障层150，其中第三区150a材料具备阻障特性，可使第二阻障层150的水气穿透率(watervaportransmissionrate，wvtr)可例如是小于或等于10^-1克/平方米-日，较佳的是小于或等于10^-2克/平方米-日。

本发明实施例的光电元件封装体中，分别将第一阻障层以及第二阻障层的表面进行改质，可使第一阻障层提供阻热兼具阻水氧的阻障效果，并使覆盖在波长转换层上的第二阻障层具备良好的阻障特性，有利于保护波长转换层，由此降低波长转换层因受热及/或水氧等损伤而影响发光效率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。