技术特征：
技术总结
一种P5+、Al3+、Be2+、Zn2+离子协同掺杂的K6Si2O7钾快离子导体及其制备方法，其特征为：化学计量式为K6+2x+y‑z‑2mBexAlyPz ZnmSi2‑x‑y‑zO7，其中：x＝0.1‑0.2；y＝0.1‑0.2；z＝0.02‑0.05；m＝0.02‑0.05；常温钾离子电导率超过5·10‑4S/cm。采用Al3+、Be2+部分取代Si4+离子，在晶体中产生间隙钾离子而降低钾离子迁移活化能；通过P5+掺杂进一步降低快离子导体的电子导电性：通过小离子半径的Be2+掺杂调节钾离子的迁移通道的大小以适应钾离子的快速迁移；通过Zn2+部分取代钾离子造成阳离子空位增加钾离子迁移通道；并在制备过程中在K6Si2O7颗粒的表面进行修饰，形成易烧结特性。这些协同作用使得该钾快离子导体的常温钾离子电导率超过5·10‑4S/cm，更加接近液态电解质的钾离子电导率。
技术研发人员：水淼;舒杰;任元龙
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：2019.06.27
技术公布日：2019.10.15