一种压电元件及其制备方法和超声传感器与流程

本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压电元件及其制备方法和超声传感器。

背景技术：

压电技术是基于压电效应的一种技术。压电效应可分为正压电效应和逆压电效应。正压电效应是指：当晶体受到某固定方向外力的作用时，内部就产生电极化现象，同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向改变时，电荷的极性也随之改变，晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。超声传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指：对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象，又称电致伸缩效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于，提供一种压电元件及其制备方法和超声传感器。能够减小应力阻尼对器件性能的影响。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种压电元件，包括支撑板，以及沿远离所述支撑板的方向，依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层；其中，所述第一电极层和所述第二电极层之间通过第一压电层隔离，所述第二电极层和所述第三电极层之间通过第二压电层隔离；所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第二电极层包括多个第二子电极，所述第三电极层包括一个或多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第一子电极的正投影和所述第二子电极的正投影无重叠，多个所述第一子电极的正投影和多个所述第二子电极的正投影均与所述第三子电极的正投影重叠；或者，所述第一电极层包括一个或多个第一子电极，所述第二电极层包括多个第二子电极，所述第三电极层包括多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第二子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠，多个所述第二子电极的正投影和多个所述第三子电极的正投影均与所述第一子电极的正投影重叠；或者，所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第二子电极层包括一个或多个第二子电极，所述第三电极层包括多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第一子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠，多个所述第一子电极的正投影和多个所述第三子电极的正投影均与所述第二子电极的正投影重叠。

可选的，所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第二电极层包括多个第二子电极，且所述第一子电极的正投影和所述第二子电极的正投影无重叠的情况下，所述第三电极层包括一个面状的所述第三子电极。

可选的，所述第二电极层包括多个第二子电极，所述第三电极层包括多个第三子电极，所述第二子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠的情况下，所述第一电极层包括一个面状的所述第一子电极。

可选的，所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第三子电极层包括一个或多个第三子电极，且所述第一子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠，所述第二电极层一个面状的所述第二子电极。

可选的，所述第一子电极、第二子电极和所述第三子电极的厚度均为100nm-300nm。

可选的，所述第一压电层和所述第二压电层的厚度均为800nm-3μm。

可选的，所述第一子电极、所述第二子电极和所述第三子电极的材料均包括金属钼。

可选的，所述第一压电层和所述第二压电层的材料均包括aln、pzt、zno、pvdf中的至少一种材料。

另一方面，本发明实施例提供一种超声传感器，包括如上所述的压电元件。

可选的，还包括设置于所述压电元件中所述支撑板远离所述第一电极层一侧的基底层，所述基底层和所述支撑板之间设置有空腔。

可选的，所述基底层和所述支撑板之间还设置有声阻抗调节层，所述声阻抗调节层与所述基底层之间设置所述空腔，所述声阻抗调节层的声阻抗值大于或小于所述支撑板的声阻抗值。

再一方面，本发明实施例提供一种压电元件的制备方法，包括：在支撑板上依次形成层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，并在所述第一电极层和所述第二电极层之间形成第一压电层，在所述第二电极层和所述第三电极层之间形成第二压电层；所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第二电极层包括多个第二子电极，所述第三电极层包括一个或多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第一子电极的正投影和所述第二子电极的正投影无重叠，多个所述第一子电极的正投影和多个所述第二子电极的正投影均与所述第三子电极的正投影重叠；或者，所述第一电极层包括一个或多个第一子电极，所述第二电极层包括多个第二子电极，所述第三电极层包括多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第二子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠，多个所述第二子电极的正投影和多个所述第三子电极的正投影均与所述第一子电极的正投影重叠；或者，所述第一电极层包括多个第一子电极，所述第二子电极层包括一个或多个第二子电极，所述第三电极层包括多个第三子电极，且沿所述支撑板的厚度方向，所述第一子电极的正投影和所述第三子电极的正投影无重叠，多个所述第一子电极的正投影和多个所述第三子电极的正投影均与所述第二子电极的正投影重叠。

