技术特征：
技术总结
本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlxGa(1‑x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化AlxGa(1‑x)N/AlN/GaN异质结中二维电子气低温输运的特性问题。
技术研发人员：刘斌;初嘉鹏;谢自力;陶涛;李振华;吴耀政;赵红;陈敦军;张荣
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2019.05.22
技术公布日：2019.08.09