发光装置的制作方法

[0001]
本申请是有关于发光装置，且特别是有关于一种具有衬垫层的发光装置。


背景技术：

[0002]
随着数字科技的发展，发光装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本电脑、电脑、移动电话、智能手机等现代化信息设备，且此发光装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此发光装置可包含发光二极管。
[0003]
发光二极管(leds)是利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如gaas或gan的直接能隙材料(direct band gap material)形成的顺向偏压的p-n接面中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。
[0004]
在现今含有发光二极管的发光装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何发光装置的良率的提升皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的发光装置并非各方面皆令人满意。因此，业界仍须一种可更进一步提升良率的发光装置。


技术实现要素：

[0005]
本申请一些实施例提供一种发光装置。上述发光装置包含发光基底。发光基底具有第一表面、第二表面、及位于第一表面与第二表面之间的第三表面。上述发光装置亦包含设置于发光基底上的衬垫层，其包含第一部分及与第一部分隔开的第二部分。第一部分及第二部分由第一表面延伸至第三表面，且具有导电性及光反射性。
附图说明
[0006]
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
[0007]
图1为根据本申请的一些实施例的发光装置的立体剖面示意图。
[0008]
图2a为根据本申请的一些实施例的发光装置的上视图。
[0009]
图2b-2e为根据本申请的一些实施例的发光装置侧面示意图。
[0010]
图3为根据本申请的一些实施例的发光装置的立体剖面示意图。
[0011]
图4a为根据本申请的另一些实施例的发光装置的上视图。
[0012]
图4b-图4e为根据本申请的另一些实施例的发光装置侧面示意图。
[0013]
图5为根据本申请的另一些实施例的发光装置的立体剖面示意图。
[0014]
图6为根据本申请的另一些实施例的发光装置的剖面示意图。
[0015]
图中元件标号说明：
[0016]
10 第一表面
[0017]
20 第二表面
[0018]
30 第三侧面
[0019]
32、34、36、38 表面
[0020]
32
’
、34
’
、36
’
、38
’ꢀ
外轮廓表面
[0021]
32a
’
、32b
’
、34a
’
、36a
’
、38a
’
、38b
’ꢀ
覆盖表面
[0022]
100a、100b、100c 发光装置
[0023]
110 发光基底
[0024]
112 半导体层
[0025]
114 发光层
[0026]
116 半导体层
[0027]
120 钝化层
[0028]
130、130
’ꢀ
衬垫层
[0029]
130a、130a
’ꢀ
第一部分
[0030]
130b、130b
’ꢀ
第二部分
[0031]
130c 第三部分
[0032]
130d 第四部分
[0033]
140、140
’ꢀ
连接层
[0034]
140a、140a
’ꢀ
第一区块
[0035]
140b、140b
’ꢀ
第二区块
[0036]
150 导电垫
[0037]
160 驱动基板
[0038]
l 光线
[0039]
o1、o2、o3 开口
[0040]
θ 角度
具体实施方式
[0041]
以下针对本申请一些实施例的发光装置及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本申请一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本申请一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。但当述及一第一材料层直接位于一第二材料层上或之上，则指第一材料层与第二材料层直接接触的情形。
[0042]
本申请提到的范围均包含上限及下限。
[0043]
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本申请一些实施例的教导的情况
下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
[0044]
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本申请实施例有特别定义。
[0045]
本申请一些实施例可配合附图一并理解，本申请实施例的附图亦被视为本申请实施例说明的一部分。需了解的是，本申请实施例的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本申请实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本申请实施例的特征。
[0046]
在本申请一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