本发明实施例提供一种压电元件及其制备方法和超声传感器，能够减小应力阻尼对器件性能的影响，从而能够提高超声传感器的压电性能和灵敏性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种超声传感器的剖视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种超声传感器的剖视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的再一种超声传感器的剖视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种在支撑板上形成多个第一子电极的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种基于图12形成第一压电层的结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种基于图13形成多个第二子电极的结构示意图；

图15为本发明实施例提供的一种基于图14形成第二压电层的结构示意图；

图16为本发明实施例提供的另一种在支撑板上形成第一子电极的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的一种基于图16形成第一压电层的结构示意图；

图18为本发明实施例提供的一种基于图17形成多个第二子电极的结构示意图；

图19为本发明实施例提供的一种基于图18形成第二压电层的结构示意图；

图20为本发明实施例提供的另一种基于图13形成第二子电极的结构示意图；

图21为本发明实施例提供的一种基于图20形成第二压电层的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

本发明的实施例提供一种超声传感器，参见图1，包括：基底层01，以及设置于基底层01上的压电元件02。如图1所示，该压电元件02包括支撑板021，以及沿远离支撑板021的方向，依次层叠设置的第一电极层022、第二电极层023和第三电极层024。第一电极层022和第二电极层023之间通过第一压电层025隔离，该第二电极层023和第三电极层024之间通过第二压电层026隔离。该基底层01设置于该压电元件02中的支撑板021远离该第一电极层022的一侧，且该基底层01和所述支撑板021之间设置有空腔a。

其中，根据该第一电极层022、第二电极层023和第三电极层024的结构不同，可以有三种可能的结构。

第一种可能的结构中，如图1和图2所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，该第三电极层024包括一个或多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第一子电极0221的正投影和第二子电极0231的正投影无重叠，多个该第一子电极0221的正投影和多个该第二子电极0231的正投影均与该第三子电极0241的正投影重叠。

相对于如图3和图4所示的，超声传感器仅包括设置在第一压电层025和第二压电层026相互远离的两侧的第一子电极0221和第三子电极0241。且第一子电极0221和第三子电极0241如图3所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力产生一个向上翘曲的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想，以及第一子电极0221和第三子电极0241如图4所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力产生一个向下凹的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想。

在这种可能的结构中，如图1和图2所示，在工作时，通过向第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241同时通电，例如第一子电极0221和第二子电极0231接正电位，第三子电极0241接地电位，则如图1所示，第一子电极0221和第三子电极0241产生的应力形变向上，第二子电极0231和第三子电极0241产生的应力形变向下，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图3所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力产生一个向上翘曲的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，从而减小应力阻尼对器件性能的影响。如图2所示，第一子电极0221和第三子电极0241产生的应力形变向下，第二子电极0231和第三子电极0241产生的应力形变向上，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图4所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力产生一个向下凹的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，同样能够减小应力阻尼对器件性能的影响。

第二种可能的结构中，如图5和图6所示，该第一电极层022包括一个或多个第一子电极0221，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第二子电极0231的正投影和第三子电极0231的正投影无重叠，多个该第二子电极0231的正投影和多个该第三子电极0231的正投影均与该第一子电极0241的正投影重叠。

相对于如图7和图8所示的，超声传感器仅包括设置在第一压电层025和第二压电层026相互远离的两侧的第一子电极0221和第三子电极0241。且第一子电极0221和第三子电极0241如图7所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力产生一个向上翘曲的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想，以及第一子电极0221和第三子电极0241如图8所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力产生一个向下凹的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想。

在这种可能的结构中，如图5和图6所示，在工作时，通过向第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241同时通电，例如第二子电极0231和第三子电极0241接正电位，第一子电极0221接地电位，则如图5所示，第三子电极0241和第一子电极0221产生的应力形变向上，第二子电极0231和第一子电极0221产生的应力形变向下，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图7所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力产生一个向上翘曲的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，从而减小应力阻尼对器件性能的影响。如图6所示，第三子电极0241和第一子电极0221产生的应力形变向下，第二子电极0231和第一子电极0221产生的应力形变向上，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图8所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力产生一个向下凹的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，同样能够减小应力阻尼对器件性能的影响。

