技术特征：
技术总结
本申请公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件，所述金属氧化物薄膜晶体管器件包括：基板；栅极，设置在所述基板上；绝缘层，沉积在所述栅极上；有源层，覆盖于所述绝缘层上，所述有源层上设置有源极和漏极，所述有源层采用的材料为掺杂锂元素的氧化锌铟；封装层，沉积于所述源极和所述漏极上，以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。本申请还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法。本申请通过采用掺杂锂元素的氧化锌铟制备有源层，掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了金属氧化物TFT器件的性能。
技术研发人员：孙松
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
技术研发日：2019.06.11
技术公布日：2019.09.06