技术特征：
技术总结
本申请提供一种沟槽隔离结构及其形成方法、图像传感器，所述沟槽隔离结构包括：半导体衬底，包括若干像素单元区域；第一沟槽，形成在所述像素单元区域中，相邻第一沟槽之间的距离与入射光在所述相邻第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关，所述入射光在不同关键尺寸的半导体区域的反射率不同。采用该沟槽隔离结构能够使不同波长的入射光在半导体区域中的反射率达到较高或最高，从而大幅度提高图像传感器的灵敏度和量子效率。
技术研发人员：翟仁杰;内藤达也
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.07.31
技术公布日：2019.11.12