[0047]
值得注意的是，在后文中“基板”或“面板”一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源元件(晶体管元件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示。
[0048]
参阅图1，图1为根据本申请的一些实施例的发光装置100a的剖面示意图。值得注意的是，图1所绘示的发光装置100a仅为示例，除了此实施例绘示的元件，发光装置100a可更包含其他元件。
[0049]
如图1所示，发光装置100a包含发光基底110。发光基底110包含半导体层112、设置于半导体层112上的发光层114、及设置于发光层114上的半导体层116。半导体层112具有第一导电型态。半导体层112可为掺杂的in
x
al
y
ga
(1-x-y)
n，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1；例如可为掺杂的gan、inn、aln、in
x
ga
(1-x)
n、al
x
in
(1-x)
n、al
x
in
y
ga
(1-x-y)
n或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。第一导电型态可为n型，且可借由分子束外延(molecular beam epitaxy，mbe)、金属有机物化学气相沉积法(metal organic chemical vapor deposition，mocvd)、氢化物气相外延法(hidride vapor phase epitaxy，hvpe)、液相外延法(liquidphase epitaxy，lpe)或其它类似制程的外延成长制程形成。
[0050]
发光层114可包括同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子阱(single-quantum well(sqw))、多重量子阱(multiple-quantum well(mqw))或其它类似的结构。在一实施例中，发光层114可包括未掺杂的n型in
x
ga
(1-x)
n。在其它实施例中，发光层114可包括例如al
x
in
y
ga
(1-x-y)
n的其它常用的材料。另外，发光层114可包括多重井层(例如为ingan)和阻障层(例如为gan)交错排列的多重量子阱结构。再者，发光层114的形成方式可包括金属有机物化学气相沉积法(mocvd)、分子束外延法(mbe)、氢化物气相外延法(hvpe)、液相外延法(lpe)或其它适当的化学气相沉积法方式。
[0051]
半导体层116可具有第二导电型态，且此第二导电型态与第一导电型态不同，例如为p型。半导体层116可包括掺杂的in
x
al
y
ga
(1-x-y)
n，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，例如可包括掺杂的gan、inn、aln、in
x
ga
(1-x)
n、al
x
in
(1-x)
n、al
x
in
y
ga
(1-x-y)
n或其它类似的材
料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。半导体层116可借由分子束外延(mbe)、金属有机物化学气相沉积法(mocvd)、氢化物气相外延法(hvpe)、液相外延法(lpe)或其它类似制程的外延成长制程形成。在另一些实施例，半导体层112可为p型，半导体层116可为n型。
[0052]
在一些实施例，发光基底可包含发光二极管。上述发光二极管可例如包含有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot,qd，可例如为qled、qdled)，萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材且其材料可任意排列组合，但不以此为限。
[0053]
如图1所示，发光基底110具有第一表面10、第二表面20、及位于第一表面10与第二表面20之间的第三表面30。值得注意的是，第一表面10、第二表面20及第三表面30可为非平坦的表面。例如，第一表面10具有露出半导体层116的部分上表面的区域及露出半导体层112的部分上表面的区域。第二表面20与第一表面10相对，第二表面20可由半导体层112的下表面构成。在一些实施例，第三表面30介于第一表面10与第二表面20之间。在一些实施例，第三表面30可具有四个表面：表面32(未绘示于图1)、表面34、表面36及表面38(未绘示于图1)。第一表面10、第二表面20及第三表面30可个别为发光基底110的上表面、下表面、侧表面。表面32及表面38为相对两面(不相邻的两面)，表面34及表面36为相对两面(不相邻的两面)。在一些实施例，第一表面10的表面积小于第二表面20的表面积。第三表面30与第二表面20或第一表面10所构成的角度θ可介于约30
°
至约85
°
的范围间，且不限于此。
[0054]
在一些实施例，发光装置100a可包含钝化层120，钝化层120可设置于发光基底110上，并且覆盖一部分的第一表面10，且覆盖第三表面30。更具体而言，钝化层120覆盖一部分的半导体层116的上表面，且覆盖半导体层112、116及发光层114的侧表面。在一些实施例，钝化层120的材料可包含绝缘材料，例如氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅，且不限于此。钝化层120可借由化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)或其他适合的方法形成，且不限于此。
