技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
技术研发人员：贾仁需;刘晶煌;李欢;庞体强;汪钰成;杜永琪
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2019.05.31
技术公布日：2019.10.18