第三种可能的结构中，如图9和图10所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第二电极层023包括一个或多个第二子电极0231，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第一子电极0221的正投影和第三子电极0231的正投影无重叠，多个该第一子电极0221的正投影和多个该第三子电极0231的正投影均与该第二子电极0241的正投影重叠。

相对于如图3、图4、图7和图8所示的，超声传感器仅包括设置在第一压电层025和第二压电层026相互远离的两侧的第一子电极0221和第三子电极0241。且第一子电极0221和第三子电极0241如图3和图7所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力均产生一个向上翘曲的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想，以及第一子电极0221和第三子电极0241如图4和图8所示的分布情况，通过对该超声传感器进行模拟显示：该超声传感器整体的残留应力均产生一个向下凹的应力形变，对该超声传感器通电工作时，该形变产生的阻尼会影响第一压电层025和第二压电层026上下振动的振幅和频率，导致器件工作不理想。

在这种可能的结构中，如图9和图10所示，在工作时，通过向第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241同时通电，例如第一子电极0221和第三子电极0241接正电位，第二子电极0231接地电位，则如图9所示，第三子电极0241和第二子电极0231产生的应力形变向上，第一子电极0221和第二子电极0231产生的应力形变向下，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图3和图7所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力均产生一个向上翘曲的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，从而减小应力阻尼对器件性能的影响。如图10所示，第三子电极0241和第二子电极0231产生的应力形变向下，第一子电极0221和第二子电极0231产生的应力形变向上，上下应力通过器件优化相互抵消，与第一子电极0221和第三子电极0241如图4和图8所示的分布情况，使得该超声传感器整体的残留应力均产生一个向下凹的应力形变相比，最终器件呈现低应力形变以及低的振动阻尼，同样能够减小应力阻尼对器件性能的影响。

其中，针对第一种可能的结构，该第三电极层024可以包括一个第三子电极0241，也可以包括多个第三子电极0241，且当该第三电极层024包括一个第三子电极0241时，该第三子电极0241可以为非连续的形状，如梳状。也可以为连续的形状，如面状。

本发明的一实施例中，如图1和图2所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，且第一子电极0221的正投影和第二子电极0231的正投影无重叠的情况下，该第三电极层024包括一个面状的第三子电极0241。即如图1和图2所示，示出了该第三子电极0241为连续的形状的情形。

针对第二种可能的结构，该第一电极层022可以包括一个第一子电极0221，也可以包括多个第一子电极0221，且当该第一电极层022包括一个第一子电极0221时，该第一子电极0221可以为非连续的形状，如梳状。也可以为连续的形状，如面状。

本发明的一实施例中，如图5和图6所示，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，且该第三子电极0241的正投影和第二子电极0231的正投影无重叠的情况下，该第一电极层022包括一个面状的第一子电极0221。即如图5和图6所示，示出了该第一子电极0221为连续的形状的情形。

针对第三种可能的结构，该第二电极层023可以包括一个第二子电极0231，也可以包括多个第二子电极0231，且当该第二电极层023包括一个第二子电极0231时，该第二子电极0231可以为非连续的形状，如梳状。也可以为连续的形状，如面状。

本发明的一实施例中，如图9和图10所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，且该第一子电极0221的正投影和第三子电极0241的正投影无重叠的情况下，该第二电极层023包括一个面状的第二子电极0231。即如图9和图10所示，示出了该第二子电极为0231连续的形状的情形。

在实际应用中，为了提高第一压电层025和第二压电层026的工作频率可提高到ghz级别，该第一压电层025和第二压电层026的厚度均在μm级别，因此，需要支撑板021对其进行支撑。

其中，示例性的，如图1、图2、图5、图6、图9和图10所示，该第一压电层025的厚度d1可以为800nm-3μm，该第二压电层026的厚度d2可以为800nm-3μm。

例如，该第一压电层025的厚度d1可以为800nm、900nm、1μm、2μm和3μm中的任意值。该第二压电层026的厚度d2可以为800nm、900nm、1μm、2μm和3μm中的任意值。