[0055]
钝化层120包含露出第一表面10的开口o1及开口o2。更具体而言，开口o1及开口o2分别露出半导体层116及半导体层112的上表面。钝化层120可借由光刻制程及蚀刻制程图案化后，而形成开口o1及o2。光刻制程包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烤、光罩对位、曝光、曝后烤、将光阻显影、冲洗、干燥(例如硬烤)、其它合适的制程或前述的组合。另外，光刻制程可由其它适当的方法，例如无遮罩光刻、电子束写入(electron-beam writing)及离子束写入(ion-beam writing)进行或取代，且不限于此。蚀刻制程包含干蚀刻、湿蚀刻或其它蚀刻方法，且不限于此。
[0056]
在一些实施例，发光装置100a包含衬垫层130。衬垫层130设置在钝化层120上，并且填入开口o1及o2。如图1所示，衬垫层130由第一表面10延伸至第三表面30。在一些实施例，衬垫层130包含第一部分130a及第二部分130b。第一部分130a与第二部分130b分隔。第一部分130a可填入开口o1，并且与半导体层116接触；第二部分130b可填入开口o2，并且与半导体层112接触。开口o3位于第一部分130a与第二部分130b之间，且露出钝化层120。在一些实施例，发光基底110具有n型区及p型区。第一部分130a电性连接至发光基底110的p型区(例如开口o1露出的半导体116的上表面)；第二部分130b电性连接至发光基底110的n型区
(例如开口o2露出的半导体112的上表面)，且不限于此。在另一些实施例，第一部分130a电性连接至发光基底110的n型区；第二部分130b电性连接至发光基底110的p型区。在一些实施例，第一部分103a与第二部分103b电性不连接，在一些实施例，第一部分103a与第二部分103b电位不相同。
[0057]
在一些实施例，衬垫层130具有导电性及光反射性，且可为多层结构，例如，衬垫层130由钝化层120的表面可选择性包含功函数匹配层、反射层、粘着层、阻障层及扩散层。在一些实施例，衬垫层130的材料可包含铜(cu)、镍(ni)、金(au)、钛(ti)、铝(al)、铬(cr)、钯(pt)、银(ag)、铝(al)、其他金属材料或上述的合金，且不限于此。衬垫层130具有导电性，发光基底110可借由衬垫层130而电性连接至其他元件(未绘示)。在一些实施例，反射层的材料可包括银、铝或其他适合的金属。借由设置第一部分130a及/或第二部分130b，使其延伸至发光基底110的第三表面30，可减少发光基底110发出的光l从第三表面30射出的几率；或者，可把光l反射至第二表面20，或把光l经由开口o3射出。据此，可以提升发光装置100a的出光效率。本申请中所述的“光反射性”，是指光源的反射光频谱积分值除以入射光频谱积分值的百分比在60％以上，在一些实施例中，光源可包含可见光(例如波长介于380nm至780nm之间)或紫外光(例如波长大于365nm)，但不限于此，意即当光源为可见光时，波长380nm至波长780nm范围内的反射光频谱积分值除以相同范围内的入射光频谱积分值的百分比在60％以上。
[0058]
先参阅图2a-2e，图2a为根据本申请的一些实施例的发光装置100a的上视图(沿z方向观察第一表面10)；图2b-2e为发光装置100a的侧视图。为了清楚绘示第一部分130a、第二部分130b与其他元件的关系，省略了一些元件。在一些实施例，第一部分130a覆盖一部分的第一表面10；第二部分130b覆盖一部分的第一表面10，一部分的钝化层120并未被第一部分130a及第二部分130b覆盖。此外，图2a的a-a
’
剖面可对应至图1所示的结构。
[0059]
参阅图2b、图2c，其分别为表面32及表面38的示意图。在一些实施例，第一部分130a覆盖一部分的表面32，第二部分130b覆盖一部分的表面32。在一些实施例，第一部分130a覆盖一部分的表面38，第二部分130b覆盖一部分的表面38。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和覆盖表面32或表面38的表面积的50％-90％。第一部分130a与第二部分130b并未接触，以避免短路。
[0060]
再参阅图2b，在一些实施例，其为外轮廓表面32
’
的示意图。外轮廓表面32
’
包括覆盖表面32a
’
、覆盖表面32b
’
及部分暴露出来的钝化层120的部分表面，覆盖表面32a
’
为第一部分130a的外表面，覆盖表面32b
’
为第二部分130b的外表面。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b占外轮廓表面32
’
的表面积的50％-90％,意即覆盖表面32a
’
与覆盖表面32b
’
的面积总和占外轮廓表面32
’
面积的50％-90％。需要注意的是：本案中外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
及外轮廓表面38
’
