一种LED封装工艺方法与流程

本发明涉及led封装技术领域，尤其涉及一种led封装工艺方法。

背景技术：

led封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而led封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。

现有技术中，传统led封装后的产品有一定的瑕疵，散热效果差，使用寿命短。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种led封装工艺方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种led封装工艺方法，包括有以下步骤：

s1，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张；

s2，在led支架的相应位置点上银胶以及用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上；

s3，将led芯片用刺晶笔刺在电路板上；

s4，将刺好晶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出；

s5，采用铝丝焊线机将芯片与电路板上对应的焊盘铝丝进行桥接；

s6，采用点胶机将调配好的ab胶适量地点到绑定好的led晶粒上，芯片则用黑胶封装，然后进行外观封装；

s7，将封好胶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置；

s8，将封装好的电路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣。

优选的，所述s1中，使led芯片的间距拉伸到0.5-0.7mm。

优选的，所述s2中，银胶的使用温度应为23℃-25℃，点胶嘴的止动杆接触到芯片。

优选的，所述s4中，温度控制在145-155℃，时间1.5-2.5小时。

优选的，所述s5中，将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作，铝丝压焊的过程，先在led芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。

优选的，所述s6中，温度130-140℃，时间2-3小时。

与现有技术相比，本发明提出了一种led封装工艺方法，具有以下有益效果：

本发明，将外引线连接到led芯片的电极上，同时保护好led芯片，并且起到提高光取出效率，以及封装后的产品散热效果和出光效果好。

本发明，比起传统环氧树脂封装，能够使产品具有良好的耐用性。

本发明，封过工艺过程简单，易于控制，点胶时的点胶量可控，点胶效果好。

附图说明

图1为本发明提出的一种led封装工艺方法的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

实施例1：一种led封装工艺方法，包括有以下步骤：

s1，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张；

s2，在led支架的相应位置点上银胶以及用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上；

s3，将led芯片用刺晶笔刺在电路板上；

s4，将刺好晶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出；

s5，采用铝丝焊线机将芯片与电路板上对应的焊盘铝丝进行桥接；

s6，采用点胶机将调配好的ab胶适量地点到绑定好的led晶粒上，芯片则用黑胶封装，然后进行外观封装；

s7，将封好胶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置；

s8，将封装好的电路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣。

所述s1中，使led芯片的间距拉伸到0.5mm。

所述s2中，银胶的使用温度应为23℃℃，点胶嘴的止动杆接触到芯片。

所述s4中，温度控制在145℃，时间1.5小时。

所述s5中，将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作，铝丝压焊的过程，先在led芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。

所述s6中，温度130℃，时间2小时。

实施例2，一种led封装工艺方法，包括有以下步骤：

s1，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张；

s2，在led支架的相应位置点上银胶以及用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上；

s3，将led芯片用刺晶笔刺在电路板上；

s4，将刺好晶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出；

s5，采用铝丝焊线机将芯片与电路板上对应的焊盘铝丝进行桥接；

s6，采用点胶机将调配好的ab胶适量地点到绑定好的led晶粒上，芯片则用黑胶封装，然后进行外观封装；

s7，将封好胶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置；

s8，将封装好的电路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣。

所述s1中，使led芯片的间距拉伸到0.7mm。

所述s2中，银胶的使用温度应为25℃，点胶嘴的止动杆接触到芯片。

所述s4中，温度控制在1155℃，时间2.5小时。

所述s5中，将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作，铝丝压焊的过程，先在led芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。

所述s6中，温度140℃，时间3小时。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种led封装工艺方法，其特征在于，包括有以下步骤：

s1，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张；

s2，在led支架的相应位置点上银胶以及用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上；

s3，将led芯片用刺晶笔刺在电路板上；

s4，将刺好晶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出；

s5，采用铝丝焊线机将芯片与电路板上对应的焊盘铝丝进行桥接；

s6，采用点胶机将调配好的ab胶适量地点到绑定好的led晶粒上，芯片则用黑胶封装，然后进行外观封装；

s7，将封好胶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置；

s8，将封装好的电路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣。

2.根据权利要求1所述的一种led封装工艺方法，其特征在于，所述s1中，使led芯片的间距拉伸到0.5-0.7mm。

3.根据权利要求1所述的一种led封装工艺方法，其特征在于，所述s2中，银胶的使用温度应为23℃-25℃，点胶嘴的止动杆接触到芯片。

4.根据权利要求1所述的一种led封装工艺方法，其特征在于，所述s4中，温度控制在145-155℃，时间1.5-2.5小时。

5.根据权利要求1所述的一种led封装工艺方法，其特征在于，所述s5中，将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作，铝丝压焊的过程，先在led芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。

6.根据权利要求1所述的一种led封装工艺方法，其特征在于，所述s6中，温度130-140℃，时间2-3小时。

技术总结
本发明涉及LED封装技术领域，尤其为一种LED封装工艺方法，包括有以下步骤：S1，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张；S2，在LED支架的相应位置点上银胶以及用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上；S3，将LED芯片用刺晶笔刺在电路板上；S4，将刺好晶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间；S5，采用铝丝焊线机将芯片与电路板上对应的焊盘铝丝进行桥接；S6，采用点胶机将调配好的AB胶适量地点到绑定好的LED晶粒上，芯片则用黑胶封装，然后进行外观封装；S7，将封好胶的电路板放入热循环烘箱中恒温静置；S8，将封装好的电路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣。本发明解决了传统LED封装后的产品有一定的瑕疵，散热效果差，使用寿命短。

技术研发人员：蔡志嘉
受保护的技术使用者：苏州雷霆光电科技有限公司
技术研发日：2019.04.23
技术公布日：2020.10.27