此时，示例性的，该第一压电层025和第二压电层026的材料均包括aln(氮化铝)、pzt(piezoelectricceramictransducer，锆钛酸铅)、zno(氧化锌)、pvdf(polyvinylidenefluoride，聚偏二氟乙烯)中的至少一种材料。采用这些压电材料，一方面，能够提高该超声传感器的压电性能，另一方面，能够将第一压电层025和第二压电层026的厚度限定在以上范围内，从而能够减少第一压电层025和第二压电层026的厚度较厚而导致的应力。

其中，为了防止第一压电层025和第二压电层026变形，提高支撑强度，可选的，该基底层01可以为硅基底层。该支撑板021的材料可以为硅材料。

本发明的又一实施例中，如图11所示，该基底层01和支撑板021之间还设置有声阻抗调节层03，该声阻抗调节层03与基底层01之间设置该空腔a，该声阻抗调节层03的声阻抗值大于或小于该支撑板021的声阻抗值。

在本发明实施例中，由于该声阻抗调节层03的声阻抗值大于或等于该支撑板021的声阻抗值，根据光学中的布拉格层技术，在谐振器的底电极下方制备声阻抗值高、低交替的声阻抗层，从而将声波限制在压电堆之内。

其中，可选的，该声阻抗调节层03的材料可以包括二氧化硅材料。二氧化硅材料和硅材料的声阻抗值相差较大，且这两种材料均为常用材料，机械稳定性高，集成性好，可制备获得性能优良的超声传感器。

其中，对该第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241的厚度均不做具体限定。

本发明的一实施例中，如图1、图2、图5、图6、图9和图10所示，该第一子电极0221的厚度h1为100nm-300nm；第二子电极0231的厚度h2为100nm-300nm；第三子电极0241的厚度h3为100nm-300nm。能够尽可能地减小第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241厚度所导致的应力。

其中，示例性的，该第一子电极0221的厚度h1可以为100nm、120nm、140nm、160nm、180nm、200nm、220nm、240nm、260nm、280nm和300nm中的任意值。第二子电极0231的厚度h2可以为100nm、120nm、140nm、160nm、180nm、200nm、220nm、240nm、260nm、280nm和300nm中的任意值。第三子电极0241的厚度h3可以为100nm、120nm、140nm、160nm、180nm、200nm、220nm、240nm、260nm、280nm和300nm中的任意值。

其中，可选的，该第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241的材料可以包括金属钼。这样一来，还能够使该第一子电极0221、第二子电极0231和第三子电极0241与第一压电层025和第二压电层026具有良好的晶格匹配性。

本发明的实施例提供一种压电元件的制备方法，包括：

在支撑板上依次形成层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，并在该第一电极层和第二电极层之间形成第一压电层，在第二电极层和第三电极层之间形成第二压电层。

其中，根据第一电极层、第二电极层和第三电极层的结构不同，可以有三种不同的实现方式。

第一种实现方式中，如图1和图2所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，该第三电极层024包括一个或多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第一子电极0221的正投影和第二子电极0231的正投影无重叠，多个该第一子电极0221的正投影和多个该第二子电极0231的正投影均与该第三子电极0241的正投影重叠。

在这种实现方式中，在该支撑板021上依次形成层叠设置的第一电极层022、第二电极层023和第三电极层024，并在该第一电极层022和第二电极层023之间形成第一压电层025，在第二电极层023和第三电极层024之间形成第二压电层026；包括：

s1、如图12所示，在该支撑板021上形成多个第一子电极0221。

其中，该第一子电极0221的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式在支撑板021上形成第一金属钼层，再通过光刻刻蚀工艺形成多个该第一子电极0221。

s2、如图13所示，在支撑板021和多个该第一子电极0221上形成第一压电层025。

例如，可以通过溅射或沉积的方式在该支撑板021和多个该第一子电极0221上形成该第一压电层025。

s3、如图14所示，在该第一压电层025上形成多个第二子电极0231。

其中，该第二子电极0231的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第二金属钼层，而后，再通过光刻刻蚀工艺形成多个第二子电极0231。

s4、如图15所示，在第一压电层025和多个第二子电极0231上形成第二压电层026。

例如，可以通过溅射或沉积的方式形成该第二压电层026。

s5、在该第二压电层02上形成一个或多个该第三子电极0241，得到如图1和图2所示的结构，其中，图1和图2仅示出了在第二压电层026上形成一个第三子电极0241，且该第三子电极0241为面状的情形。