的”外轮廓表面”是指朝向一方向观察发光装置100a时最外围层别及该最外围层别以外的所有层别被暴露在最外围的轮廓所围成的表面。在一些实施例，最外围层别为衬垫层130，例如图2b，由-y朝向+y方向(y轴箭头所指的方向)看向发光装置100a时，其外轮廓表面32
’
包含覆盖表面32a
’
、覆盖表面32b
’
及暴露的部分钝化层120表面；图2c为由+y朝向-y方向(与y轴箭头所指的相反方向)看发光装置100a时，外轮廓表面38
’
包含覆盖表面38a
’
、覆盖表面38b
’
及暴露的部分钝化层120表面；图2d为由-x朝向+x方向(x轴箭头所指的方向)看发光装置100a时，外轮廓表面34
’
包含覆盖
表面34a
’
；图2e为由+x朝向-x方向(与x轴箭头所指的相反方向)看发光装置100a时，外轮廓表面36
’
包含覆盖表面36a
’
。
[0061]
再参阅图2c，在一些实施例，其为外轮廓表面38
’
的示意图。外轮廓表面38
’
包括覆盖表面38a
’
、覆盖表面38b
’
及部分暴露出来的钝化层120的部分表面，覆盖表面38a
’
为第一部分130a的外表面，覆盖表面38b
’
为第二部分130b的外表面。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b占外轮廓表面38
’
的表面积的50％-90％,意即覆盖表面38a
’
与覆盖表面38b
’
的面积总和占外轮廓表面38
’
面积的50％-90％。
[0062]
参阅图1、图2d、图2e，在一些实施例，第一部分130a覆盖表面34，第二部分130b未覆盖表面34。在一些实施例，第二部分130b覆盖表面36，第一部分130a未覆盖表面36。在一些实施例，第一部分130a完全覆盖了表面34，第二部分130b完全覆盖了表面36，但可有其他变化及调整，于此并不限制。在一些实施例，第一部分130a可并未完全覆盖表面34。在一些实施例，第一部分130a覆盖表面34的表面积的50％-100％。在一些实施例，第二部分130b可并未完全覆盖表面36。在一些实施例，第二部分130b覆盖表面36的表面积的50％-100％。
[0063]
再参阅图2d、图2e，在一些实施例，其分别为外轮廓表面34
’
及外轮廓表面36
’
的示意图。于此实施例中，第一部分130a或第二部分130b分别全部覆盖外轮廓表面34
’
或外轮廓表面36
’
，但亦可选择性不全部盖满整个外轮廓表面34
’
或外轮廓表面36
’
，于此并不限制，端视设计需求。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b个别占外轮廓表面34
’
或外轮廓表面36
’
的表面积的50％-100％,覆盖表面34a
’
的面积占外轮廓表面34
’
面积的50％-100％，覆盖表面36a
’
的面积占外轮廓表面36
’
面积的50％-100％。
[0064]
在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和覆盖第三表面30(包含表面32、表面34、表面36及表面38)的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和覆盖第三表面30的总表面积的60％-80％。由于衬垫层130由第一表面10延伸至第三表面30，因此能覆盖较多的第三表面30的表面积，借此反射更多的光l至第二表面20，借此提升发光装置100a的出光效率。
[0065]
在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和占所有外轮廓表面(包含外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
及外轮廓表面38
’
)的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和占所有外轮廓表面的总表面积的60％-80％，意即覆盖表面32a
’
、覆盖表面32b
’
、覆盖表面34a
’
、覆盖表面36a
’
、覆盖表面38a
’
与覆盖表面38b
’
的面积总和占外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
与外轮廓表面38
’
的面积总和的60％-80％。
[0066]
在一些实施例，发光装置100a包含连接层140，如图1所示。连接层140设置在衬垫层130上。连接层140由第一表面10延伸至第三表面30。在一些实施例，连接层140的材料可包含锡(sn)、锡合金、铟(in)、铟合金、铜(cu)、铜合金、金(au)、金合金、其他材料或合金，且不限于此。在一些实施例，连接层140可包含多层结构，由不同的金属或合金材料形成。此外，连接层140亦可包含高反射率的材料，例如银(ag)、银合金、铝(al)、铝合金及其他适合材料，且不限于此。在一些实施例，连接层140可用于焊接。
[0067]
在一些实施例，请再参考图1的剖面图，连接层140可包含第一区块140a及第二区块140b，分别对应地设置于第一部分130a及第二部分130b上。在一些实施例，连接层140的轮廓可与衬垫层130相同或相似。在一些实施例，第一区块140a覆盖一部分的第一表面10；
第二区块140b亦覆盖一部分的第一表面10。连接层140的第一区块140a及/或第二区块140b覆盖于衬垫层130上的结构可与图2a-2e绘示的衬垫层130的第一部分130a、第二部分130b相似。
[0068]