其中，该第三子电极0241的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第三金属钼层，即可得到如图1所示的结构。

第二种实现方式中，如图5和图6所示，该第一电极层022包括一个或多个第一子电极0221，该第二电极层023包括多个第二子电极0231，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第二子电极0231的正投影和第三子电极0231的正投影无重叠，多个该第二子电极0231的正投影和多个该第三子电极0231的正投影均与该第一子电极0241的正投影重叠。

在这种实现方式中，在该支撑板021上依次形成层叠设置的第一电极层022、第二电极层023和第三电极层024，并在该第一电极层022和第二电极层023之间形成第一压电层025，在第二电极层023和第三电极层024之间形成第二压电层026；包括：

s11、在支撑板上形成一个或多个第一子电极0221，得到如图16所示的结构，其中，图16仅示出了在支撑板021上形成一个第一子电极0221，且该第一子电极0221为面状的情形。

其中，该第一子电极0221的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第一金属钼层，即可得到如图16所示的结构。

s12、如图17所示，在第一子电极0221上形成第一压电层025。

例如，可以通过溅射或沉积的方式在该第一子电极0221上形成第一压电层025。

s13、如图18所示，在第一压电层025上形成多个第二子电极0231。

其中，该第二子电极0231的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第二金属钼层，而后，再通过光刻刻蚀工艺形成多个第二子电极0231。

s14、如图19所示，在第一压电层025和多个第二子电极0231上形成第二压电层026。

例如，可以通过溅射或沉积的方式形成该第二压电层026。

s15、在第二压电层026上形成多个第三子电极0241，得到如图5和图6所示的结构。

其中，该第三子电极0241的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式在第二压电层026上形成第三金属钼层，再通过光刻刻蚀工艺形成多个该第三子电极0241。

第三种实现方式中，如图9和图10所示，该第一电极层022包括多个第一子电极0221，该第二电极层023包括一个或多个第二子电极0231，该第三电极层024包括多个第三子电极0241，且沿该支撑板021的厚度方向，该第一子电极0221的正投影和第三子电极0231的正投影无重叠，多个该第一子电极0221的正投影和多个该第三子电极0231的正投影均与该第二子电极0241的正投影重叠。

在这种实现方式中，在该支撑板021上依次形成层叠设置的第一电极层022、第二电极层023和第三电极层024，并在该第一电极层022和第二电极层023之间形成第一压电层025，在第二电极层023和第三电极层024之间形成第二压电层026；包括：

s21、在支撑板上形成多个第一子电极0221，得到如图13所示的结构。

其中，该第一子电极0221的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第一金属钼层，再通过光刻刻蚀工艺形成多个该第一子电极0221。

s22、如图13所示，在支撑板021和多个该第一子电极0221上形成第一压电层025。

例如，可以通过溅射或沉积的方式在该支撑板021和多个该第一子电极0221上形成该第一压电层025。

s23、在第一压电层025上形成一个或多个第二子电极0231，得到如图20所示的结构，其中，图20仅示出了在第一压电层025上形成一个第二子电极0231，且该第二子电极0231为面状的情形。

其中，该第二子电极0231的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式形成第二金属钼层，即可得到如图20所示的结构。

s24、如图21所示，在第二子电极0231上形成第二压电层026。

例如，可以通过溅射或沉积的方式形成该第二压电层026。

s25、在第二压电层026上形成多个第三子电极0241，得到如图9和图10所示的结构。

其中，该第三子电极0241的材料可以包括金属钼。这时，可以通过溅射或沉积金属钼的方式在第二压电层026上形成第三金属钼层，再通过光刻刻蚀工艺形成多个该第三子电极0241。

本发明实施例提供的压电元件的制备方法具有与本发明实施例提供的压电元件相同的技术效果，在此不再赘述。

本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。