在一些实施例，第一区块140a覆盖一部分的表面32，第二区块140b覆盖一部分的表面32。在一些实施例，第一区块140a覆盖一部分的表面38，第二区块140b覆盖一部分的表面38。在一些实施例，第一区块140a及第二区块140b的总和覆盖表面32或表面38的表面积的50％-90％。在一些实施例，第一区块140a及第二区块140b占外轮廓表面32
’
或外轮廓表面38
’
的表面积的50％-90％。
[0069]
在一些实施例，第一部分130a覆盖表面34的表面积的50％-100％，第二部分130b覆盖表面36的表面积的50％-100％。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和覆盖第三表面30(包含表面32、表面34、表面36及表面38)的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和覆盖第三表面30的总表面积的60％-80％。由于焊接层140由第一表面10延伸至第三表面30，覆盖较多的第三表面30的表面积，因此可以反射更多的光l至第二表面20，借此提升发光装置100a的出光效率。
[0070]
在一些实施例，第一区块140a及第二区块140b个别占外轮廓表面34
’
或外轮廓表面36
’
的表面积的50％-100％。在一些实施例，第一区块140a及第二区块140b的总和占外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
及外轮廓表面38
’
的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一区块140a及第二区块140b的总和占外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
及外轮廓表面38
’
的总表面积的60％-80％。在一些实施例，衬垫层130及连接层140可借由相同的蚀刻制程图案化，以形成形状及/或轮廓相似的第一部分130a、第二部分130b、第一区块140a及第二区块140b。在一些实施例，可在沉积衬垫层130及连接层140的金属材料后，执行光刻及蚀刻制程，以图案化上述两者。另外，在此实施例，并未使用金属氧化物作为反射层，而是直接使用金属材料作为反射层。若用金属氧化物作为反射层，则使发光装置的厚度变得较厚。并且，本实施例将形成反射层的制程与形成衬垫层130的制程整合，使得衬垫层130的反射层的轮廓/形状与连接层140相同或相似。据此，能简化形成发光装置100a的步骤。
[0071]
参阅图3，图3为根据本申请的一些实施例的发光装置100a的剖面示意图。发光装置100a可包含驱动基板160，该驱动基板160更包含导电垫150。发光基底110借由导电垫150固定在驱动基板160上。在一些实施例中，发光装置100a的连接层140借由焊接的方式与导电垫150电性连接。其中发光基底110的第一表面10面向驱动基板160；亦即，相较于第二表面20，第一表面10较靠近驱动基板160。
[0072]
导电垫150的材料可包含导电材料，例如铜(cu)、镍(ni)、金(au)、钛(ti)、铝(al)、铬(cr)、钯(pt)、银(ag)、其他金属材料或上述的合金，且不限于此。
[0073]
根据发光装置100a的用途，驱动基板160可为包含各种有源及/或无源元件的基板。驱动基板160可包含可挠或不可挠基材，例如玻璃基材、蓝宝石基材、陶瓷基材、塑胶基材、或者其他适合的基材，其中塑胶基材的材料可为聚酰亚胺(polyimine，pi)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚醚砜(polyether oxime，pes)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate，pbt)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polynaphthalene ethylene glycolate，pen)或聚芳酯(polyarylate，
par)、其他适合的材料、或其组合，但不限于此。
[0074]
驱动基板160可包含各种有源元件，例如薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。此外，驱动基板160可包含显示介质层，例如液晶(liquid crystal display，lcd)层；此时，发光基底110可作为背光源。在一些实施例，驱动基板160亦可包含芯片。驱动基板160包含无源元件，例如为电容、电感或其他无源元件，且不限于此。在一些实施例，导电垫150可以与有源及/或无源元件电性连接亦或与其他线路连接，再连接至驱动基板160，但不限于此。
[0075]
在一些实施例，发光装置100a可作为电视、笔记本电脑、电脑、移动电话、智能手机、公共信息显示器(public information display)、触控显示器、或拼接显示器等现代化信息设备。借由使衬垫层130具有由第一表面10延伸至第三表面30的第一部分130a、第二部分130b，并具有导电性及光反射性，可使发光装置100a的出光效率更佳，更适合作为上述信息设备。在一些实施例中，使衬垫层130及连接层140至少其中之一者具有导电性及光反射性，亦可使发光装置100a的出光效率更佳。
[0076]
衬垫层130的布局可不限于图2a-2e所示。参阅图4a-4e，图4a为根据本申请的另一些实施例的发光装置100b的上视图(沿z方向观察第一表面10)。图4b-图4e为发光装置100b的侧视图。为了清楚绘示衬垫层与其他元件的关系，省略了一些元件。在一些实施例，衬垫层130包含第三部分130c及第四部分130d。如图4a所示，第一部分130a、第二部分130b、第三部分130c、第四部分130d个别覆盖一部分的第一表面10。此外，第一部分130a与第三部分130c连接；第二部分130b与第四部分130d连接。
[0077]
请参考图4a，在一些实施例，第一部分130a覆盖一部分的表面32及表面34；第二部分130b覆盖一部分的表面32及表面36；第三部分130c覆盖一部分的表面34及表面38；第四部分130d覆盖一部分的表面36及表面38。在一些实施例，第一部分130a、第二部分130b覆盖表面32的表面积的50％-90％；第一部分130a、第三部分130c覆盖表面34的表面积的50％-90％；第三部分130c、第四部分130d覆盖表面38的表面积的50％-90％；第二部分130b、第四部分130d覆盖表面36的表面积的50％-90％。
[0078]
再参阅图4b-4e，在一些实施例，其分别为外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
、及外轮廓表面38
’
的示意图。在一些实施例，第一部分130a及第二部分130b的总和占外轮廓表面32
’
的表面积的50％-90％；第一部分130a及第三部分130c的总和占外轮廓表面34
’
的表面积的50％-90％；第三部分130c及第四部分130d的总和占外轮廓表面38
’
的表面积的50％-90％；第二部分130b及第四部分130d的总和占外轮廓表面36
’
的表面积的50％-90％。
[0079]
可在本申请的实施例作各种变化及调整。在一些实施例，衬垫层130的部分的形状、轮廓可包含任意形状，本申请并不限于此；连接层140的部分的形状、轮廓可包含任意形状，本申请并不限于此。
[0080]
参阅图5，图5为根据本申请的一些实施例的发光装置100c的剖面示意图。值得注意的是，图5所绘示的发光装置100c仅为示例，除了此实施例绘示的元件，发光装置100c可更包含其他元件。在一些实施例，发光装置100c包含衬垫层130
’
。在此实施例，可在沉积衬垫层130
’
的金属材料后，执行图案化制程，以形成第一部分130a
’
及第二部分130b
’
。在此实施例，可省略连接层。第一部分130a
’
与第二部分130b
’
的材料及/或轮廓可与图1所示的第
一部分130a与第二部分130b的材料及/或轮廓相同或相似。
[0081]
在一些实施例，如图5所示，第一部分130a
’
覆盖一部分的表面32(未绘示)，第二部分130b
’
覆盖一部分的表面32。在一些实施例，第一部分130a
’
覆盖一部分的表面38(未绘示)，第二部分130b
’
覆盖一部分的表面38。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和覆盖表面32或表面38的表面积的50％-90％。第一部分130a
’
与第二部分130b
’
并未接触，以避免短路。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和覆盖第三表面30(包含表面32、表面34、表面36及表面38)的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和覆盖第三表面30的总表面积的60％-80％。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和占外轮廓表面32
’
或外轮廓表面38
’
的表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和占所有外轮廓表面(包含外轮廓表面32
’
、外轮廓表面34
’
、外轮廓表面36
’
及外轮廓表面38
’
，未绘示于图5)的总表面积的50％-90％。在一些实施例，第一部分130a
’
及第二部分130b
’
的总和占所有外轮廓表面的总表面积的60％-80％。关于上述外轮廓表面的细节，可参阅图2a-2e及其相关段落。
[0082]
参阅图6，图6为根据图5的一些实施例的发光装置100c的剖面示意图。在一些实施例，发光装置100c包含驱动基板160，该驱动基板160更包含连接层140
’
及导电垫150。由驱动基板160至衬垫层130
’
的层叠排列可依序为驱动基板160、导电垫150、连接层140
’
、衬垫层130
’
，但亦可视需求调整顺序。
[0083]
在此实施例，可先沉积连接层140
’
及导电垫150的金属材料于驱动基板160上，再进行图案化制程，以形成形状及/或轮廓相似的导电垫150、第一区块140a
’
及第二区块140b
’
。接下来，再将第一区块140a
’
及第二区块140
’
b个别接合至第一部分130a
’
及第二部分130b
’
。在此实施例，衬垫层130
’
、连接层140
’
并非借由相同蚀刻制程图案化。
[0084]
在此实施例，由于衬垫层130
’
由第一表面10延伸至第三表面30，覆盖较多的第三表面30的表面积，因此可将更多由发光基底110发出的光反射至第二表面20，借此提升发光装置100c的出光效率。
[0085]
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。